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김상일(Sang-Il Kim),임병옥(Byeong-Ok Lim),최길웅(Gil-Wong Choi),이복형(Bok-Hyung Lee),김형주(Hyoung-Joo Kim),김륜휘(Ryun-Hwi Kim),임기식(Ki-Sik Im),이정희(Jung-Hee Lee),이정수(Jung-Soo Lee),이종민(Jong-Min Lee) 한국전자파학회 2013 한국전자파학회논문지 Vol.24 No.2
본 논문에서는 Si가 도핑된 Modulation-doped AlGaN/GaN 이종 접합 구조를 가지는 전력증폭기용 MISHFET 소자를 제작하였다. 제작된 GaN TR 소자는 6H-SiC(0001)의 Substrate 위에 성장시켰으며, 180 nm의 gate length를 가진다. 제작된 소자를 측정한 결과, 837 ㎃/㎜의 최대 드레인 전류 특성, 177 mS/㎜의 gm(Tranconductance)을 가지며, fT는 45.6 ㎓, f㎃X는 46.5 ㎓로 9.3 ㎓에서 1.54 W/㎜의 전력 밀도와 40.24 %의 PAE를 가지는 것으로 확인되었다. This letter presents the MISHFET with si-doped AlGaN/GaN heterostructure for power amplifier. The device grown on 6H-SiC(0001) substrate with a gate length of 180 nm has been fabricated. The fabricated device exhibited ㎃ximum drain current density of 837 ㎃/㎜ and peak transconductance of 177 mS/㎜. A unity current gain cutoff frequency was 45.6 ㎓ and maximum frequency of oscillation was 46.5 ㎓. The reported output power density was 1.54 W/㎜ and A PAE(Power Added Efficiency) was 40.24 % at 9.3 ㎓.