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Atomic layer deposited single-crystal hexagonal perovskite YAlO3 epitaxially on GaAs(111)A
Young, Lawrence Boyu; Cheng, Chao-Kai; Lu, Guan-Jie; Lin, Keng-Yung; Lin, Yen-Hsun; Wan, Hsien-Wen; Li, Mei-Yi; Cai, Ren-Fong; Lo, Shen-Chuan; Hsu, Chia-Hung; Kwo, Jueinai; Hong, Minghwei American Institute of Physics 2017
Anja Förster ; Christian Wagner ; Jörg Schuster ; Joachim Friedrich AVS-Science & Technology Soc 2017 p.01B113
Bo Chen ; Yichen Duan ; Yunxi Yao ; Qiang Ma ; Jason P. Coyle ; Seán T. Barry ; Andrew V. Teplyakov ; Francisco Zaera AVS-Science & Technology Soc 2017 p.01B124
Al2O3/SiO2 nanolaminate for a gate oxide in a GaN-based MOS device
Daigo Kikuta (菊田 大悟) ; Kenji Itoh (伊藤 健治) ; Tetsuo Narita (成田 哲生) ; Tomohiko Mori (森 朋彦) AVS-Science & Technology Soc 2017 p.01B122
Sebastian Franke ; Matthias Baumkötter ; Carsten Monka ; Sebastian Raabe ; Reinhard Caspary ; Hans-Hermann Johannes ; Wolfgang Kowalsky ; Sebastian Beck ; Annemarie Pucci ; Hassan Gargouri AVS-Science & Technology Soc 2017 p.01B117
Oili M. E. Ylivaara ; Lauri Kilpi ; Xuwen Liu ; Sakari Sintonen ; Saima Ali ; Mikko Laitinen ; Jaakko Julin ; Eero Haimi ; Timo Sajavaara ; Harri Lipsanen ; Simo-Pekka Hannula ; Helena Ronkainen ; Riikka L. Puurunen AVS-Science & Technology Soc 2017 p.01B105
Hossein Salami ; Andrew Poissant ; Raymond A. Adomaitis AVS-Science & Technology Soc 2017 p.01B101
As2S3 thin films deposited by atomic layer deposition
Elina Färm ; Mikko J. Heikkilä ; Marko Vehkamäki ; Kenichiro Mizohata ; Mikko Ritala ; Markku Leskelä ; Marianna Kemell AVS-Science & Technology Soc 2017 p.01B114
David R. Boris ; Tzvetelina B. Petrova ; George M. Petrov ; Scott G. Walton AVS-Science & Technology Soc 2017 p.01A104
Atomic layer deposited single-crystal hexagonal perovskite YAlO3 epitaxially on GaAs(111)A
Lawrence Boyu Young ; Chao-Kai Cheng ; Guan-Jie Lu ; Keng-Yung Lin ; Yen-Hsun Lin ; Hsien-Wen Wan ; Mei-Yi Li ; Ren-Fong Cai ; Shen-Chuan Lo ; Chia-Hung Hsu ; Jueinai Kwo ; Minghwei Hong AVS-Science & Technology Soc 2017 p.01B123
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