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Wafer bonding technology for silicon-on-lnsulator applications: A review
Mitani, KiyoshiGösele, Ulrich M. Minerals, Metals & Materials Society and IEEE 1992 p.669-676
Dunn, GregoryKrick, John Minerals, Metals & Materials Society and IEEE 1992 p.677-681
Numerical analysis of silicon-on-lnsulator short channel effects in a radiation environment
Smith, J. H.;Lawrence, R.Campisi, G. J. Minerals, Metals & Materials Society and IEEE 1992 p.683-687
A comparison of reactor and accelerator sources for neutron effects testing
Wilensky, Samuel Minerals, Metals & Materials Society and IEEE 1992 p.689-691
A framework for understanding fast-neutron induced defects in SiO2 MOS structures
Chang, W. Minerals, Metals & Materials Society and IEEE 1992 p.693-699
Fast neutron radiation damage effects on high resistivity silicon junction detectors
Li, ZhengKraner, H. W. Minerals, Metals & Materials Society and IEEE 1992 p.701-705
Electron spin resonance study of defects in CVD-grown 3C-SiC irradiated with 2MeV protons
Itoh, Hisayoshi;Yoshikawa, Masahito;Nashiyama, Isamu;Misawa, Shunji;Okumura, HajimeYoshida, Sadafumi Minerals, Metals & Materials Society and IEEE 1992 p.707-710
Kinetics of trapping, detrapping, and trap generation
Williams, C. K. Minerals, Metals & Materials Society and IEEE 1992 p.711-720
Electrical characterization of defects created in the Si-SiO2 system by ionizing radiation
Nicollian, Edward H. Minerals, Metals & Materials Society and IEEE 1992 p.721-729
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