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Lee, J. S. ELSEVIER 2000 p.303-307
Tsujikawa, T. ELSEVIER 2000 p.308-316
GaAs nanocrystals fabricated by sequential ion implantation: structural and luminescence properties
Kanemitsu, Y. ELSEVIER 2000 p.322-325
Quantum dots formed by activated spinodal decomposition of InGa(Al)As alloy on InAs stressors
Maximov, M. V. ELSEVIER 2000 p.326-330
Novel nano-scale site-controlled InAs quantum dot assisted by scanning tunneling microscope probe
Nakamura, H. ELSEVIER 2000 p.331-336
Shiraishi, K. ELSEVIER 2000 p.337-341
Carrier capture and intra-dot Auger relaxation in quantum dots
Ferreira, R. ELSEVIER 2000 p.342-345
Effects of electron-hole correlation in quantum dots under high magnetic field (up to 45 T)
Cingolani, R. ELSEVIER 2000 p.346-349
Eigenstate symmetry probed by biexciton transitions in a single quantum dot
Weigand, R. ELSEVIER 2000 p.350-353
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