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Effect of Si^+ implantation on the properties of amorphous hydrogenated silicon
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Raman scattering and photoluminescence of porous silicon
Karavanskii, V. A. AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 1995 p.302
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Hole-phonon scattering in the ferromagnetic semiconductor HgCr~2Se~4
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Antonova, I. V. AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 1995 p.315
Gorin, A. E. AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 1995 p.321
Electrical and luminescence properties of ytterbium-doped n-ZnSe single crystals
Ivanova, G. N. AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 1995 p.324
Electroluminescence kinetics and spectrum of porous-silicon/metal structures
Averbukh, B. Y. AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 1995 p.327
Mirlin, D. N. AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 1995 p.331
Study of surface states in MIS structures by a two-temperature admittance method
Bormontov, E. N. AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 1995 p.336
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