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      • 부하분산 및 결함허용을 제공하는 CORBA 기반 원격 회의 시스템 설계

        성재철,임주혁,장우혁,조찬윤,최항묵 인제대학교 1999 仁濟論叢 Vol.15 No.1

        인터넷 및 통신 기술의 발달에 따라 원격 회의 시스템이나 원격 교육, 가상 대학과 같은 응용에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 이와 판은 시스템에 기존의 중앙 집중 방식을 사용할 경우에는 서버측의 부하가 모두 집중되어 전체 시스템에 영향을 미치게 될 수 있으므로 분산 시스템을 이용한 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 논문에서는 이미지나 텍스트-파일과 같은 자료를 필요로 하는 원격 회의 시스템을 설계하고 Factory 객체와 관계형 통합 데이터 베이스를 이용하여 동적 부하 분산과 동적 결함 허용을 제공하는 시스템을 제안한다. As the technigues of the Interned and Communication are developed, the study about its applications such as Remote Conference system, Remote Education and Cyber University are lively progressing. When the centralized method is applied to those kinds of system mentioned above, the load is mostly occurred in the server side anaitcauas bad effect to the whole system. So the Study about an application such as Remote Conference system, Remote Education and Cyber University is considering using the distributed system. In this paper I would like design a Remote Conference System is soogetled, which needs sub data like images, text files and givers dynamic load balance and dynamic fault tolerance using Factory object and Relational Integrated Data Base.

      • 자궁경부암 병기판정 기초검사시 새로운 보조방법으로서 고주파 질식 초음파의 가치

        유희석,이은주,장기홍,권혁찬,양정인,김행수,오기석 아주대학교 의과학연구소 1996 아주의학 Vol.1 No.1

        To investigate the efficacy of endoluminal ultrasound system (EUS) as a surrogate for high frequency transvaginal ultrasonography and as an optional baseline study in determining parameirial and stromal invasion of early stage cervical cancer, 52 women suspected of cervical cancer underwent EUS. A 12 MHz endoscopic probe was employed to radially scan the cervix for possible lesions suspected to be invasive cancer during a period of 6 months from Feb. 1 to July 1, 1995. Patients also underwent magnetic resonance imaging (MRI) and/or computerized tomography (CT) as a routine mode of baseline study, and were clinically staged by 3 independent physicians specializing in Obstetrics and Gynecology at the Department of Obstetrics and Gynecology, School of Medicine, Ajou University, Suwon, Korea. Thirty one patients subsequently received surgery appropriate for the stage of the disease and the final pathology findings were compared with the results of clinical staging, EUS, MRI/CT by regression analysis. The results showed that there was statistically significant correlation between MRI/CT and pathology (r=0.660, p<0.02), between EUS and pathology (r=0.803, p<0.01), and between clinical staging and pathology (r=0.825, p<0.01). It is concluded that there was significant statistical correlation t>etween EUS, MRI/CT, clinical staging and pathology, but the question remained as to the statistical superiority of EUS over MRI/CT with regard to parametrial invasion and stromal invasion depth assessment. Finally, EUS is useful as an alternative optional diagnostic tool in the baseline study of cervical cancer.

      • 화력발전소 유래 바이오차(WPC)의 토양 내 납 안정화 효과

        윤혁진(Hyuck-Jin Yoon),박병준(Byung-Jun Park),이찬규(Chan-Gyu Lee),정석순(Seok-Soon Jeong),김연호(Yeon-Ho Kim),남성현(Sung-Hyeon Nam),김혁수(Hyuck-Soo Kim) 한국토양비료학회 2021 한국토양비료학회 학술발표회 초록집 Vol.2021 No.11

        바이오차는 많은 공극과 넓은 표면적을 가지며, pH가 높은 특성을 띄는 물질로 그동안 다양한 바이오차를 이용해 토양 중금속 안정화 연구가 진행되었다. 하지만 바이오차 생산에는 많은 에너지가 요구되기 때문에 상용화에 어려움이 있었다. 최근 화력발전소에서 목재펠릿 연소 후 대량으로 바이오차가 (Wood Pellet Biochar; WPC)가 발생하고 있으며, 본 연구는 이들 바이오차를 이용한 토양 중 납(Pb) 안정화 효율을 평가하고자 수행하였다. 본 연구에서는 WPC를 납 오염토양에 각각 1, 3, 5 %(w/w)의 비율로 처리하여 상추 재배 실험을 진행하였으며, 납 안정화 효율을 비교하고자 왕겨 바이오차(Rice Hull Biochar; RHC)를 동일한 비율로 처리하였다. 상추는 25±1℃로 유지되는 생장상에서 30일간 재배하였으며, 재배 후 토양은 1M NH₄NO₃로 추출하여 ICP-OES를 이용해 식물 유효태 Pb 함량을 분석하였다. 상추는 질산으로 분해한 후 Pb 함량을 측정하였다. 상추 재배 후 토양의 식물 유효태 Pb 함량은 무처리구(CON) 대비 WPC 5% 처리구 토양에서 85% 감소하는 것으로 나타났으며(Fig.1), 이는 바이오차 처리에 의한 토양 pH 상승과 유의한 관계가 있는 것으로 나타났다. 바이오차 처리에 의한 토양 중 식물유효태 Pb 함량 감소는 상추의 Pb 함량에 직접적인 영향을 미쳤다. 무처리구 토양에서 재배한 상추의 Pb 함량은 63.5 mg kg<SUP>-1</SUP>으로 WPC의 처리량에 따라 60.9%까지 유의하게 감소하는 경향을 보였으며, RHC 처리 토양에서는 최대 31.3% 감소하여 WPC의 중금속 안정화 효과가 더 큰 것으로 나타났다. 결과적으로 화력발전소에서 대량 발생하는 바이오차는 농경지 중금속 오염 토양에 효율적으로 활용될 수 있을 것으로 판단된다. 〈수식 본문참조〉

      • N-type doping of germanium epilayer on silicon by ex-situ phosphorus diffusion based on POCl<sub>3</sub> phosphosilicate glass

        Park, Chan-Hyuck,Pan, Han,Ishikawa, Yasuhiko,Wada, Kazumi,Ahn, Donghwan Elsevier 2018 THIN SOLID FILMS - Vol.662 No.-

        <P><B>Abstract</B></P> <P>We report an ex-situ phosphorus diffusion doping for germanium integrated photonic devices on silicon chip. Here, phosphorus oxychloride (POCl<SUB>3</SUB>)-based phosphosilicate glass is chosen for n-type diffusion. As an alternative process to the in-situ P doping during Ge epitaxy so far reported for Ge laser prototyping, the presented external P-diffusion method demonstrates photoluminescence (PL) emission enhancement of Ge-on-Si. The PL enhancement, along with the P secondary ion mass spectroscopy profile in Ge, clearly indicates that our ex-situ diffusion method to form n-type Ge has a significant potential for Ge active device fabrication as an enabling technology. It should be also noted that PL quenching is observed at high temperature diffusion processes which is induced by intermixing at the Ge and Si interface. The presented ex-situ P-diffusion process can serve as a template to monolithically integrate Ge devices such as not only light sources but modulators and photodetectors on Si complementary metal-oxde-semiconductor platform, as it may tailor device-specific pn junctions.</P> <P><B>Highlights</B></P> <P> <UL> <LI> An ex-situ P diffusion to Ge epilayer on Si using POCl<SUB>3</SUB>-PSG is proposed. </LI> <LI> P diffusion enhanced photoluminescence (PL) emission of Ge film on Si. </LI> <LI> In contrast, PL is quenched after above-800 °C processes due to Si-Ge intermixing. </LI> <LI> Anomalously fast P diffusion through Si capping layer on Ge is observed. </LI> </UL> </P>

      • 북방지역 토양 비옥도에 따른 옥수수 수확량 예측

        이찬규(Chan-Gyu Lee),박병준(Byung-Jun Park),윤혁진(Hyuck-Jin Yoon),김연호(Yeon-Ho Kim),김민선(Min-Seon Kim),강연성(Yeon-Sung Kang),김혁수(Hyuck-Soo Kim) 한국토양비료학회 2021 한국토양비료학회 학술발표회 초록집 Vol.2021 No.11

        현재 북방(북한) 지역의 낮은 토양비옥도는 식량난 해결에 있어 어려움을 주는 요인 중 하나이다. 지속가능한 농업을 이어나가기 위해서는 무분별한 비료의 과잉 투여가 아닌, 토양이 요구하는 양을 적절히 시비할 수 있도록 관리 방안이 제시되어야 한다. 본 연구는 북방지역의 비옥도가 낮은 토양을 관리하여 식량난을 해결할 수 있는 방안을 도출하고자, 토양비옥도와 작물(옥수수) 생산성 간의 상관관계를 밝히고자 수행하였다. 이를 위해 북한과 인접한 철원에 위치한 농경지(밭) 토양을 대상으로 무기질 비료와 유기자원(퇴비)을 다양한 비율로 토양에 처리하였고, 옥수수 파종 후 16주간 처리구별 토양 분석 및 생육 조사를 진행하였다. 토양 특성과 옥수수 이삭(가식부) 수량 간 비교 평가를 수행하였고, 토양 내 유효인산(Avail.-P₂O<SUB>5</SUB>)과 치환성 칼륨(Exch.-K)함량이 옥수수 가식부 수량 간 회귀분석을 통해 높은 상관성을 보이는 것으로 나타났다. 결과적으로 대상 지역에서 재배된 옥수수 이삭 수량과 회귀분석 식을 통해 예측한 수량을 비교한 결과 높은 상관성을 가지는 것으로 나타나 (Fig.1), 옥수수 수량 증대를 위한 방안으로 토양의 유효인산 및 치환성 칼륨 함량에 대해 우선적인 관리가 필요한 것으로 나타났다.

      • SCISCIESCOPUS

        High concentration phosphorus doping in Ge for CMOS-integrated laser applications

        Park, Chan-Hyuck,Yako, Motoki,Wada, Kazumi,Ishikawa, Yasuhiko,Ahn, Donghwan Elsevier 2019 Solid-state electronics Vol.154 No.-

        <P><B>Abstract</B></P> <P>Germanium is a promising material for the laser that can be monolithically integrated on Si complementary metal-oxide-semiconductor platform and has emission wavelength of 1550 nm for optical interconnect. To obtain significant optical gain, it is necessary to achieve high n-type doping concentration level, while avoiding the damage to Ge crystalline quality. In this paper, we report an ex-situ phosphorus diffusion doping of Ge film, based on low-temperature phosphosilicate glass (PSG) pre-deposition process such as spin-on-glass and sub-atmospheric chemical vapor deposition (SACVD) methods. Closely related to optical gain properties of Ge for Ge-on-Si laser application, the photoluminescence characteristics of Ge epitaxial film after P diffusion doping were investigated. In particular, SACVD-processed PSG deposited directly on Ge film without any Si capping layer successfully led to high phosphorus doping concentration of ∼10<SUP>19</SUP> cm<SUP>−3</SUP> deep inside Ge and dramatically enhanced photoluminescence intensity by more than 10 times compared to intrinsic Ge film. By using the SACVD-PSG based P doping process, we developed an inverted-rib Ge waveguide structure for more effective optical gain. In the inverted-rib Ge structure, the mode will be positioned upward and stay relatively away from the Ge-Si interface where many dislocations are located and, as a result, we can expect less optical loss due to scattering and the overall higher mode gain. As a very promising preliminary result, from optical-pumping of the inverted-rib Ge, a threshold-like behavior starting at 18 kW/cm<SUP>2</SUP> and amplified spontaneous emission around 1570 nm were demonstrated.</P> <P><B>Highlights</B></P> <P> <UL> <LI> Ex-situ P diffusion to Ge with phosphosilicate glass (PSG) source was investigated. </LI> <LI> Sub-atmospheric CVD (SACVD)-based PSG and spin-on-dielectric process were compared. </LI> <LI> Photoluminescence (PL) from Ge increased most, when SACVD but no Si capping used. </LI> <LI> A novel, inverted-rib Ge waveguide structure is proposed for a low-threshold laser. </LI> <LI> Light emission threshold at lower optical pumping than prior reports was observed. </LI> </UL> </P>

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