Hot Filament C.V.D법에 의한 다이아몬드 박막의 합성에 관하여 = The study on nucleation and growth of Diamond films by Hot Filament C.V.D

국문 초록 (Abstract)

열평형에 가까운 상태인 Hot-Filament assisted C.V.D 장치를 이용하여, 저압 기상 하에서 diamond 박막을 생성시킬 때 온도, 압력, sources gas, substrate의 종류, 과포화 및 atomic hydrogen의 영향 등을 핵생성과 성장에 관련하여 증착층의 성질을 조사하였다. CH_4-H_2 system에서 CH_4/H_4 분율이 1% 이하일 때 다이아몬드 결정상이 나타났고, 전처리로 substrate 표면을 다이아몬드 분말로 연마한 것이 초기단계에서 현저하게 핵생성과 성장을 촉진하였다.

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

We have investigated the effect of hydrocarbon deposition on nucleation and growth of Diamond crystal from CH_4/H_2 in Hot filament C.V.D. Well faceted diamond crystallization is produced at low pressure (20∼50 Torr) and low concentration (1% CH_4./H_2 mole fraction). Co-deposition of non diamond carbon has to be suppressed by atomic hydrogen expressively presents in reaction chamber.