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      Effect of nitridation on the orientation of GaN layer grown on m-sapphire substrates using hydride vapor phase epitaxy

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      https://www.riss.kr/link?id=A105324196

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      This study reports the effect of nitridation on the orientation of GaN layers grown on m-plane sapphire (Al2O3) substrates by hydride vapor phase epitaxy (HVPE). Non-polar (10-10) GaN layers were grown on m-sapphire without nitridation. With increasin...

      This study reports the effect of nitridation on the orientation of GaN layers grown on m-plane sapphire (Al2O3) substrates by hydride vapor phase epitaxy (HVPE). Non-polar (10-10) GaN layers were grown on m-sapphire without nitridation. With increasing nitridation time, the crystallographic phases of the GaN layer changed from non-polar to semi-polar (11-22) through mixed phases of (10-1-3) and (11-22). The phase change with nitridation was attributed to the formation of the nanosized AlN protrusions with slanted facets. This was confirmed by X-ray photoelectron spectroscopy and atomic force microscopy.

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      참고문헌 (Reference)

      1 F. A. Ponce, 406 : 865-868, 1997

      2 A. Usikov, 6 : 1295-, 2010

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      8 J. C. Jeong, 370 : 114-, 2013

      9 R. R. Vanfleet, 83 : 1139-, 2003

      10 T. Tanikawa, 5 : 2966-, 2008

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      2 A. Usikov, 6 : 1295-, 2010

      3 J. S. Im, 57 : 9435-, 1998

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      5 D. H. Lee, 49 : 058001-, 2010

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