63Sn-37Pb 공정솔더의 electromigration 현상을 용이하게 관찰하기 위해 63Sn-37Pb 공정솔 더를 증착하여 스트립 형태의 시편을 제작 후 electromigration 테스트를 실시하였다. $80{\sim}150^{\circ}C$의 온도 및 ...
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임승현 ; 최재훈 ; 오태성 ; Lim Seung-Hyun ; Choi Jae-Hoon ; Oh Tae-Sung
2004
Korean
KCI등재
학술저널
53-58(6쪽)
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63Sn-37Pb 공정솔더의 electromigration 현상을 용이하게 관찰하기 위해 63Sn-37Pb 공정솔 더를 증착하여 스트립 형태의 시편을 제작 후 electromigration 테스트를 실시하였다. $80{\sim}150^{\circ}C$의 온도 및 ...
63Sn-37Pb 공정솔더의 electromigration 현상을 용이하게 관찰하기 위해 63Sn-37Pb 공정솔 더를 증착하여 스트립 형태의 시편을 제작 후 electromigration 테스트를 실시하였다. $80{\sim}150^{\circ}C$의 온도 및 $1{\times}10^4{\sim}1{\times}10^5\;A/cm^2$의 전류밀도에서 electromigration 테스트시 스트립 형상의 63Sn-37Pb 솔더 합금에서 hillock과 void의 발생이 관찰되었으며, 온도와 전류밀도가 높아질수록 void의 형성이 빨라져서 평균파괴시간이 단축되었다. 평균파괴시간을 이용하여 Black의 식으로부터 구한 63Sn-37Pb 솔더 스트립의 electromigration에 대한 활성화 에너지는 $0.16{\sim}0.5\;eV$이었다.
다국어 초록 (Multilingual Abstract)
To facilitate the observation of the electromigration of 63Sn-37Pb eutectic solder, strip-type samples were fabricated by solder evaporation. The electromigration test for the 63Sn-37Pb solder strip was conducted at temperatures of $80{\sim}150^{\circ...
To facilitate the observation of the electromigration of 63Sn-37Pb eutectic solder, strip-type samples were fabricated by solder evaporation. The electromigration test for the 63Sn-37Pb solder strip was conducted at temperatures of $80{\sim}150^{\circ}C$ and the current densities of $1{\times}10^4{\sim}1{\times}10^5\;A/cm^2$. With increasing temperature and the current density, mean-time-to-failure(MTTF) decreased due to the formation of hillock and void in the solder strip. The activation energy for the electromigration in the 63Sn-37Pb solder strip was analyzed as $0.16{\sim}0.5\;eV$ using Black's equation.
참고문헌 (Reference)
1 "Mean-time-to-failure Study of Flip Chip Solder Joints on Cu/Ni(V)/Al Thin-film Under-bump-metallization" 94 (94): 5665-, 2003
2 "International Technology Roadmap for Semiconductors 1999 ED" Semiconductor Industry Association 2000
3 "Interface Diffusion in Eutectic Pb-Sn Solder" 47 (47): 5-, 1999
4 "High-Speed Digital Design" Prentice Hall PTR prentice hall ptr : 37-, 1993
5 "Electromigration in Sn-Pb Solder Strips as a Function of Alloy Composition" 88 (88): 5703-, 2000
6 "Electro-migration of Eutectic SnPb Solder Interconnects for Flip Chip Technology" 89 (89): 3189-, 2001
7 "Electomigration in Eutectic SnPb Solder lines" 89 (89): 4332-, 2001
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2 "International Technology Roadmap for Semiconductors 1999 ED" Semiconductor Industry Association 2000
3 "Interface Diffusion in Eutectic Pb-Sn Solder" 47 (47): 5-, 1999
4 "High-Speed Digital Design" Prentice Hall PTR prentice hall ptr : 37-, 1993
5 "Electromigration in Sn-Pb Solder Strips as a Function of Alloy Composition" 88 (88): 5703-, 2000
6 "Electro-migration of Eutectic SnPb Solder Interconnects for Flip Chip Technology" 89 (89): 3189-, 2001
7 "Electomigration in Eutectic SnPb Solder lines" 89 (89): 4332-, 2001
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학술지 이력
연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
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2022 | 평가예정 | 계속평가 신청대상 (계속평가) | |
2021-12-01 | 평가 | 등재후보로 하락 (재인증) | |
2018-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | |
2015-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | |
2011-06-28 | 학술지명변경 | 한글명 : 마이크전자 및 패키징학회지 -> 마이크로전자 및 패키징학회지외국어명 : The Microelectronics and Packaging Society -> Jornal of the Microelectronics and Packaging Society | |
2011-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | |
2009-01-01 | 평가 | 등재 1차 FAIL (등재유지) | |
2007-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | |
2004-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | |
2003-01-01 | 평가 | 등재후보 1차 PASS (등재후보1차) | |
2001-07-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) |
학술지 인용정보
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
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2016 | 0.48 | 0.48 | 0.43 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.39 | 0.35 | 0.299 | 0.35 |