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- 저자 : Jungna Heo(허정나) (검색결과 2 건)
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Emission Stability of Semiconductor Nanowires
SeGi Yu(유세기),Taewon Jeong(정태원),Sang Hyun Lee(이상현),Jungna Heo(허정나),Jeonghee Lee(이정희),Cheol Jin Lee(이철진),Jinyoung Kim(김진영),HyungSook Lee(이형숙),YoonPil Kuk(국윤필),J.M. Kim(김종민) 한국진공학회(ASCT) 2006 Applied Science and Convergence Technology Vol.15 No.5
열 화학기상법으로 만든 GaN와 GaP 나노와이어에서 전계 방출과, 산소와 아르곤 분위기에서 안정성에 대해 조사하였다. GaN 나노와이어의 경우 산소 분위기에서 전계 방출이 급격하게 줄었으나, GaP에서는 그렇지 않았다. 두 나노와이어 모두 아르곤 분위기에서는 큰 변화가 없었다. GaP 나노와이어의 외부에 존재하는 산화물 층이 전자 방출 안정성에 크게 기여한 것으로 생각된다. 나노와이어에서 방출된 전자의 에너지 분포를 통해 반도체 나노와이어는 탄소 나노튜브와 그 전계 방출 메카니즘이 다름을 유추할 수 있었다. Field emission of GaN and GaP nanowires, synthesized by thermal chemical vapor deposition, and their emission stabilities under oxygen and argon environments were investigated. The field emission current of GaN nanowires was seriously deteriorated under oxygen environment, while that of GaP was not. Both wires did not show any noticeable change under argon environment. The existence of oxide outer shell layers in the GaP nanowires was proposed to be a main reason for this emission stability behavior. Field emission energy distributions of electrons from these nanowires revealed that field emission mechanism of the semiconductor nanowires were different from that of carbon nanotubes.
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건식 열산화로 성장시킨 SiO₂ 박막의 이차전자 방출 특성
정태원(Taewon Jeong),유세기(SeGi Yu),이정희(Jeonghee Lee),진성환(S.H. Jin),허정나(Jungna Heo),이휘건(Whikun Yi),전동렬(D. Jeon),김종민(J.M. Kim) 한국진공학회(ASCT) 2001 Applied Science and Convergence Technology Vol.10 No.1
열산화시킨 SiO₂ 박막의 두께와 입사 전류의 양에 따라 이차전자 방출 계수를 측정하였다. 930℃에서 열산화시킨 SiO₂ 박막 두께는 5.8㎚, 19㎚, 43㎚, 79㎚, 95㎚, 114㎚였으며 이들의 이차전자의 방출 특성이 박막 두께와 전류량에 따라 변화하는 것을 확인하였다. 박막 두께 43㎚ 이하의 얇은 박막에서는 대체적으로 universal curve의 형태를 따르지만 79㎚ 이상의 두꺼운 박막에서는 이차전자 방출곡선이 최고점이 2개인 형태로 변하며 그 값도 전반적으로 낮아진다. 또 입사시키는 일차전자 전류의 증가에 대해서도 이차전자 방출곡선이 전체적으로 낮아진다. 이 실험에서 측정된 최대 이차전자 방출 계수는 박막 두께 19㎚, 일차 전자 에너지 300eV, 일차 전류 0.97㎂일 때 3.35를 갖는다. 이차전자 방출계수가 최대인 입사에너지에서 전자의 시료내 침투깊이와 탈출깊이와의 관계식을 통하여 박막 두께를 이론적으로 계산하였으며, 실험값과 비교적 일치하는 것을 확인하였다. The secondary electron emission (SEE) yields for the thermally grown SiO₂ thin layers were measured by varying the thickness of the SiO₂ layer and the primary current. SiO₂ thin layers were thermally grown in a furnace at 930℃, whose thickness varied to be 5.8㎚, 19㎚, 43㎚, 79㎚, 95㎚, and 114㎚. When the SiO₂ layers were thinner than 43㎚, it was found that SEE curves followed the universal curve. However, for samples with a SiO₂ layer thicker than 79㎚, the SEE curves exhibited two maxima and the values of SEE yields were reduced. Additionally, as the current of primary electrons increased, the SEE yields were reduced. In this experiment, the maximum value of the SEE yield for SiO₂ layers was obtained to be 3.35 when the thickness of SiO₂ layer was 19㎚, with the primary electron energy 300 eV and the primary electron current 0.97 ㎂. The penetration and escape depth of an electron in the SiO₂ layers were calculated at the primary electron energy for the maximum value of the SEE yield and from these depths, it was calculated that the thickness of the SiO₂ layer.
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