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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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      삼층감광막구조를 이용한 미세패턴의 전자빔 묘화 = Submicron Patterning in Electron Beam Lithography using Trilayer Resist

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      다국어 초록 (Multilingual Abstract)

      The PMMA/Ge/AZ trilayer resist decreased proximity effect of backscattering electrons and corrected pattern distoration in order to from deep submicron patterns. In the experiment, the prosiemity effect is decreased by 11% and 30% for the case of 0.9...

      The PMMA/Ge/AZ trilayer resist decreased proximity effect of backscattering electrons and corrected pattern distoration in order to from deep submicron patterns. In the experiment, the prosiemity effect is decreased by 11% and 30% for the case of 0.9$\mu$m and 1.7$\mu$m AZ, respectively, in trilayer resist compared to monolyer resist. also, the EID of 240$\AA$ Ge film is smaller than that of 500$\AA$ film by 365. 0.1$\mu$m line/space was formed in the 2000$\AA$ PMMA layer with the condition of dose 330${\mu}C/cm^{2}$ and of 150sec of develop time in MIBK : IPA (1:3) developer.

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