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Determining the impact of statistical fluctuations on resist line edge roughness
Leunissen, L. H.; Ercken, M.; Patsis, G. P. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2005 p.2-10
Focused ion beam lithography for two dimensional array structures for photonic applications
Cabrini, S.; Carpentiero, A.; Kumar, R.; Businaro, L.; Candeloro, P.; Prasciolu, M.; Gosparini, A.; Andreani, C.; De Vittorio, M.; Stomeo, T. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2005 p.11-15
Critical dimension adapted alignment for EBDW
Weidenmueller, U.; Hahmann, P.; Pain, L.; Jurdit, M.; Henry, D.; Laplanche, Y.; Manakli, S.; Todeschini, J. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2005 p.16-21
A new and simple probe-based method for preventing charging in focused-ion-beam micro-sampling
Fukuda, M.; Tomimatsu, S.; Shichi, H.; Umemura, K. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2005 p.22-28
Gas-assisted etching of niobium with focused ion beam
Fu, X. L.; Li, P. G.; Jin, A. Z.; Chen, L. M.; Yang, H. F.; Li, L. H.; Tang, W. H.; Cui, Z. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2005 p.29-33
New method to correct eddy current in magnetic focusing-deflection system
Liu, Z.; Gu, W. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2005 p.34-38
The mechanism of the ion beam inhibited etching formation in Gallium-FIB implanted resist films
Arshak, K.; Mihov, M.; Nakahara, S.; Arshak, A.; McDonagh, D. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2005 p.39-46
UVIII for combined e-beam and optical exposure hybrid lithography
Yasin, S.; Khalid, M. N.; Zhang, Y.; Hasko, D. G. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2005 p.47-50
Steingr??ber, R.; M??hrle, M. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2005 p.51-54
Arrayed microcolumn operation with a wafer-scale Einzel lens
Kim, H. S.; Kim, D. W.; Ahn, S.; Kim, Y. C.; Cho, J.; Choi, S. K.; Kim, D. Y. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2005 p.55-61
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