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DC and microwave characteristics of sub-0.1- mu m gate-length planar-doped pseudomorphic HEMTs
Chao, P. C., et al. IEEE 1989 p.461-473
E-beam direct wafer writing process using a water-soluble conductive layer
Watanabe, H. and Y. Todokoro IEEE 1989 p.474-478
A CMOS-integrated 'ISFET-operational amplifier' chemical sensor employing differential sensing
Wong, H. S. and M. H. White IEEE 1989 p.479-487
Increased junction breakdown voltages in silicon-on-insulator diodes
Chen, H. S., et al. IEEE 1989 p.488-492
Two-dimensional simulation and measurement of high-performance MOSFETs made on a very thin SOI film
Yoshimi, M., et al. IEEE 1989 p.493-503
Study of injection effects on BSF silicon solar cells
Cid, M. and J. M. Ruiz IEEE 1989 p.507-513
High-performance poly-Si TFTs with ECR-plasma hydrogen passivation
Unagami, T. and T. Takeshita IEEE 1989 p.529-533
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