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Stopping of 5-100 keV helium in tantalum, niobium, tungsten, and AISI 316L steel
Haussalo, P. ELSEVIER 1996 p.1-6
Electronic stopping power of hydrogen beams traversing oxygen
Olivera, G. H. ELSEVIER 1996 p.7-11
Range parameters study of medium-heavy ions implanted into GaAs
Herberts, M. R. ELSEVIER 1996 p.12-16
Measured stopping cross sections for helium in a-Si~xC~1~-~x:H compounds near their maximum values
Leblanc, L. ELSEVIER 1996 p.17-21
Measurement of L X-ray intensity ratios in tantalum by proton and Si-ion impact
Braich, J. S. ELSEVIER 1996 p.22-26
Edens, J. ELSEVIER 1996 p.27-30
Transmission sputtering under diatomic molecule bombardment. Model calculations
Bitensky, I. S. ELSEVIER 1996 p.31-40
Xia, Y. ELSEVIER 1996 p.41-50
Diffusion study of Kr, Rb and Xe implanted into positive and negative photoresist films
Kaschny, J. R. ELSEVIER 1996 p.51-58
Nitrogen ion implantation into the amorphous C-N films prepared with ion beam assisted deposition
Su, X. W. ELSEVIER 1996 p.59-62
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