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이 학술지의 논문 검색
Miniaturization degree of dynamic MOS RAM cells with readout signal gain
Tsuchiya, T.; Nakajima, S. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 1982 p.1713-1717
Selective lifetime doping in silicon by laser scanning
Parker, D.L.; ; ; ; Porter, W.A. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 1982 p.1718-1722
White noise of MOS transistors operating in weak inversion
Reimbold, G.; Gentil, P. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 1982 p.1722-1725
A process simulation model for multilayer structures involving polycrystalline silicon
Mei, L.; Dutton, R.W. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 1982 p.1726-1734
An analytical breakdown model for short-channel MOSFET's
; ; ; ; Muller, R.S. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 1982 p.1735-1740
Correlation between substrate and gate currents in MOSFET's
Tam, S.; ; ; Muller, R.S. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 1982 p.1740-1744
Mitani, E.; Okamoto, Y. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 1982 p.1745-1748
A simple model for short-channel effects of a buried-channel MOSFET on the buried insulator
Omura, Y. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 1982 p.1749-1755
Dependence of normally-off GaAs JFET performance on device structure
Kato, Y.; Dohsen, M.; Kasahara, J.; Taira, K.; Arai, M.; Watanabe, N. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 1982 p.1755-1760
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