Si(111)7×7 위에 Mg를 흡착시켜 표면구조의 변화를 RHEED(Reflection High Energy Electron Diffraction)와 XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy)를 이용하여 연구하였다. RT~200℃까지의 기판온도에서 증착량의 증가에 ...
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1993
Korean
KCI우수등재,SCOPUS,ESCI
학술저널
399-403(5쪽)
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Si(111)7×7 위에 Mg를 흡착시켜 표면구조의 변화를 RHEED(Reflection High Energy Electron Diffraction)와 XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy)를 이용하여 연구하였다. RT~200℃까지의 기판온도에서 증착량의 증가에 ...
Si(111)7×7 위에 Mg를 흡착시켜 표면구조의 변화를 RHEED(Reflection High Energy Electron Diffraction)와 XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy)를 이용하여 연구하였다. RT~200℃까지의 기판온도에서 증착량의 증가에 따라 표면구조는(7×7)에서 diffused (1×1) 그리고 (2√3/3×2√3/3-R30°) 구조로 변화하였다. 또한, 기판온도를 증가시킴에 따라 (1×1), three domain (3×1) 등의 구조를 볼 수 있었고, 특히, 450℃의 기판온도에서는 single domain (3×1) 구조를 최초로 관측하였다. 이렇게 형성된 각 구조에 대한 Mg KLL과 Si2p의 XPS peak intensity ratio를 증착량의 증가에 따라 측정하여 각기 다른 온도에서의 Mg 성장에 대한 메카니즘을 제시하였다.
다국어 초록 (Multilingual Abstract)
Changes of the Si(111)7×7 surface structure upon Mg adsorption have been studied by RHEED (Reflection High Energy Electron Diffraction) and XPS (X-ray Photoelectron Spectrocopy). The RHEED pattern of Si(111)7×7 is changed to the diffused (1×1) an...
Changes of the Si(111)7×7 surface structure upon Mg adsorption have been studied by RHEED (Reflection High Energy Electron Diffraction) and XPS (X-ray Photoelectron Spectrocopy). The RHEED pattern of Si(111)7×7 is changed to the diffused (1×1) and(2√3/3×2√3/3-R30°) patterns with increasing deposition time of Mg at room temperature. The three domain (3×1) structure appear at the adsorption temperature of 350℃. In particular, we first observed (1×1) and single domain (3×1) structures at adsorption temperature of 300, 450℃, respectively. From these results and measuring Mg KLL/Si2p XPS peak intensity ratio, we would expect that the relative coverages of Mg on Mg-induced (3×1) and (1×1) structure are to be 1/3 and 1 ML, respectively.
목차 (Table of Contents)
The Effects of Defect Sites on the Dissociation of NO on Pt(111) Surface
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