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이 학술지의 논문 검색
Quality Aspects for the Production of SiC Bulk Crystals
Straubinger, T. L.; Rasp, M.; Schmitt, E.; Weber, A. D. Transtec Publications; 1999 2007 p.3-8
An Inserted Epitaxial Layer for SiC Single Crystal Growth by the Physical Vapor Transport Method
Seo, J. D.; An, J. H.; Kim, J. G.; Kim, J. K.; Kyun, M. O.; Lee, W. J.; Kim, I. S.; Shin, B. C.; Ku, K. R. Transtec Publications; 1999 2007 p.9-12
Growth and Characterization of ^1^3C Enriched 4H-SiC for Fundamental Materials Studies
Jang, Y. S.; Sakwe, S. A.; Wellmann, P. J.; Juillaguet, S.; Peyre, H.; Camassel, J.; Steeds, J. W. Transtec Publications; 1999 2007 p.13-16
Growth and Characterization of High-Quality 6H-SiC (0115) Bulk Crystals
Filip, O.; Epelbaum, B. M.; Bickermann, M.; Winnacker, A. Transtec Publications; 1999 2007 p.17-20
Growth Induced Stacking Fault Formation in 4H-SiC
Siche, D.; Albrecht, M.; Rost, H. J.; Sendzik, A. Transtec Publications; 1999 2007 p.21-24
Hydrogen Effect on SiC Single Crystal Prepared by the Physical Vapor Transport Method
Kim, J. G.; An, J. H.; Seo, J. D.; Kim, J. K.; Kyun, M. O.; Lee, W. J.; Kim, I. S.; Shin, B. C.; Ku, K. R. Transtec Publications; 1999 2007 p.25-28
Effect of Growth Conditions on Cubic Silicon Carbide Crystals Grown from Silicon Solution
Eid, J.; Santailler, J. L.; Ferrand, B.; Rolland, G.; Burdin, M.; Lewandowska, R.; Camassel, J. Transtec Publications; 1999 2007 p.29-34
Growth and Electrical Characterization of 4H-SiC Epilayers
Kimoto, T.; Danno, K.; Hori, T.; Matsunami, H. Transtec Publications; 1999 2007 p.35-40
Growth of SiC from a Liquid Phase at Low Temperature
Ferro, G.; Soueidan, M.; Kim-Hak, O.; Cauwet, F.; Monteil, Y. Transtec Publications; 1999 2007 p.41-46
Thick Epilayer for Power Devices
Henry, A.; Hassan, J.; Pedersen, H.; Beyer, F.; Bergman, J. P.; Andersson, S.; Janzen, E.; Godignon, P. Transtec Publications; 1999 2007 p.47-52
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