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- 저자 : 전헌무(Hunmoo Jeon) (검색결과 1 건)
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분자선 에피탁시법으로 성장된 Al0.25Ga0.75As / In0.15Ga0.85As / GaAs 슈우도형 고 전자 이동도 트랜지스터 구조의 광학적 특성
이동율(Dong-Yul Lee),이철욱(Chul-Wook Lee),김기홍(Ki-Hong Kim),김종수(Jong-Su Kim),김동렬(Dong-Lyeul Kim),배인호(In-Ho Bae),전헌무(Hunmoo Jeon),김인수(In-Soo Kim) 한국진공학회(ASCT) 2000 Applied Science and Convergence Technology Vol.9 No.2
Photoluminescence(PL)와 photoreflectance(PR}를 이용하여 Al_(0.25)Ga_(0.75)As/In_(0.15)Ga_(0.85)As/GaAs 슈우도형 고 전자 이동도 트랜지스터 구조에 대한 특성을 조사 하였다. 온도 10 K의 PL 측정에서 InGaAs 양자우물에 의한 e2-h1 및 e2-h1 전이 피크가 각각 1.322 및 1.397 eV에서 관측되었다. 온도 의존성으로부터 첫번째 가전자 띠와 두번째 가전자 띠의 에너지 차이는 약 23 meV로 나타났다. 또한 300 K에서의 PR 측정으로 e2-h2 및 e2-h1 전이에 의한 피크를 관측하였고, 두번째 전도 띠의 에너지 준위에 의한 피크가 띠 채움으로 인해 첫번째 전도 띠의 에너지 준위에 의한 피크보다 상대적으로 우세하였다. 반면에 PL 측정에서는 전자 가리개 효과 때문에 첫번째 전도 띠에 의한 피크가 우세하였다. We have analyzed characteristics for the structure of Al_(0.25)Ga_(0.75)As / In_(0.15)Ga_(0.85)As/GaAs pseudo-morphic high electron mobility transistor (PHEMT) by photoluminescence (PL) and photoreflectance (PR) measurements. By the PL measurement at 10 K, we observed e1-h1 transition peak at 1.322 eV and e2-h1 transition peak at 1.397 eV in the InGaAs quantum well. We calculated value of 23 meV, the difference between the first energy level and the second energy level of a valence band by dependence of temperatures. Also, (e2-h2) transition signal was observed at 300 K by PR measurement. From the PR measurement, we recognized that the transition was dominated the second energy level of conduction band than the first energy level of conduction band due to band filling. The other hand, PL signal of the first energy level of conduction band was dominated because of the electron screening effect.
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