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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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      얇은 도핑조절 a-Si:H초격자에서 지속 광전기 전도도 = Persistent Photoconductivity in Thin Doping -Modulated a-Si:H Superlattices

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      https://www.riss.kr/link?id=A19648789

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      다국어 초록 (Multilingual Abstract)

      Very large PPC effect(σ_ppc/σ_A=10^5) in doping-modulated npnp a-Si: H superlattices could be obtained. B and P atoms, respectively, diffuse and so some parts compensated. Therefore, annealing activation energy of E_a=0.67eV is larger than one of re...

      Very large PPC effect(σ_ppc/σ_A=10^5) in doping-modulated npnp a-Si: H superlattices could be obtained. B and P atoms, respectively, diffuse and so some parts compensated. Therefore, annealing activation energy of E_a=0.67eV is larger than one of reference n-type sample of E_a=0.26eV and annealing dark conductivity of σ_A=4×10^-[ohm cm]^-1 is lower than that of n-type reference sample of σ_A=2×10 exp (4)[ohm cm]^-1. From this results, very large PPC relatively have obtained. In this paper, we have observed that PPC effect depends on temperature and exposure time. On the basis of the experimental results, we discuss the existing models.

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