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      • 순환 중복 검사를 이용한 SPI-NOR flash의 데이터 복구 방법에 대한 연구

        최병윤 연세대학교 공학대학원 2020 국내석사

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        Embedded and IoT devices generally store and use necessary data using NAND flash or NOR flash. In the case of NAND flash, data errors are frequent, so it is complemented by various methods. However, in the case of NOR flash, it has relatively little damage but because it has less storage capacity, it is used to record small amounts of data, such as used for bootloader images. Since NOR flash data has been reported in the actual field, a recovery method has been devised to solve this problem. As an error detection method, error detection was performed using a cyclic redundancy check, and data recovery was attempted by applying a retransmission technique when an error was found after a cyclic redundancy check between network data transmission and reception. In addition, during the recovery process, data read and write are managed by dividing them in block units to recover only the part where the error occurred. This was intended to reduce operational inconvenience by minimizing the time required for recovery. As a result of applying this, it was confirmed that recovery did not occur between 700 experiments, and it took about 85% less time to recover with the optimal block size compared to the time required to recover 2.5MB of all data. This paper aims to propose a recovery method for flash without a recovery method through a hardware technique. I hope that this paper will help reduce the cost and user inconvenience of replacing devices due to data corruption. 임베디드(Embedded) 및 사물인터넷(Internet of things) 기기들은 일반적으로 NAND 플래시 또는 NOR 플래시를 사용하여 필요한 데이터를 저장하여 사용하고 있다. NAND 플래시의 경우 데이터의 오류가 많이 발생하여 다양한 방법을 통해서 보완하고 있다. 하지만 NOR 플래시의 경우 비교적 손상이 적은 편이나, 저장할 수 있는 용량이 적어 그로 인해 부트로더 이미지를 위해서 사용하는 등 소용량 데이터를 기록하는 데 사용한다. 이러한 NOR 플래시의 데이터가 실제 현장에서 오류가 발생하는 경우가 보고되고 있어 이를 해결하기 위해 오류를 검출 및 복구하는 방법에 대해서 연구하였다. 오류 검출 방법으로써, 순환 중복 검사를 사용하여 오류 검출을 진행하였고, 네트워크 데이터 송·수신 간 순환 중복 검사 후 오류 발견 시 재전송하는 기법을 적용하여 데이터 복구를 시도하였다. 또한, 복구 과정 중 데이터 읽기, 쓰기를 블록 단위로 나누어서 관리하도록 하여, 오류가 발생한 부분만을 복구하도록 하였다. 이는 복구에 걸리는 시간을 최소로 하여 운영에 불편을 줄이고자 하였다. 700회의 실험을 수행한 결과 복구가 실패되는 경우는 발생하지 않았고, 2.5MB 전체 데이터를 복구하는데 걸리는 시간 대비 최적의 블록 크기로 복구 시 약 85% 시간이 적게 걸리는 것을 확인하였다. 본 논문은 하드웨어적인 기법을 통해서 복구하는 방법이 없는 플래시에 대해서 복구하는 방법을 제안하고자 하였다. 이 논문을 통해서 데이터 손상으로 인한 기기 교체를 통한 비용 및 사용자 불편 사항을 줄이고자 한다.

      • 다결정 실리콘 TFT에서 triangular voltage sweep 측정 방법을 통한 실리콘 산화막 내 활성화 mobile ion의 거동 해석 및 정량화 분석

        이용기 연세대학교 공학대학원 2016 국내석사

        RANK : 249631

        In mobile display products of the LCD (Liquid Crystal Display) field, as the high resolution products with more than 300ppi (Pixel Per Inch) has been developed, the importance of the device characteristics driving the display is growing more and more. In particular, LTPS (low temperature polycrystalline silicon) using polycrystalline silicon has more steps of fabrication process than amorphous silicon TFT does. Also, the performance of LTPS is a key to quality of the product. That’s why the experts in this field have been focusing on the change of the device characteristics. Many experts insist that both bulk characteristics of gate insulator (SiO2) and interface characteristics between polycrystalline silicon to gate insulator affect the reliability and the initial characteristics called threshold voltage(VTH). This thesis analyzes how the alkaline mobile ions in the silicon oxide layer such as Na+, K+, Li+ and so on is activated. Moreover, the quantity of the mobile ion current with TVS (Triangular Voltage Sweep) method is measured. TVS measurement is one of the current measurement technique at over 250°C and static equilibrium condition that is quasi equilibrium state. This technique is that the voltage and time is controlled in an electric field with the triangular voltage waveform. At that time, it is very important to keep the high temperature in order to get good results. Generally known, the mobile ion current show current peak near 0V where the direction of voltage is changed. Also, the density and concentration of the mobile ions per unit area can be calculated by integrating the dimension of the current peak. This thesis examined current-voltage characteristics and current peak near 0V like prior research in the MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) structure with the TVS technique. Also, the mobile ion charge quantity of about 1011 ~ 1012 ions/cm2 was calculated. the mobile ion peak is affected by applied ramp rate and temperature. In order to improve reliability of measured results, it is necessary to keep the optimal condition of ramp rate, temperature and a minimum of a current leakage. Also, in the mobile ion measurement, few measurement errors and high performance resolution should be maintained. So, it is necessary to have optimum measurement condition up to increase the measurement reliability, In the result of this examination, the mobile ion density per unit area is related to the device reliability of △VTH that is PBTS (Positive Bias Temperature Stress). So, it is found the increase of △VTH influences the increase of the mobile ion concentration Through this paper, the result of the experiment, which is performed for mobile ion of LTPS with TVS method, is interpreted. Also, both the application and improvement to the LTPS backplane are considered in this paper. LCD(Liquid Crystal Display) 분야의 모바일 디스플레이 제품에서 점차 400ppi 이상의 초 고 해상도 모델 개발이 진행됨에 따라 디스플레이를 구동하게 하는 소자 특성의 중요성이 커지고 있다. 특히 다결정 실리콘(Polycrystalline Silicon)을 사용하는 LTPS(Low Temperature Poly Silicon)는 비정질 실리콘(Amorphous Silicon) TFT(Thin Film Transistor) 대비 공정 process가 많기 때문에 소자 특성에 영향을 주는 요인이 많다. 또한 LTPS에서 소자 특성이 제품 품질의 양/불을 결정하는 경우가 많기 때문에 LTPS의 소자 특성 변동에 대한 관심 및 연구가 더 많아지게 되었다. 특히 게이트 절연막인 실리콘 산화막(SiO2)과 다결정 실리콘과의 계면 특성 및 게이트 절연 막 특성은 소자의 초기 특성 및 신뢰성 특성에 영향을 주는 것으로 많은 전문가들의 의견이 있었다. 본 논문은 실리콘 산화막 내에 존재하는 알칼리성의 mobile ion(Na+, K+, Li+ 등)이 어떤 조건에서 활성화가 되며 mobile ion 전류의 이동량 측정을 통한 정량화를 TVS(Triangular Voltage Sweep)측정 법으로 분석 및 해석하였다. TVS 측정 방법은 고온(250℃ 이상)의 조건에서 준-정적 평형 상태(Quasi-Equilibrium State)가 되게 하여 삼각 전압 파형(Triangular Voltage)을 시간과 전압에 따른 ramp rate으로 sweep함으로써 전류를 측정하는 방식이다. 일반적으로 알려진 바에 따르면 mobile ion은 전압의 극성이 바뀌는 0V 근방에서 전류 peak를 나타내며 전류 peak의 면적을 산출하여 mobile ion 밀도 및 단위 면적 당 mobile ion 농도를 구할 수 있다. 본 논문에서는 MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) capacitor 구조에서 TVS 방법을 이용한 전류-전압 특성을 측정하였으며 기존 문헌과 같이 0V 근방에서 전류 peak을 측정한 결과 약 1011 ~ 1012 ions/cm2의 mobile ion 양을 구하였다. mobile ion peak는 인가하는 ramp rate 및 온도에 따라 영향을 받는다. 그리고 측정값의 신뢰성을 확보하기 위해서는 시간과 전압 및 온도에 대한 최적 조건의 확보가 필요하며 계측 기의 leakage를 최소화하기 위한 조건 확보도 중요하다. 왜냐하면 검출력이 뛰어나도 장비 내의 leakage가 크게 되면 측정 값의 신뢰성이 낮아지기 때문이다. 측정 결과 단위 면적 당 mobile ion 농도는 소자 신뢰성 특성인 PBTS(Positive Bias Temperature Stress)의 △VTH 특성과 상관관계를 보였으며 PBTS의 △VTH가 증가함에 따라 단위 면적 당 mobile ion 농도도 증가함을 확인하였다. 따라서 본 논문을 통하여 최종적으로 LTPS 구조에서 mobile ion을 TVS 방법을 통한 측정 및 측정 결과에 대한 해석과 활용 방향성에 대하여 고찰을 하고자 한다.

      • 패럴랙스 배리어 방식 무안경 3D 디스플레이의 시야 범위 개선을 위한 공백 기술 도출 연구

        김세주 연세대학교 공학대학원 2011 국내석사

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        무안경 방식의 3D 디스플레이 개발에 대한 기대와 관심이 급증하면서, 무안경 방식의 시야 범위를 개선하기 위한 다양한 연구가 진행되고 있다. 본 논문은 2D 디스플레이와 변환이 용이한 패럴랙스 배리어 방식의 시야 범위를 개선하기 위한 방법에 관한 기술들을 비교 고찰하고, 공백 기술을 도출한다. 본 논문에서는 패럴랙스 배리어 방식에서 시야 범위를 개선하기 위한 기술들을 i) 시점 추적형, ii) 배리어 이동 또는 변형, iii) 영상 정보 이동 또는 광원 입력의 제어, iv) 초다시점 제공으로 각각 분류하고, 분류된 기술들을 a) 다인 시청 가능성, b) 관찰 자유도, c) 화질(해상도, 휘도, 크로스토크), d) 정보 처리량의 관점에서 평가하여 ii) 분류 기술을 유망한 기술로 선정하였다. ii) 분류 기술에서 제안되지 않았거나 제안 빈도가 적은 기술 내용을 파악하여 세가지 공백기술로 (1) 3층 이상의 액정을 적층한 배리어 구동 방식, (2) R, G, B 구획 없이 화소를 사용하는 기술, (3) 영상과 배리어의 동시 이동 방법을 제안하였다. 본 논문에서 도출된 공백 기술은 연구 기술의 방향을 제안할 뿐 아니라, 현재 연구 중인 시야 범위 개선 방법 등에도 확장 적용이 가능할 것이다.

      • 인터페이스를 매개로 한 S/W문서 산출물과 소스 코드와의 의미 동기화에 대한 연구

        유영석 연세대학교 공학대학원 2005 국내석사

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        SW Engineering has improved continously based on suggestion of the diverse solution and removal of the past mistakes for conquest of software crisis. Also SW Engineering has been spreaded out the many approaches for the objectives of Software Quality and Productivity and the main theme of these is Reusability, Traceability and Independency. This thesis is going to search software qualities based on theme of traceability.To improve the traceability of software, This thesis will suggest “aTthe rational mapping method between the request analysis, design document and the source codes”, and show the synchronization of the document and the sourse code. For this thesis, we will need the software development architectures and will decide utilizing CBD(Component Based Architecture) methodology. Also this thesis will use keyword of “Interface”that is the most important factir in CBD. By this interface, we will present the systematical mapping rules between the document and the source code and will show the method for improvement of software traceability. SW공학은 SW위기를 극복하기 위한 다양한 해결책을 제시하며 과거의 오류를 제거하고 새로운 가능성을 식별하고자 하는 노력을 통해 지속적으로 발전하고 있다. 마치 백신과 바이러스의 관계처럼 SW위기와 이를 해결하기 위한 공학적인 대처 방안은 늘 치열하게 상호 대립하고 있다. SW공학은 SW품질과 생산성의 향상이라는 목표를 위해 다양한 접근방안을 가지고 전개되어 왔는데 대표적인 영역은 재활용,추적성, 독립성등으로 파악할 수 있으며 본 연구에서는 이중에서 추적성이라는 주제를 통해 SW품질을 향상시킬 수 있는 단서를 찾고자 한다.SW산출물과 소스코드를 동기화한다는 것은 SW개발과정의 특정한 시점을 기준으로 그 이전 혹은 이후단계를 추적하고 비동기적인 부분을 식별,복원하는 작업을 의미한다. 따라서 동기화의 목적은 SW개발 전체 공정상에 발생하는 모든 절차와 산물을 추적하는데 있어서 효과적인 도구를 제공하는 데 있다. 문서산출물과 소스코드의 동기화는 바로 이러한 추적성 향상 영역이며 현재도 UML(unified Modeling Lang- uage)를 기반으로 하는 SW정형화 명세정립, MDA(Model Driven Architecture)등의 보다 이상적인 ‘요구사항과 원시코드와의 Automated Mapping를 비롯하여 거대한 사전정보를 통한 원시코드의 역공학적 도구(IBM의 Rational Rose), UCM(UseCaseMap)등 적지 않은 연구가 발표되고 있다. 하지만 대부분의 개발방법이 그렇듯이 개발환경에 너무 민감하여 제대로 활용되지 못하는 상황이 비일비재하고 또한 문서 추적성에 대한 접근이 너무 관리절차 위주로 진행 되다보니 현실과의 괴리로 인해 Best Practice를 만들어 나가기가 쉽지않은 것으로 보여진다. 그러나 추적성이라는 주제는, SW 사후관리가 상당한 고비용 구조를 가진다는 사실과 시스템구축의 투자 비용보다 이후 운영비용의 비중이 점차적으로 증가하고 있는 시장 경향을 비추어볼 때 매우 중요하고 연구가치가 있는 영역으로 볼 수 있을 것이다. 추적체계를 갖춘 시스템은 사후에 발생되는 문제에 대해 역추적의 근거를 제공하여 문제해결에 필요한 비용과 시간을 절감시킬 수 있기 때문이다.본 연구는 SW 품질 및 생산성 향상을 목표로 하는 다양한 SW공학적 접근방향 中 SW 추적성 향상이라는 주제를 가지고 전개할 것이며 설계물과 원시 코드간의 합리적인 매핑 방법의 제시를 통해 문서 산출물과 원시 코드와의 동기화 보장 및 SW의 추적성 강화를 도모하 고자 한다. 본 연구를 위해서는 기본적인 SW개발아키텍쳐가 필요한데 이를 위해 현재 가장 활발하게 연구중인 CBD 기반 개발방법 및 관련 아키텍쳐를 사용하기로 하며 CBD개발 방법의 가장 중요한 Factor인 인터페이스를 키워드로 하여 설계산출물과 이를 반영하는 소스 코드가 체계적으로 Mapping되고 이를 통해 SW 프로세스 개발(순방향 추적) 및SW유지보수(역방향 추적)를 유도함을 연구의 목표로 하고자 한다.

      • 인산화 화합물을 이용한 청색 유기발광다이오드의 광 방출 향상에 관한 연구

        조은상 연세대학교 공학대학원 2016 국내석사

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        With the advent of information society there has been rapid advances in the field of display. Recently there has been a dramatic improvement in Organic Light Emitting Diode(OLED) with enhanced portability and visibility. However, the major problem with the Organic Light Emitting Diode is blue luminescence. This study conducted the experiment where Phosphine oxide derivatives were applied to electron transporting layer for the improvement of blue luminescence. To be specific, using UV/VIS Spectroscopy, Photoluminescence and Cyclic voltammetry, the characteristics of Phosphine oxide derivatives were measured and fabricated devices, the characteristics of luminescence and voltage - current were examined and analyzed. The structure of devices are fabricated by ITO / HAT-CN(5nm) / NPB(75nm) / TBPe:ADN(25nm, 5%) / BPhen(25nm) / LiF(1nm) / Al(100nm). The comparison test was conducted using P20 ([1,1'-biphenyl]-4,4'-diylbis(diphenylphosphine oxide)) instead of BPhen (4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline). As a result, the driving voltage of BPhen device was 4.1 volt, but that of P20 device was 6.2 volt at 10mA/cm2. However, with regard to luminescence efficiency, on the basis of 10mA/cm2, BPhen device was 3.9 cd/A, but P20 device was 4.3 cd/A. In this experiment, luminescence of P20 was found better than that of BPhen. Based on this idea, the study dealt with the new structure of a device, which was composed of ITO / HAT-CN(5nm) / NPB(75nm) / TBPe:ADN(25nm, 5%) / P20(5nm) + BPhen(20nm) / LiF(1nm) / Al(100nm). In this study, it was found that the device had good performances in terms of driving voltage, luminescence efficiency, power efficiency and quantum efficiency. The driving voltages of P20+BPhen and BPhen were 3.9 volt and 3.7 volt respectively. Luminescence efficiencies of P20+BPhen and BPhen were 8.1 cd/A and 5.5 cd/A respectively, which showed the luminescence efficiency improved by about 48%. Also power efficiencies of P20+BPhen and BPhen were 6.9 lm/W and 4.4 lm/W respectively, which showed the power efficiency improved by about 53%. 정보화 사회의 도래와 함께 디스플레이 분야의 발전도 비약적으로 이어져 왔다. 최근 휴대성과 야외시인성 등이 뛰어난 유기발광다이오드 (Organic Light Emitting Diode)의 성장이 가파르게 진행되고 있다. 하지만 유기발광다이오드가 가진 가장 큰 문제점은 청색발광에 있다. 본 논문에서는 청색발광을 개선하고자 전자이동도가 우수한 인산화 화합물(Phosphine Oxide Derivatives)을 전자수송층(Electron Transporting Layer)에 적용해보는 실험을 진행하였다. 자외선-가시광선 분광법(UV/VIS Spectroscopy)과 광발광 분석법(PL, Photoluminescence), 순환 전압전류법(Cyclic Voltammetry) 등을 사용하여 인산화 화합물 물질의 특성을 파악하였고 소자를 제작하여 발광 및 전압 전류 특성 등을 측정하여 분석하였다. 발광 소자의 구조는 ITO / HAT-CN(5nm) / NPB(75nm) / TBPe:ADN(25nm, 5%) / BPhen(25nm) / LiF(1nm) / Al(100nm) 로 이루어져 있다. 이 구조에 BPhen(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline) 물질 대신 인산화 화합물인 P20([1,1'-biphenyl]-4,4'-diylbis(diphenylphosphine oxide)) 물질을 사용하여 비교테스트를 진행하였다. 그 결과 BPhen 물질 소자의 구동전압은 10mA/cm2 기준으로 4.1 volt 임에 반에 P20 물질 소자는 6.2 volt 로 전압이 높았다. 하지만 발광효율에서 BPhen 물질소자는 10mA/cm2 기준으로 3.9 cd/A 임에 반에 P20 물질 소자는 4.3 cd/A 로 더 뛰어난 발광을 확인하였다. 이 부분에 착안하여 새로운 소자구조를 제안하였다. 그 소자구조는 ITO / HAT-CN(5nm) / NPB(75nm) / TBPe:ADN(25nm, 5%) / P20(5nm) + BPhen(20nm) / LiF(1nm) / Al(100nm) 이다. 이렇게 소자를 제작하였더니 소자의 구동전압, 발광효율, 전력효율, 양자효율 전부분에서 뛰어난 성능을 나타내었다. 구동전압은 인산화 화합물(P20)이 없는 소자가 10mA/cm2 기준으로 3.9 volt 이고 있는 소자가 3.7 volt 으로 개선되었다. 또한 발광효율은 5.5 cd/A 에서 8.1 cd/A 로 약 48% 정도 개선되었다. 전력효율 역시 10mA/cm2 기준으로 BPhen 단독 소자가 4.4 lm/W, P20+BPhen 소자가 6.9 lm/W로 약 53% 정도 향상되었다.

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