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      63Sn-37Pb 솔더 스트립에서의 Electromigration 거동 = Electromigration Behavior in the 63Sn-37Pb Solder Strip

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      https://www.riss.kr/link?id=A101204961

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      국문 초록 (Abstract)

      63Sn-37Pb 공정솔더의 electromigration 현상을 용이하게 관찰하기 위해 63Sn-37Pb 공정솔 더를 증착하여 스트립 형태의 시편을 제작 후 electromigration 테스트를 실시하였다. $80{\sim}150^{\circ}C$의 온도 및 ...

      63Sn-37Pb 공정솔더의 electromigration 현상을 용이하게 관찰하기 위해 63Sn-37Pb 공정솔 더를 증착하여 스트립 형태의 시편을 제작 후 electromigration 테스트를 실시하였다. $80{\sim}150^{\circ}C$의 온도 및 $1{\times}10^4{\sim}1{\times}10^5\;A/cm^2$의 전류밀도에서 electromigration 테스트시 스트립 형상의 63Sn-37Pb 솔더 합금에서 hillock과 void의 발생이 관찰되었으며, 온도와 전류밀도가 높아질수록 void의 형성이 빨라져서 평균파괴시간이 단축되었다. 평균파괴시간을 이용하여 Black의 식으로부터 구한 63Sn-37Pb 솔더 스트립의 electromigration에 대한 활성화 에너지는 $0.16{\sim}0.5\;eV$이었다.

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      다국어 초록 (Multilingual Abstract)

      To facilitate the observation of the electromigration of 63Sn-37Pb eutectic solder, strip-type samples were fabricated by solder evaporation. The electromigration test for the 63Sn-37Pb solder strip was conducted at temperatures of $80{\sim}150^{\circ...

      To facilitate the observation of the electromigration of 63Sn-37Pb eutectic solder, strip-type samples were fabricated by solder evaporation. The electromigration test for the 63Sn-37Pb solder strip was conducted at temperatures of $80{\sim}150^{\circ}C$ and the current densities of $1{\times}10^4{\sim}1{\times}10^5\;A/cm^2$. With increasing temperature and the current density, mean-time-to-failure(MTTF) decreased due to the formation of hillock and void in the solder strip. The activation energy for the electromigration in the 63Sn-37Pb solder strip was analyzed as $0.16{\sim}0.5\;eV$ using Black's equation.

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      참고문헌 (Reference)

      1 "Mean-time-to-failure Study of Flip Chip Solder Joints on Cu/Ni(V)/Al Thin-film Under-bump-metallization" 94 (94): 5665-, 2003

      2 "International Technology Roadmap for Semiconductors 1999 ED" Semiconductor Industry Association 2000

      3 "Interface Diffusion in Eutectic Pb-Sn Solder" 47 (47): 5-, 1999

      4 "High-Speed Digital Design" Prentice Hall PTR prentice hall ptr : 37-, 1993

      5 "Electromigration in Sn-Pb Solder Strips as a Function of Alloy Composition" 88 (88): 5703-, 2000

      6 "Electro-migration of Eutectic SnPb Solder Interconnects for Flip Chip Technology" 89 (89): 3189-, 2001

      7 "Electomigration in Eutectic SnPb Solder lines" 89 (89): 4332-, 2001

      1 "Mean-time-to-failure Study of Flip Chip Solder Joints on Cu/Ni(V)/Al Thin-film Under-bump-metallization" 94 (94): 5665-, 2003

      2 "International Technology Roadmap for Semiconductors 1999 ED" Semiconductor Industry Association 2000

      3 "Interface Diffusion in Eutectic Pb-Sn Solder" 47 (47): 5-, 1999

      4 "High-Speed Digital Design" Prentice Hall PTR prentice hall ptr : 37-, 1993

      5 "Electromigration in Sn-Pb Solder Strips as a Function of Alloy Composition" 88 (88): 5703-, 2000

      6 "Electro-migration of Eutectic SnPb Solder Interconnects for Flip Chip Technology" 89 (89): 3189-, 2001

      7 "Electomigration in Eutectic SnPb Solder lines" 89 (89): 4332-, 2001

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      2018-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2015-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2011-06-28 학술지명변경 한글명 : 마이크전자 및 패키징학회지 -> 마이크로전자 및 패키징학회지
      외국어명 : The Microelectronics and Packaging Society -> Jornal of the Microelectronics and Packaging Society
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      2011-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2009-01-01 평가 등재 1차 FAIL (등재유지) KCI등재
      2007-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2004-01-01 평가 등재학술지 선정 (등재후보2차) KCI등재
      2003-01-01 평가 등재후보 1차 PASS (등재후보1차) KCI등재후보
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      학술지 인용정보

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      기준연도 WOS-KCI 통합IF(2년) KCIF(2년) KCIF(3년)
      2016 0.48 0.48 0.43
      KCIF(4년) KCIF(5년) 중심성지수(3년) 즉시성지수
      0.39 0.35 0.299 0.35
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