암전류를 줄이기 위해서 사용한 wide-bandgap 반도체 덮개층이 금속-반도체-금속 광검출기(MSMPD)의 검출 효율 감소에 미치는 영향을 정량적으로 분석하기 위하여 MSMPD내부 이종접합 경계면에서...
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1998
Korean
505.000
학술저널
377-391(15쪽)
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암전류를 줄이기 위해서 사용한 wide-bandgap 반도체 덮개층이 금속-반도체-금속 광검출기(MSMPD)의 검출 효율 감소에 미치는 영향을 정량적으로 분석하기 위하여 MSMPD내부 이종접합 경계면에서...
암전류를 줄이기 위해서 사용한 wide-bandgap 반도체 덮개층이 금속-반도체-금속 광검출기(MSMPD)의 검출 효율 감소에 미치는 영향을 정량적으로 분석하기 위하여 MSMPD내부 이종접합 경계면에서의 캐리어 포획 현상을 연구하였다. 이종접합 경계면에서의 전위 우물을 infinite Airy well로 가정하고 양자역학적인 면을 고려하여 우물내에서 수치 해석적 반복법을 이용해서 Schrodinger 방정식과 Poisson 방정식의 self-consistent 해를 구하였다. AlGaAs 덮개층에 의해 이종접합 경계면에서 많은 캐리어가 포획됨을 알 수 있었다. 경사층에 대해서는 고려하지 않았는데, 실험 결과에 의하면 경사층을 사용함으로써 이종접합 경계면에서의 캐리어 포획량을 감소시켜서 검출 효율을 증대시킬수 있다.
목차 (Table of Contents)
고주파 전기 저항 용접법에서의 용접입열의 자동 제어 변수 고찰
MeV이온주입을 사용하여 Buried Layer를 포함한 CMOS Retrograde Well 제조시 발생하는 격자 결함에 관한 연구