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    ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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    § ※ ☆ ★ ○ ● ◎ ◇ ◆ □ ■ △ ▽ → ← ↑ ↓ ↔ 〓 ◁ ◀ ▷ ▶ ♤ ♠ ♡ ♥ ♧ ♣ ⊙ ◈ ▣ ◐ ◑ ▒ ▤ ▥ ▨ ▧ ▦ ▩ ♨ ☏ ☎ ☜ ☞ † ‡ ↕ ↗ ↙ ↖ ↘ ♭ ♩ ♪ ♬ ㉿ ㈜ № ㏇ ™ ㏂ ㏘ ℡ ＃ ＆ ＊ ＠ ª º
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    단결정 Gallium-Nitride 박막의 성장을 위한 MOCVD 및 MBE 방법의 재고 = Method of MOCVD and MBE to grow single crystal pellicle with Gallium-Nitride

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    GaN has been synthesized by means of metal organic chemical vapor deposition(MOCVD) and molecular beam epitaxy(MBE) where the ammonia is decomposed by a microwave discharge. And then the resulting atomic nitrogen reacts with Ga from the trimethyl Ga decomposed on the sapphire substrate. Hydrogen can leach the nitrogen out of the depositing GaN. also over the substrate is obtained with N₂ than with H₂.
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    GaN has been synthesized by means of metal organic chemical vapor deposition(MOCVD) and molecular beam epitaxy(MBE) where the ammonia is decomposed by a microwave discharge. And then the resulting atomic nitrogen reacts with Ga from the trimethyl Ga d...

    GaN has been synthesized by means of metal organic chemical vapor deposition(MOCVD) and molecular beam epitaxy(MBE) where the ammonia is decomposed by a microwave discharge. And then the resulting atomic nitrogen reacts with Ga from the trimethyl Ga decomposed on the sapphire substrate. Hydrogen can leach the nitrogen out of the depositing GaN. also over the substrate is obtained with N₂ than with H₂.

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