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- 저자 : 최수림(Choi su-rim) (검색결과 3 건)
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Gd₂O₂S:Tb 필름 기반의 X선 영상 센서 제작 및 해상력 평가
최수림(Su-Rim Choi),정봉재(Bong-Jae Jung),박형후(Hyong-Hu Park),문종욱(Jong-Wook Moon),박지군(Ji-Koon Park),강상식(Sang-Sik Kang) 대한전자공학회 2015 대한전자공학회 학술대회 Vol.2015 No.6
본 연구에서는 침전법을 이용하여 Gd₂O₂S:Tb 형광체 필름을 제작하여, 형광체 입자 크기와 형광체 필름 두께의 변화에 따른 화질 영향을 Contrast method을 이용하여 평가하였다. 제작된 형광체 필름을 기존 상용화된 CMOS 기반의 센서와 접합하여 획득한 영상을 Rad-icon CMOS 센서에서 획득한 영상을 비교 분석하였다. 그 결과 형광체 입자의 크기가 작을수록, 형광체 필름의 두께가 얇을수록 기존 상용화된 제품에 비해 우수한 MTF 값을 획득할 수 있었다. 입자크기에 따른 MTF 평가에서는 2 lp/mm 공간주파수에서의 MTF 값이 기존 제품의 0.6에 비해, 본 연구에서 제작한 2.5㎛ 형광체 입자의 경우, 0.71로 높게 평가되었다. 또한 형광체 필름 두께에 따른 해상력 평가 결과는 120㎛에서 0.82, 150㎛ 두께에서 0.71 및 210㎛ 두께에서 0.59로 형광체 필름 두께가 증가할수록 MTF 값이 감소하는 것으로 나타났다. 또한 이는 상용화된 Rad-icon CMOS 센서(형광체 두께 150㎛)의 0.6에 비해 본 연구에서 제작한 2.5㎛ 입자크기, 150㎛ 형광체 두께의 형광체 필름에서 0.71 로 다소 높게 측정되었다.
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Blocking layer 적용을 통한 HgI<sub>2</sub> 방사선 변환센서의 신호대 잡음비 향상에 관한 연구
박지군,윤인찬,최수림,윤주선,이영규,강상식,Park, Ji-Koon,Yoon, In-Chan,Choi, Su-Rim,Yoon, Ju-Sun,Lee, Young-Kyu,Kang, Sang-Sik 한국방사선학회 2011 한국방사선학회 논문지 Vol.5 No.2
본 연구에서는 적충 구조를 이용하여 누설전류를 저감 시키는 기술을 적용하여 입자침전법을 이용한 방사선 영상 센서의 변환 물질을 개발하였다. 이는 디지털 방사선 영상 검출기의 두 가지 방식 중 하나인 직접방식에 사용되는 핵심 소자로 기존의 비정질셀레늄(a-Se)을 대체하여 더욱 효율이 높은 후보 물질들이 연구되어지는 가운데 태양전지와 반도체 분야에서 이미 많이 사용되어온 이종접합을 이용해 누설 전류를 저감 시키는데 그 목적이 있다. 본 연구에서 사용되는 입자 침전법 제조방법은 검출 물질 제작이 용이하고 높은 수율과 대면적의 검출기 제작에 적합하나 높은 누설 전류가 의료 영상에 있어서 문제가 되어 오고 있다. 이러한 단점을 보완하기 위해 적충 구조를 이용하여 누설 전류를 저감시킨다면 PIB법을 이용하여 간편하게 향상된 효율의 디지털 방사선 검출기를 제작 할 수 있다고 사료 되어 진다. 본 연구에서는 누설 전류와 민감도에 대한 전기적 신호를 측정하여 제작된 적충 구조의 방사선 검출 물질의 특성 평가가 이루어 졌다. In this study, the basic research verifying possibility of applications as radiology image sensor in Digital Radiography was performed, the radiology image sensor was fabricated using double layer technique tio decrease dark current. High efficiency material in substitution for a-Se have been studied as a direct method of imaging detector in Digital Radiography to decrease dark current by using Hetero junction already used as solar cell, semiconductor. Particle-In-Binder method is used to fabricate radiology image sensor because it has a lot of advantages such as fabrication convenient, high yield, suitability for large area sensor. But high leakage current is one of main problem in PIB method. To make up for the weak points, double layer technique is used, and it is considered that high efficient digital radiation sensor can be fabricated with easy and convenient process. In this study, electrical properties such as leakage current, sensitivity is measured to evaluate double layer radiation sensor material.
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형광체 두께와 입자 크기에 따른 희토류 증감지의 화질 영향 연구
김한솔(Kim han-sol),최수림(Choi su-rim),정봉재(Jung Bong Jae),강상식(Kang sang-sik),박지군(Park ji-koon) 한국방사선학회 2015 한국방사선학회 학술대회 논문집 Vol.2015 No.춘계
본 연구는 기존의 CMOS센서에 적용 가능하도록 침전법을 이용해 Gd2O2S:Tb 형광체필름을 제작하고, 형광체 입자크기와 형광체 필름 두께의 변화에 따른 화질 영향을 Contrast method을 이용하여 MTF값으로 평가하였다. 제작된 필름은 CMOS 센서에 접합하여 CMOS 기반의 X선 검출기를 제작하였다. 이를 이용해 제작한 형광체 필름의 영상을 획득하고 기존 상용화된 Rad-icon CMOS 센서에서 영상을 획득하여 비교 분석하였다. 그 결과 형광체의 particle size가 작을수록, 형광체 필름의 두께가 얇을수록 기존 상용화된 제품에 비해 높은 MTF 값을 획득할 수 있었다. 입자크기에 따른 MTF 평가에서는 2 lp/mm 공간주파수에서의 기존 상용화 제품 MTF값이 0.6에 비해, 본 연구에서 제작한 2.5㎛ 형광체 입자는 0.71로 높게 평가되었다. 또한 형광체 필름의 두께에 따른 해상력 평가 결과는 120㎛에서 0.82, 150㎛ 두께에서 0.71 및 210㎛ 두께에서 0.59로 형광체 필름 두께가 증가할수록 MTF 값이 감소하는 것으로 나타났다. 또한 이는 상용화된 Rad-icon CMOS 센서(형광체 두께 150㎛)의 0.6에 비해 본 연구에서 제작한 2.5㎛ 입자크기, 150㎛ 형광체 두께의 형광체 필름에서 0.71로 다소 높게 측정되었다. This research used precipitation method to produce Gd2O2S:Tb phosphor film to be used for existing CMOS sensor and assessed the effect its particle size and film thickness on screen quality in terms of MTF value using the contrast method. The phosphor film produced was combined with commercialized CMOS-based sensor to produce an image, which was in turn compared to the image made by Rad-icon CMOS sensor. According to the result, the smaller the particle size and the thinner the phosphor, the higher the quality of MTF values compared to the existing commercialized products. In the MTF assessment according to particle size, MTF value under 2 lp/mm space frequency was 0.6 for commercialized product while 0.71 for phosphor with 2.5㎛ thickness made in this research. In the assessment of resolution according to phosphor film thickness, the value was 0.82 under 120㎛, 0.71 under 150㎛ and 0.59 under 210㎛, showing that an increase in phosphor film thickness resulted in decline in MTF value. Also, compared to the value of 0.6 in the commercialized Rad-icon CMOS sensor (phosphor thickness of 150㎛), the value was 0.71, a little higher, in phosphor with 2.5㎛ particle size and 150㎛ thickness.
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