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      알루미나 기판상에 형성된 타이타늄 박막의 특성연구 = Properties of Titanium Thin Films on Alumina Substrate

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      Ti films were deposited onto 100×100 ㎜ alumina substrates using dc magnetron sputtering under the following conditions; substrate temperature of R.T.∼400 ℃, annealing temperature of 100∼400 ℃ and sputtering gas pressure of 1.3∼3.0×10^-2...

      Ti films were deposited onto 100×100 ㎜ alumina substrates using dc magnetron sputtering under the following conditions; substrate temperature of R.T.∼400 ℃, annealing temperature of 100∼400 ℃ and sputtering gas pressure of 1.3∼3.0×10^-2 Torr. And the film were examined by X-ray diffraction analysis (XRD), scanning electron microscopy(SEM) and 4-point measurement system. The best electrical and structural properties obtained by substrate temperature of ∼200 ℃, target-substrate distance of ∼14 ㎝ and sputtering pressure of 1.3∼1.7×10^-2 Torr. Also at that condition the most excellent adhesion was observed.

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