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김태엽(Taeyoub Kim),정인성(Insung Jung),신용태(Yongtae Shin) 한국정보과학회 1997 한국정보과학회 학술발표논문집 Vol.24 No.1A
인터넷의 발전은, 비록 역사는 짧지만, 빠르게 인류의 많은 부분들을 변화, 발전시켰다. 인터넷은 불과 몇 년 사이에 가장 많은 정보를 제공하는 매체들 중에 하나로 발돋음하게 되었다. 그러나, 정보의 양의 무한한 증가는 사용자들로 하여금 많은 시간과 돈을 낭비하게 하였다. 이러한 상황은 정보 제공 시스템(Information Broadcasting System)을 탄생시켰으며, 본 논문에서는 기존의 정보 제공 매체의 특징들과 인터넷과 컴퓨터라는 매체의 특징을 이용하여 새로운 정보 제공 시스템을 소개하고 나서 설계 및 구현을 한다.
확률적 퍼지 룰 기반 학습에 의한 개인화된 미디어 제어 방법
이형욱(Hyong-Euk Lee),김용휘(Yong-Hwi Kim),이태엽(Taeyoub Lee),박광현(Kwang-Hyun Park),김용수(Yong-Soo Kim),조준면(Joonmyun Cho),변증남(Z. Zenn Bien) 한국지능시스템학회 2007 한국지능시스템학회논문지 Vol.17 No.2
사용자 의도 파악(intention reading) 기술은 스마트 홈과 같은 복잡한 유비쿼터스(ubiquitous) 환경에서 사용자에게 보다 편리하고 개인화된(personalized) 서비스 제공이 가능하도록 해준다. 또한 학습 기능(learning capability)은 지식 발견(knowledge discovery)의 관점에서 의도 파악 기술의 핵심 요소 기술의 하나로 자리 매김 하고 있다. 이 논문에서는 스마트 홈(smart home) 환경에서 제공 가능한 개인화된 서비스 중의 하나로, 개인화된 미디어 제어 방법에 대한 내용을 다룬다. 특히, 사람의 행동 패턴과 같은 데이터는 패턴 분류의 관점에서 구분해야 할 클래스(class)에 비해 입력 정보가 불충분한 경우가 많아서 비일관적인(inconsistent) 데이터가 많으므로, 퍼지 논리(fuzzy logic)와 확률 (probability)의 개념을 효과적으로 병행해야 의미 있는 지식을 추출해 낼 수 있다. 이를 위하여 반복 퍼지 지도 클러스터링(IFCS; Iterative Fuzzy Clustering with Supervision) 알고리즘에 기반하여 주어진 데이터 패턴으로부터 확률적 퍼지 룰(probabilistic fuzzy rule)을 얻어 내는 방법에 대해 설명한다. 또한 이를 이용한 다양한 학습 제어 구조를 바탕으로 개인화된 미디어 서비스를 추천해 줄 수 있는 방법에 대해서 설명하도록 하고, 실험 결과를 통해 제안된 시스템의 효용성을 보이도록 한다. Intention reading technique is essential to provide personalized services toward more convenient and human-friendly services in complex ubiquitous environment such as a smart home. If a system has knowledge about an user's intention of his/her behavioral pattern, the system can provide more qualified and satisfactory services automatically in advance to the user's explicit command. In this sense, learning capability is considered as a key function for the intention reading technique in view of knowledge discovery. In this paper, we introduce a personalized media control method for a possible application in a smart home. Note that data pattern such as human behavior contains lots of inconsistent data due to limitation of feature extraction and insufficiently available features, where separable data groups are intermingled with inseparable data groups. To deal with such a data pattern, we introduce an effective engineering approach with the combination of fuzzy logic and probabilistic reasoning. The proposed learning system, which is based on IFCS (Iterative Fuzzy Clustering with Supervision) algorithm, extract probabilistic fuzzy rules effectively from the given numerical training data pattern. Furthermore, an extended architectural design methodology of the learning system incorporating with the IFCS algorithm are introduced. Finally, experimental results of the media contents recommendation system are given to show the effectiveness of the proposed system.
Schottky Barrier MOSFETs with High Current Drivability for Nano-regime Applications
Moongyu Jang,Yarkyeon Kim,Myungsim Jun,Cheljong Choi,Taeyoub Kim,Byoungchul Park,Seongjae Lee 대한전자공학회 2006 Journal of semiconductor technology and science Vol.6 No.1
Various sizes of erbium/platinum silicided n/p-type Schottky barrier metal-oxide-semiconductor field effect transistors (SB-MOSFETs) are manufactured from 20μm to 10nm. The manufactured SB-MOSFETs show excellent DIBL and subthreshold swing characteristics due to the existence of Schottky barrier between source and channel. It is found that the minimization of trap density between silicide and silicon interface and the reduction of the underlap resistance are the key factors for the improvement of short channel characteristics. The manufactured 10 nm n-type SBMOSFET showed 550μA/um saturation current at VGS-VT = VDS = 2V condition (Tox = 5nm) with excellent short channel characteristics, which is the highest current level compared with reported data.
Characteristics of n-Type SB-MOSFETs Manufactured by Using a Metal-Gate & a High-K Dielectric
Byoungchul Park,장문규,최철종,이희덕,Myungsim Jun,이성재,Taeyoub Kim,Yarkyeon Kim 한국물리학회 2007 THE JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY Vol.50 No.3
We demonstrated n-type Schottky-barrier metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (SB-MOSFETs) by using a low-temperature oxide dummy gate process to effectively form a high-k metal-gate structure. First, a MOS capacitor made a 5-nm-thick high-K dielectric with a tungsten electrode was fabricated. The equivalent oxide thickness and the flat-band voltage extracted by using a quantum-mechanical capacitance-voltage analysis were 1.69 nm and --0.15 V, respectively. A 2 $\mu$m-gate-length n-type SB-MOSFETs with a source and a drain of erbium silicide showed a high on/off-current ratio of about 10$^5$ at a drain voltage of 1 V. The subthreshold swing and the saturation current were 81 mV/dec and 100 $\mu$A/$\mu$m, respectively.