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ZAGOZDZON-WOSIK, W., RUSAKOVA, I., DARNE, C., ZHAN Blackwell Publishing Ltd 2006 Journal of Microscopy Vol.223 No.3
Formation of Shallow Junctions during Rapid Thermal Processing from Electron-Beam Deposited Boron Sources
Zagozdzon-Wosik, W. unknown 1996 Journal of the Electrochemical Society Vol.143 No.9
Device and Material Issues Related to Integration of Junctions with Contacts in Deep 0.1 mum MOSEFETs
Zagozdzon-Wosik, W.,Shao, L.,Menon, M.,Arroyo-Cast IEEE 2001 INTERNATIONAL CONFERENCE ON THE ADVANCED THERMAL P Vol.9 No.-
Formation of contacts to shallow junctions using titanium silicide with diffusion barriers
Zagozdzon-Wosik, W. ELSEVIER 1998 MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING Vol.1 No.3-4
Formation of shallow junctions during rapid thermal processing from electron-beam deposited boron
Zagozdzon-Wosik, W Princeton Microfilm Corp 1996 Journal of the Electrochemical Society Vol.143 No.9
Investigation of Proximity RTD for Submicron Junctions in VLSI Si Devices
Zagozdzon-Wosik, W. MATERIALS RESEARCH SOCIETY 1993 Materials Research Society Symposium Proceedings Vol.303 No.-
Doping of p-Type shallow Junctions Using Electron Beam Evaporation of Boron Layers for Compatibility with Complementary-Metal0Oxide-Semiconductor Technology
Zagozdzon-Wosik, W.,Pan, D.,Davis, M.F. American Institute of Physics 1995 Applied Physics Letters Vol.66 No.1
Fabrication of Submicron Junctions - Proximity Rapid Thermal Diffusion of Phosphorus, Boron, and Arsenic
Zagozdzon-Wosik, W. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 1994 IEEE transactions on electron devices Vol.41 No.12
Physical mechanisms of bandgap-narrowing in silicon
W. Zagozdzon-Wosik , W. Kuzmicz [Institution of Electrical Engineers] 1983 Electronics Letters Vol.19 No.14
Dielectrophoresis and Comsol Simulation of Cell Entrapment At Electrodes
Padmaraj, D., Zagozdzon-Wosik, W., Pande, R., Mill Boca Raton, Fl; CRC Press 2009 NANOTECH Vol.1 No.-
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