http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
결정질 태양전지의 고효율화를 위한 선택적 도핑 중 에치-백 구조에 관한 연구
정우원(Jung, Woo-Won),양두환(Yang, Du-Hwan),이용우(Lee, Yong-U),공대영(Gong, Dae-Yeong),김선용(Kim, Seon-Yong),이준신(Yi, Jun-Sin) 한국신재생에너지학회 2009 한국신재생에너지학회 학술대회논문집 Vol.2009 No.11
결정질 태양전지의 공정에 있어서 호모지니어스(homogeneous)한 구조보다 향상된 변환효율을 얻기 위해 선택적 도핑 방법에 관한 연구가 활발하다. 선택적 도핑 방법이란 에미터(emitter) 층을 n^{++} 영역과 n^+ 영역으로 나누어 향상된 전류밀도와 개방전압을 얻기 위한 방법이다. 본 연구에서 제시된 RIE 에치-백 구조는 다수의 선택적 도핑 방법 중 하나이다. 기존의 에치-백 구조는 전면 전극 형성 후 RIE 공정을 수행하기 때문에 전면 전극이 손상되고 RIE 데미지(damage)가 발생되는 문제점이 있었다. 그러나 본 연구에서 제시된 구조는 기존의 에치-백 구조와 달리 RIE 에칭 후 발생된 데미지를 제거하는 추가적인 공정인 질산 패시베이션(nitric acid passivation)이 수행되었다. 또한 본 연구에서 새롭게 제시된 블라킹 마스크 페이스트(blocking mask paste)는 기존의 에치-백 구조에서 발생된 전극 손상 문제를 해결해 주고 있다. 이러한 결과로 호모지니어스 구조보다 향상된 전류밀도 (35.77 mA/cm²), 개방전압 (625 mV), FF (78.01%), 변환효율 (17.43%)를 얻었다.
질소 가스 분위기에서 증착된 실리콘 질화막의 전기적, 광학적 특성 분석
공대영(Gong, Dae-Yeong),정우원(Jung, Woo-Won),양두환(Yang, Doo-Hwan),김선용(Kim, Sun-Yong),이용우(Lee, Yong-Woo),고지수(Ko, Ji-Soo),최병덕(Choi, Byoung-Deok),이준신(Yi, Jun-Sin) 한국신재생에너지학회 2009 한국신재생에너지학회 학술대회논문집 Vol.2009 No.11
최근 태양전지 개발이 본격화 되면서 태양전지 웨이퍼 표면에서의 재결합에 의한 손실을 줄이고 반사도를 감소시키기 위한 ARC 개발이 활발히 진행되고 있다. 이를 위해 널리 사용하는 ARC 물질로 수소화된 실리콘 질화막이 있다. 수소화된 실리콘 질화막은 PECVD 법으로 저온에서 실리콘 기판 위에 증착 가능한 장점이 있다. 또한 실리콘 질화막의 광학적, 전기적인 특성은 화학적 조성비에 의해 결정되며 증착온도 가변에 따라 균일도 및 굴절률 조절을 가능케 하여 태양전지의 효율을 향상 시킬 수 있다. 따라서 본 연구에서는 수소화된 실리콘 질화막을 태양전지에 적용하기 위해 질소 가스 분위기에서 PECVD를 이용하여 증착하고 그 특성을 분석하였다. 박막은 0.8 Torr의 압력에서 150?C{sim}450?C의 기판 온도로 증착되었으며 이때의 RF power은 100W ~ 300W로 가변 하였다. 증착된 박막은 1.94 에서 2.23의 폭넓은 굴절률 값을 가지고 있었다. SiH₄/NH₃ 가스 비의 증가에 따라 박막 두께와 굴절률이 감소함을 확인 할 수 있었다. 이는 NH₃ 가스의 상대적인 증가에 따라 Si 생성을 선행하는 SiH₄ 가스의 부분압이 제한되기 때문이고, 이러한 결과로 박막내에 질소 원자가 증가함에 따라 N-H 결합이 증가하여 n-rich인 박막 상태가 되기 때문으로 분석된다. 증착된 실리콘 질화막의 소수반송자 수명 측정 결과 굴절률 2.23인 박막의 경우 약 87 us의 수명을 나타냈으며, 굴절률이 1.94로 줄어듦에 따라 소수반송자 수명 역시 79 us로 감소하였다. 수소화된 실리콘 질화막은 n-rich 보다 Si-rich 인 경우 effective 반송자 수명을 증가시켜 표면 재결합 속도를 줄이는데 유용함을 확인하였다. 또한 증착온도가 증가할수록, RF power가 증가 할수록 소수반송자 수명 역시 증가하였다. 반사도의 경우 SiH₄의 비율이 증가할수록 반사도가 감소함을 확인 하였으며, 증착온도 증가에 따라, RF power 증가에 따라 반사도가 감소하였다. 결과적으로 450?C의 기판온도와 300W의 RF power에서 증착된 실리콘 질화막의 경우 가장 우수한 전기적, 광학적 특성을 보여주었다.
Wrap Through 태양전지의 효율 향상을 위한 Hole 가공과 열처리 기술
홍근기(Hong, Keun-Kee),이대종(Lee, Dae-Jong),정우원(Jung, Woo-Won),이홍구(Lee, Hong-Gu),현덕환(Hyun, Deoc-Hwan),양병기(Yang, Byung-Ki),이성은(Lee, Seong-Eun),조재억(Cho, Jae-Eock),홍정의(Hong, Jeong-Eui) 한국태양에너지학회 2013 한국태양에너지학회 학술대회논문집 Vol.2013 No.4
In contrast to the conventional crystalline, back-contact solar cells feature high efficiencies, simpler module assembly, and better aesthetics. The highest commercialized cell and module efficiency is recorded by n-type back-contact solar cells. However, the mainstream PV industry uses p-type substrate instead of n-type due to high costs and complexity of manufacturing processes. Therefore p-type back-contact solar cells such as metal wrap-through and emitter wrap-through which are low cost and compatible with current PV industry have been developed. In this paper, we studied for hole formation process and firing process of EWT solar cells, status and prospects for development of EWT solar cell will be discussed.
EWT 태양전지 제작을 위한 레이저 미세 관통홀 가공 기술
이홍구(Lee,Hong-Gu),서세영(Seo,Se-Young),현덕환(Hyun,Deoc-hwan),이용화(Lee,Yong-wha),김강일(Kim,Gang-il),정우원(Jung,Woo-won),이아름(Lee,Ah-Reum),조재억(Cho,Jaee-ock) 한국태양에너지학회 2011 한국태양에너지학회 논문집 Vol.31 No.4
Laser drilling or vias is the one of key technologies in developing Emitter-Wrap Through(EWT) solar cell which is particularly attractive due to the use of industrial processing and common solar grade p-type silicon materials. While alternative economically feasible drilling process is not available to date, the processing time and laser induced damage should be as small as possible in this process. This paper provides an overview on various factors that should be considered in using the laser via drilling technology for developing highly efficient and industrially applicable EWT solar cells.