http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
- 中文 을 입력하시려면 zhongwen을 입력하시고 space를누르시면됩니다.
- 北京 을 입력하시려면 beijing을 입력하시고 space를 누르시면 됩니다.
RISS 인기검색어
- 검색키워드
- 저자 : 최상삼(S. S. Choi) (검색결과 3 건)
- 무료
- 기관 내 무료
- 유료
-
RF 마그네트론 스퍼터링법에 의한 a-축 배향 $YBa_2Cu_3O_{7-\delta}$박막의 제조
이재준,김영환,신진,이경희,최상삼,한택상,Lee, J.J.,Kim, Y.H.,Shin, J.,Lee, K.H.,Choi, S.S.,Hahn, T.S. 한국재료학회 1994 한국재료학회지 Vol.4 No.4
a-측으로 배향된 $YBa_2Cu_3O_{7-\delta}$ 고온 초전도 박막을 $LaAIO_{3}$(100)단결정 기판에 이중 타게트 off-axis rf마그네트론 스퍼터링법으로 증착하였다. 박막은 기판온도(Ts)$590^{\circ}C$와 $680^{\circ}C$사이에서 단일공정으로 증착하는 one-step방법과, $590^{\circ}C$의 저온에서 a-축으로 배향된 YBCO박막(두께-30nm)을 면저 만들어 틀로 작용시킨 후 그 틀위에 나머지 부분을 기판온도를 승온하면서 증착하는 방법인 two-step방법 등 두 가지 방법을 사용하여 증착시켰다. one-step방법에서는 $T_s$가 증가함에 따라 감소하였으며, ($00 \ell$)피크는 증가하였다. Two-step방법으로 증착한 박막은 증착속도가 감소함에 따라 (h00)피크가 우세하게 나타났다. 박막의 미세구조는 a-축, c- 축 배향성이 혼재하여 핀홀과 같은 결함들이 생성되었다. 모든 경우 $T_s$가 감소함에 따라 a-축 배향성은 우세하였으나 전기적 특성은 저하되었고, 긴 전이온도 폭을 가졌다. A-axis oriened YBCO thin flims were grown on $LaAIO_{3}$ single crystal substrate by off-axis rf magnetron sputtering method. We used two kinds of process to get a-axis oriented fi1ms;one-step process and two-step process. In one-step process, films are grown in single step in which substrate temperature( $T_s$) is in the range of $590^{\circ}C$ to $680^{\circ}C$. On the other hand, in two step process a-axis oriented thin film templates i f about 30nm thickness is deposited at low temperature first, and subsequently films are grown at elevated temperature to the final thickness of about 100nm. In the case of one step process($T_s$ ~)$600^{\circ}C$), prefered a-axis orientation is dominant and Cu-rich phases segregate at the surface. Segregations decrease and ($00 \ell$) peaks increase upon increasing $T_s$. The films prepared by two step method appeared to have strong(h00) peaks as the deposition rate increased. Microstructure shows pin holes resulted from mixed phases of a-axis and c-axis oriented films. In both cases of one step and two step process, as TS decreases, prepared films show stronger a-axis orientation. However electrical properties of the films are depressed with lower $T_c$ and wider $\Delta T$ as $T_s$ decreases.
-
박경현,변영태,김명욱,김선호,최상삼,조욱래,박승한,김웅,Park, K. H.,Byun, Y. T.,Kim, M. W.,Kim, S. H.,Choi, S. S.,Cho, W. R.,Park, S. H.,Kim. U. 한국광학회 1997 한국광학회지 Vol.8 No.2
가로.세로의 비가 큰 광도파로 소자 제작용 마스크 제작에는 레이저 리소그래피 장치가 기존의 리소그래피 장치에 비해 비용면 등을 고려하면 많은 장점을 가지고 있다. 레이저 리소그래피 장치를 이용 보편적인 양극형 마스크는 물론 기존의 레이저 리소그래피 장치로는 제작하기에 많은 어려움이 있는 음극형 마스크를 포토레지스트의 인위적 변화를 이용 제작할 수 있었다. 제안된 방법은 주변환경 즉 먼지, 장치의 진동 그리고 레이저 입사광 변화 등에 기존의 장치 보다 덜 민감함을 실험적으로 확인하였다. 이 방법을 이용 광도파로 소자의 기본을 이루는 S형태 곡선으로 구성된 광분배기 패턴을 제작하였으며, 제작된 패턴의 대비 및 재현성에 있어서 그 특성이 매우 우수함을 실험적으로 확인하였다. Most conventional lithography systems have been oriented to fabricate electronic devices. Therefore, it is not so easy to fabricate large aspect ratios of waveguide patterns with those systems. When considering costs and efficiencies, a laser lithography system provides number of benefit in realizing waveguide patterns. However, because the conventional laser lithography system could make only positive tone masks, it is inconvenient in determining the direction of the waveguide. A simple and reliable technique to produce negative tone masks was developed by using the laser beam writing. This technique was not sensitive to environmental situations such as dust, vibration, intensity variation. Making use of the technique a variety of device patterns such as Y-branch, directional coupler, and highly smooth S-shape bend could be successfully fabricated with a good contrast.
-
AlGaAs / GaAs multiple - quantum well에 대한 상온에서의 photoreflectance 특성연구
김동렬(D. L. Kim),최현태(H. T. Choi),배인호(I. H. Bae),김말문(M. M. Kim),한병국(B. K. Han),우덕하(D. H. Woo),김선호(S. H. Kim),최상삼(S. S. Choi) 한국진공학회(ASCT) 1997 Applied Science and Convergence Technology Vol.6 No.2
MBE로 성장한 AlGaAs/GaAs multiple-quantum well(MQW)에 대하여 pump source를 He-Ne laser와 Ar laser를 사용하여 상온에서 PR(photoreflectance)측정을 수행한 결과 여러 subband transition peak을 관찰하였다. PR결과를 standard analytic line shape으로 fitting하여 n=1의 conduction band와 heavy hole 그리고 light hole transition peak인 C1-H1, C1-L1에 대한 energy값들을 얻었다. 또한 상온에서의 PL(photoluminescence)측정에서 C1-H1, C1-L1과 관련된 main peak와 shoulder를 관찰하였다. 이 값은 PR 측정값과 잘 일치함으로써 PL에서의 main peak와 shoulder가 C1-H1, C1-L1과 관련된 peak임을 확인할 수 있었다. 또한 envelope function approximation(EFA)을 이용하여 구한 이론값과 PR과 PL에서 측정된 실험값들을 비교하였다. PR spectra of MBE grown AlGaAs/GaAs MQW have been measured at room temperature using the He-Ne laser and the Ar laser as the pump source. We have observed various subband transition peaks and PR spectra were fitted to standard analytic line shape. Above that results, obtained us transition energy from n=1 conduction band to heavy hole(C1-H1) and to light hole(C1-L1) subband. Photoluminescence(PL) at room temperature showed main peak with a shoulder. Good agreement between PL and PR measured n=1 intersubband transition energies was confirmed that PL main peak with a shoulder is associated with the C1-H1, C1-L1 transition. Additionally, we have calculated the C1-H1 and C1-L1 intersubband energy within envelope function approximation(EFA).
ScienceON
코리아스칼라연관 검색어 추천
이 검색어로 많이 본 자료
활용도 높은 자료
