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Karumidze, G. S American Institute of Physics 1996 p.p373-374
Brandt, N. B American Institute of Physics 1996 p.p365-367
Characteristics of self-compensation in PbSe:Cl:Se~e~x films
Zykov, V. A American Institute of Physics 1996 p.p386-388
Dynamics of variation of the forward voltage drop on pin diodes during pulsed neutron irradiation
Afanas'ev, V. N American Institute of Physics 1996 p.p368-369
Effect of gamma-radiation on the transport coefficients of Pb~1~-~xSn~xTe films
Mamadalimov, A. T American Institute of Physics 1996 p.p353-354
Kurova, I. A American Institute of Physics 1996 p.p391-392
Effect of prolonged illumination on the properties of compensated hydrogenated silicon a-Si:H
Kazanskii, A. G American Institute of Physics 1996 p.p397-399
Borkovskaya, L. V American Institute of Physics 1996 p.p400-402
Electrical losses in high-resistivity silicon with deep levels
Pribylov, N. N American Institute of Physics 1996 p.p344-346
Electroabsorption and lasing in diodes with ZnCdSe/ZnSeS quantum wells
Toropov, A. A American Institute of Physics 1996 p.p355-361
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