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이 학술지의 논문 검색
Strain relaxation in epitaxial films
Rajan, Krishna;Fitzgerald, Eugene;Jagganadham, K.Jesser, William Minerals, Metals & Materials Society and IEEE 1991 p.701-701
The thermal stability of lattice mismatched InGaAs grown on patterned GaAs
Watson, G. Patrick;Ast, Dieter G.;Anderson, Timothy J.;Hayakawa, YasuhiroPathangey, Balu Minerals, Metals & Materials Society and IEEE 1991 p.703-708
Effects of mesa area and orientation on defects in strained InxGa1−xAs films grown by LPOMCVD
Jones, J. R.;Jones, S. H.;Zybura, M. F.;Seidel, L. K.Oh, D. K. Minerals, Metals & Materials Society and IEEE 1991 p.709-717
Structural study of epitaxial MN/AG multilayers
Nahm, S.;Salamanca-Riba, L.Jonker, B. T. Minerals, Metals & Materials Society and IEEE 1991 p.719-722
Dislocation arrangements in gaas/ga1−xlnxas multilayers grown on (001), (111) and (112) substrates
Mitchell, T. E.Unal, O. Minerals, Metals & Materials Society and IEEE 1991 p.723-734
Strain relief in compositionally graded Si1-xGex formed by high dose Ion implantation
Paine, D. C.;Howard, D. J.Stoffel, N. G. Minerals, Metals & Materials Society and IEEE 1991 p.735-746
An affine transformation description of epitaxial heterostructures
Dakshinamurthy, S.Rajan, K. Minerals, Metals & Materials Society and IEEE 1991 p.747-752
A diffraction study of a heteroepitaxial system-Ag/Si(111)
McKenna, D. C.;Wang, G. C.Rajan, K. Minerals, Metals & Materials Society and IEEE 1991 p.753-758
Modeling structural and chemical relaxation at the Al/Si epitaxial interface
Bartholomeusz, B. J.;Lu, T. M.Rajan, K. Minerals, Metals & Materials Society and IEEE 1991 p.759-765
Nucleation of a 60° glide dislocation in two-dimensional or three-dimensional growth of epilayers
Jagannadham, K.Narayan, J. Minerals, Metals & Materials Society and IEEE 1991 p.767-774
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