수소함유 다이아몬드 박막과 MS 및 MIS 다이아몬드 다이오드의 전기적 특성

국문 초록 (Abstract)

기전력 증가에 따라 균일 두께로 4종류 다이아몬드 박막을 성장하였다. 이들에 대해 성장 직후 및 진공소둔 후 전기전도도를 조사한 결과 성장 중 기전력이 증가하면 다이아몬드 결정내에 원자상 수소의 혼입이 증가되어 높은 전기전도도를 나타낸다. 고진공소둔에 의해 탈가스를 하면 원자상 수소가 제거되어 전기전도도를 감소시킬 수 있다. 그러므로 다이아몬드 박막을 유전체 박막에 응용하기 위해서는 진공 탈가스가 필요하다. MS 및 MIS구조 다이아몬드 다이오드를 제조하여 정류특성을 평가한 결과 저농도 MS구조는 극히 낮은 정류특성을 나타내며 고농도는 Ohmic 거동을 하였다. MIS구조에서는 저농도 및 고농도 모두 우수한 정류특성을 나타냈다. 그러므로 다이아몬드 박막으로 MIS구조에 의한 다이오드를 제조하므로써 고속, 고출력 전자소자 및, 고온, 고방사, 원자로, 우주 등 열악한 환경하에서 사용될 수 있는 전자소자의 가능성이 높다고 사료된다.

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

Four kinds of diamomd thin film of same thickness were grown as the potential between substrates and filament increases. The electrical conductivity increase as the potential increases due to the increment of atomic hydrogen content in the films. But it is possible to decrease the electrical conduction for using it to dielectric film by degassing of atomic hydrogens in high vacuum. The MS and MIS diamond semiconductor diodes were made with Schottky and Ohmic contacts in order to evaluate the rectifing characteristics. High and low doped MS diodes showed Ohmic behavior and low rectification respectively. But both high and low doped MIS diodes showed the excellent rectifing behaviors. Therefore, it is possible to obtain the MIS diode having excellent rectifing behavior using diamond thin film usable under high temperature, high radition, nuclear reactor, bad enviromental condition and etc.

목차 (Table of Contents)

• 요약
  
• Abstract
  
• 1. 서론
  
• 2. 실험방법
  
• 3. 결과 및 고찰
  
• 4. 결론
  
• 참고문헌