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        NSOM 장치의 제작 및 특성 평가

        이주인(Joo In Lee),A. K. Viswanath,유성규(Sungkyu Yu),신정규(Jung-Gyu Shin),유필원(P. W. Yu) 한국진공학회(ASCT) 1999 Applied Science and Convergence Technology Vol.8 No.4(2)

        Near-field scanning optical microscope(NSOM) 장치를 자체 제작하고 이의 특성을 조사하였다. 탐침과 시료 사이의 거리 조절을 위해 압전 소자와 He-Ne 레이저를 이용하였으며, 100㎚ 이하의 분해능을 얻을 수 있었다. 이 NSOM 장치를 반도체 분광 연구에 활용하여 GaAs/AlGaAs MQWs와 InAs/GaAs QDs 시료에 대한 photoluminescence, photocurrent 및 reflectance 등의 분광 실험을 수행하였다. PL 실험의 경우 첨예한 광섬유의 끝단을 통과하는 광원의 세기가 매우 약하기 때문에 신호 대 잡음비가 매우 낮았으나 photocurrent 실험에서는 신호 대 잡음비가 100배 이상 좋아짐을 알 수 있었다. 따라서 NSOM을 이용, photocurrent를 측정할 경우 10㎚ 이하의 공간 분해능을 얻을 수 있는 가능성을 보여주었다. We made a near-field optical microscope(NSOM) apparatus and evaluated it. To control the distance between a tip and a sample, we used a piezoelectric translator and a He-Ne laser, and consequently obtained the spatial resolution better than 100 ㎚. For the semiconductor spectroscopic applications, we performed photoluminescence and photocurrent experiments on the GaAs/AlGaAs MQWs samples. In the case of PL experiment, we obtained the low signal to noise ratio due to the extremely small power of a light source passing through the nanometric optical fiber tip. However, photocurrent experiment shows a hundred times better signal to noise ratio than that of PL experiment. This suggests that photocurrent experiment using NSOM have the possibility to provide the spatial resolution better than 10 ㎚.

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