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Blaabjerg, F.; Pecht, M. M. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2015 p.2373-2374
Strengthen Anti-ESD Characteristics in an HV LDMOS With Superjunction Structures
Chen, S.-L.; Lai, Y.-S. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2015 p.2375-2382
Jahdi, S.; Alatise, O.; Bonyadi, R.; Alexakis, P.; Fisher, C. A.; Gonzalez, J. A. O.; Ran, L.; Mawby, P. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2015 p.2383-2394
Luo, H.; Li, W.; He, X. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2015 p.2395-2404
Degradation Assessment in IGBT Modules Using Four-Point Probing Approach
Pedersen, K. B.; Kristensen, P. K.; Popok, V.; Pedersen, K. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2015 p.2405-2412
Oh, H.; Han, B.; McCluskey, P.; Han, C.; Youn, B. D. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2015 p.2413-2426
Research on the Failure Mechanism of High-Power GaAs PCSS
Shi, W.; Ma, C.; Li, M. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2015 p.2427-2434
Makdessi, M.; Sari, A.; Venet, P.; Bevilacqua, P.; Joubert, C. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2015 p.2435-2444
Gate Oxide Reliability Issues of SiC MOSFETs Under Short-Circuit Operation
Nguyen, T.-T.; Ahmed, A.; Thang, T. V.; Park, J.-H. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2015 p.2445-2455
Survey of High-Temperature Reliability of Power Electronics Packaging Components
Khazaka, R.; Mendizabal, L.; Henry, D.; Hanna, R. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2015 p.2456-2464
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