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3C-SiC: New Interest for MEMS Devices
Michaud, J.F.; Portail, M.; Chassagne, T.; Zielinski, M.; Alquier, D. Transtec Publications; 1999 2014 p.3-10
Strain Evaluation and Fracture Properties of Hetero-Epitaxial Single Crystal 3C-SiC Squared Membrane
Anzalone, R.; D Arrigo, G.; Camarda, M.; Piluso, N.; La Via, F. Transtec Publications; 1999 2014 p.11-14
Buffer Layer Optimization for the Growth of State of the Art 3C-SiC/Si
Bosi, M.; Attolini, G.; Negri, M.; Frigeri, C.; Buffagni, E.; Ferrari, C.; Rimoldi, T.; Cristofolini, L.; Aversa, L.; Tatti, R. Transtec Publications; 1999 2014 p.15-20
Analysis on 3C-SiC Layer Grown on Pseudomorphic-Si/Si~1~-~xGe~x
Piluso, N.; Camarda, M.; Anzalone, R.; Severino, A.; Scalese, S.; La Via, F. Transtec Publications; 1999 2014 p.21-26
Analysis on 3C-SiC Layer Grown on Pseudomorphic-Si/Si~1~-~xGe~x/Si(001) Heterostructures
Piluso, N.; Camarda, M.; Anzalone, R.; Severino, A.; Scalese, S.; La Via, F. Pfaffikon; Trans Tech Publications Ltd 2014 p.21-26
Ge Assisted 3C-SiC Nucleation and Growth by Vapour Phase Epitaxy on On-Axis 4H-SiC Substrate
Alassaad, K.; Souliere, V.; Vivona, M.; Giannazzo, F.; Roccaforte, F.; Ferro, G. Transtec Publications; 1999 2014 p.27-32
Heteroepitaxy of P-Doped 3C-SiC on Diamond by VLS Transport
Vo-Ha, A.; Rebaud, M.; Lazar, M.; Tallaire, A.; Souliere, V.; Ferro, G.; Carole, D. Transtec Publications; 1999 2014 p.33-38
SiC NWs Grown on Silicon Substrate Using Fe as Catalyst
Lagonegro, P.; Bosi, M.; Attolini, G.; Negri, M.; Dhanabalan, S.C.; Rossi, F.; Boschi, F.; Lupo, P.P.; Besagni, T.; Salviati, G. Transtec Publications; 1999 2014 p.39-44
Investigation of Aluminum Incorporation in 4H-SiC Epitaxial Layers
Arvinte, R.; Zielinski, M.; Chassagne, T.; Portail, M.; Michon, A.; Kwasnicki, P.; Juillaguet, S.; Peyre, H. Transtec Publications; 1999 2014 p.45-50
Raman Investigation of Heavily Al Doped 4H-SiC Layers Grown by CVD
Kwasnicki, P.; Arvinte, R.; Peyre, H.; Zielinski, M.; Konczewicz, L.; Contreras, S.; Camassel, J.; Juillaguet, S. Transtec Publications; 1999 2014 p.51-56
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