Ferromagnetic amorphous Ni₁?Fe?₂Si?B₁₄ and Co<SUB>70.5</SUB>Fe<SUB>4.5</SUB>Si₁?B₁? layers have been devised and incorporated as free layers of magnetic tunnel junctions (MTJs) to improve MRAM reading and writing pe...
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2006
Korean
428
KCI등재,ESCI
학술저널
186-191(6쪽)
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Ferromagnetic amorphous Ni₁?Fe?₂Si?B₁₄ and Co<SUB>70.5</SUB>Fe<SUB>4.5</SUB>Si₁?B₁? layers have been devised and incorporated as free layers of magnetic tunnel junctions (MTJs) to improve MRAM reading and writing pe...
Ferromagnetic amorphous Ni₁?Fe?₂Si?B₁₄ and Co<SUB>70.5</SUB>Fe<SUB>4.5</SUB>Si₁?B₁? layers have been devised and incorporated as free layers of magnetic tunnel junctions (MTJs) to improve MRAM reading and writing performance. The NiFeSiB and CoFeSiB single-layer film exhibited a lower saturation magnetization (M<SUB>s</SUB> = 800 emu/㎤, and 560 emu/㎤, respectively) compared to that of a Co??Fe₁?0 (M<SUB>s</SUB> = 1400 emu/㎤). Because amorphous ferromagnetic materials have lower M<SUB>s</SUB> than crystalline ones, the MTJs incorporating amorphous ferromagnetic materials offer lower switching field (H<SUB>sw</SUB>) values than that of the traditional CoFe-based MTJ. The double-barrier MTJ with an amorphous NiFeSiB free layer offered smooth surface resulting in low bias voltage dependence, and high V<SUB>h</SUB> and V<SUB>bd</SUB> compared with the values of the traditional CoFe-based MTJ.
참고문헌 (Reference)
1 "World wide memory forecast IQ04 update'" 2004
2 "World wide DRAM forecast and analysis 2003-2007" 2003
3 "Semiconductor market forecast'" 2003
4 "Magnetic Memory : An analysis and forecast of the market for MRAM'" 2005
5 "Magnetic Memory : An analysis and forecast of the market for MRAM" 2005
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2 "World wide DRAM forecast and analysis 2003-2007" 2003
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5 "Magnetic Memory : An analysis and forecast of the market for MRAM" 2005
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학술지 이력
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학술지 인용정보
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
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2016 | 0.13 | 0.13 | 0.11 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.11 | 0.12 | 0.299 | 0.05 |