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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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      저자 : Belusky (검색결과 1 건)
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        Sub-lattice polarization states in anti-ferroelectrics and their relaxation process

        M.M. Vopson,X. Tan,E. Namvar,M. Belusky,S.P. Thompson,V. Kuncser,F. Plazaola,I. Unzueta,C.C. Tang 한국물리학회 2019 Current Applied Physics Vol.19 No.4

        We report studies of quasi-remanent polarization states in Pb0.99Nb0.02[(Zr0.57Sn0.43)0.94Ti0.06]0.98O3 (PNZST) anti-ferroelectric ceramics and investigation of their relaxation effects using unique in-situ electrically activated time-resolved Synchrotron X-ray powder diffraction (SXPD) and 119Sn Mössbauer Spectroscopy (MS). The SXPD patterns are consistent with a phase transition from quasi-tetragonal perovskite in 0 V relaxed anti-ferroelectric state to rhombohedral distortion in ferroelectric state under saturating applied voltages of±2 kV. The observed quasi-remanent polarization relaxation processes are due to the fact that tetragonal to rhombohedral distortion does not occur at the applied voltage required to access the quasi-remanent polarization states, and the tetragonal symmetry restored after the removal of the applied electric field is preserved. Since these quasi-remanent polarization states were seen as possibly suitable for memory applications, the implications of this study are that anti-ferroelectrics are more feasible for multi-state dynamic random access memories (DRAM), while their application to non-volatile memories requires development of more sophisticated “read-out” protocols, possibly involving dc electrical biasing.

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