CdS 콜로이드 양자점 물질의 합성과 반응물질 비율에 따른 스펙트럼 변화 연구

임권택 ( Kwon Taek Lim ),정연태 ( Yeon-tae Jeong ),허훈 ( Hoon Heo ) 한국화상학회 2016 한국화상학회지 Vol.22 No.1

CdO와 황의 사용량을 달리하며 콜로이드상태의 CdS 양자점 물질을 합성하였다. 얻어진 물질의 흡수 및 발광스텍트럼으로 볼 때 약 1:3의 몰비 이하에서는 사용량에 관계없이 동일한 모습을 나타내었으며 이로부터 반응물질의 사용량 비율에 관계없이 약 3.6nm 크기의 동일한 양자점 입자가 만들어짐을 확인할 수 있었다. 1:9의 반응비율에서는 의미있는 흡수스펙트럼을 얻을 수 없었으며 발광스펙트럼의 모양도 매우 달라 앞의 경우와 동일한 물질의 형성이 있다고 보기 어려웠다. 이로부터 CdS 콜로이드 양자점 물질의 합성은 반응물질의 사용량에 크게 의존하지 않으며 그 비율이 너무 큰 경우에는 반응 자체가 달라질 수 있음을 볼 수 있다. CdS colloidal quantum dots are prepared with different reactant ratio of CdO and Sulfur. Under the ratio of 1:3 molar amounts, there was no difference on the absorption and photoluminescence spectra, which means that similar size(~3.6nm) of quantum dots formed with no regard to the reactant ratios. However, at the ratio of 1:9 we could not observe a meaningful absorption spectra. It also showed very different PL spectra, which implies the formation of different materials.

고정 각도 광택계와 전각 측각 광택계의 측정값 비교

임권택 ( Kwon Taek Lim ),허훈 ( Hoon Heo ) 한국화상학회 2015 한국화상학회지 Vol.21 No.3

C, M, Y, K 색상의 출력물에 대하여 20°, 60°, 85°의 고정된 각도를 사용하는 상용 광택계를 이용하여 광택값을 측정하고 이 결과를 전각 측각 광택계를 이용하여 측정한 BDRF와 비교하였다. 동일한 시료에 대하여도 상용광택계로 측정한 광택값은 사용한 각도에 따라 차이를 나타내며 BDRF 곡선의 전체 면적과 최대높이와 비교하였을 때 입사각이 큰 85°에서의 측정값이 가장 유사한 값의 변화를 보였다. 다리미를 사용하여 표면을 매끄럽게 하는 퓨징작업을 한 후 광택을 측정하니 BDRF의 최대값은 입사각이 작은 20°에서의 측정값과 가장 비슷한 경향을 나타내었으며 BDRF의 면적은 85°에서의 측정값과 가장 일치하는 결과를 나타냈다. Gloss values were measured for C, M, Y, and K color printed samples with a commercial glossmeter operated at fixed angles of 20, 60 and 85 degrees. The results were compared with maximum values and functional areas of BDRF obtained by using a gonio glossmeter. High degree gloss values showed better correlation with BDRF maximum height measurement though the values were very low for these uncoated printed samples. After fusing process with an iron of hight temperature for a second, 20 degree gloss values showed a similar trend to the BDRF maximum heights while 85 degree glosses were in the closest agreement with the BDRF areas.

분자제어중합을 이용한 고분자 계면활성제의 합성 및 액체와 초임계 이산화탄소에의 응용

임권택(Kwon Taek Lim) 한국고분자학회 2002 고분자 과학과 기술 Vol.13 No.5

폴리디메틸실록산계 안정화제를 이용한 초임계 이산화탄소에서의 ?-Lactide의 개환중합

황하수,임권택,Hwang, Ha Soo,Lim, Kwon Taek 한국청정기술학회 2006 청정기술 Vol.12 No.2

다양한 폴리디메틸실록산계 공중합체를 안정화제로 이용하여 초임계 이산화탄소 내에서의 개환중합을 통해 PLLA를 제조하였다. 초임계 개환중합에 사용된 폴리디메틸실록산 공중합체는 폴리디메틸실록산 거대개시제를 사용하여 그룹전이중합법(GTP법)을 이용하여 제조하였다. $\small{L}$-락타이드의 초임계 현탁중합을 통해 수미크론크기의 입자가 형성되었음을 전자 주사 현미경을 통해 확인하였고, 또한 겔 투과 크로마토 그라피 분석을 통해 상당히 좁은 분자량 분포의 PLLA가 제조되었음을 확인하였다. Poly($\small{L}$-Lactide)(PLLA) was prepared by a ring-opening polymerization of $\small{L}$-Lactide with various polydimethylsiloxane(PDMS) based copolymers as a stabilizer in supercritical carbon dioxide($scCO_2$). The block copolymeric stabilizers were synthesized by group transfer polymerization (GTP) by using PDMS macroinitiator. PLLA was found to be produced with fairly low molecular weight distribution as confirmed by gel permeation chromatography(GPC) analysis. Scanning electron microscopy (SEM) results showed that sub-micron size Poly($\small{L}$-lactide)(PLLA) particles were formed by suspension polymerization.

포지티브 포토레지스트의 감도 증진을 위한 산 증식제로 이소프로필리덴 디시클로헥산올의 p-스티렌술폰산 에스테르의 합성 및 특성연구

이은주,홍경일,임권택,정용석,홍성수,정연태,Lee, Eun-Ju,Hong, Kyong-Il,Lim, Kwon-Taek,Jeong, Yong-Seok,Hong, Sung-Su,Jeong, Yeon-Tae 대한화학회 2002 대한화학회지 Vol.46 No.5

포토레지스트의 감도 증진은 광산 발생제로부터 발생되는 산에 의해 자동촉매분해가 일어나는 산 증식제를 화학 증폭형 포트레지스트에 첨가함으로써 얻을 수 있다. 본 연구에서는 이소프로필리덴 디시클로헥산올의 p스티렌술폰산 유도체를 산 증식제로 합성되고 그 성능을 평가하였다. 이러한 산 증식제로 합성한 4-hydroxy-4`-p-styrensulfonyloxy isopropylidene dicyclohexane(1), 4,4`-di-styrenesulfonyloxy isopropylidene dicyclohexane(2) 그리고 4-p-styrene-sulfonyloxy-4`-tosyloxy isopropylidene dicyclohexane(3)는 레지스트 공정온도에 대하여 충분한 열적 안정성을 나타내었다. 또한 이러한 산 증식제를 사용한 경우에 광산 발생제만 사용한 poly(tert-butyl methacrylate)film에 비교하여 2배에서 12배 정도의 감도 증진이 일어나 광화상 제조에 실용적으로 응용 할 수 있음을 확인하였다. The photosensitivity enhancement of photoresist achieved by the addition of acid amplifiers stems from the autocatalytic decomposition of the acid amplifiers triggered by acidic species generated from a photoacid gen-erator. In this research we synthesized and evaluated 4-hydroxy-4'-p-styrenesulfonyloxy isopropylidene dicyclohex-ane(1), 4,4'-di-p-styrenesulfonyloxy isopropylidene dicyclohexane(2) and 4-p-styrenesulfonyloxy-4'-tosyloxy isopropylidene dicyclohexane(3) as novel acid amplifiers. These acid amplifiers(1-3) showed reasonable thermal stability for resist pro-cessing temperature. As estimated by the sensitivity curve, 1-3 were 2X-12X sensitive than poly(tert-butyl meth-acrylate) film in the presence of a photoacid generator and, therefore, provides practical applicability for photoimaging.

고분자형 산 증식제에 기초한 새로운 포토레지스트의 연구

이은주,정용석,임권택,정연태,Lee, Eun-Ju,Jeong, Yong-Seok,Lim, Kwon-Taek,Jeong, Yeon-Tae 대한화학회 2004 대한화학회지 Vol.48 No.1

산에 민감한 작용기를 갖는 tert-butyl methacrylate(tBMA)와 산 증식 기능을 갖는 4-hydroxy-4''p-styrenesulfonyloxyisopropylidene dicyclohexane(HSI)과 4-p-styrenesulfonyloxy-4''-tosyloxyisopropylidene dicyclohexane (STI)를 둘 다 함께 갖고 있는 공중합체를 새로운 고분자 산증식형 포토레지스트로 합성하였다. 산증식형 공중합체인 Poly(HSI-co-tBMA) film과 Poly(STI-co-tBMA) film은 산의 부재 시에는 레지스트 공정 온도에 대하여 충분한 열적 안정성을 나타내었다. Poly(STI-co-tBMA) film의 감도는 tBMA homopolymer에 비교하여 2배 정도 증진되었지만, Poly(HSI-co-tBMA) film은 오히려 2배 정도 감도가 저하되는 결과를 나타내었다. 고분자에 도입한 이러한 산증식 기능을 갖는 그룹의 구조에 따라 광감도 증진 효과가 다르게 나타남을 확인하였다. Acid amplifying copolymers are synthesized by the copolymerization of tert-butyl methacrylate(tBMA) with acid-sensitive functional group and 4-hydroxy-4'p-styrenesufonyloxyisopropylidene dicyclohexane(HSI) or 4-p-styrenesulfonyloxy-4'-tosyloxyisopropylidenedicyclohexane(STI) with acid-amplifying group as novel polymeric acid amplifying photoresists. Poly(HSI-co-tBMA) film and Poly(STI-co-tBMA) film as acid amplifying photoresists show reasonable thermal stability in the absence of an acid species. Poly(STI-co-tBMA) film exhibits 2X higher photosensitivity, whereas Poly(HSI-co-tBMA) film show 2X lower photosensitivity compared with ptBMA homopolymer. The attachment of acid-amplifying units to polymer backbones could provide a novel way to enhance the photosensitivity of acid-sensitive polymers depending on the structure of acid-amplifying units.

초임계이산화탄소 내에서 공용매 및 초음파를 이용한 고농도이온주입 포토레지스트의 제거

김승호(Seung Ho Kim),임권택(Kwon Taek Lim) 한국청정기술학회 2009 청정기술 Vol.15 No.2

초임계이산화탄소와공용매의 혼합물을 사용하여 반도체 웨이퍼 기판으로부터 고농도이온주입 포토레지스트(HDIPR)를 제거하였다. 또한 고압 셀 내부에 초음파 장치를 부착하여 웨이펴 표면에 물리적 힘을 제공함으로서 세정용액의 HDIPR에 대한 스트리핑 성능을 현저히 향상시키고, 제거 시간을 단축시켰다. 공용매의 종류 및 농도, 공정 온도, 압력 변화에 따른 HDIPR 스트리핑 특성을 조사하였으며, 웨이퍼 표면의 제거 전후의 상태 및 성분을 scanning electron microscopy 과 energy dispersive X-ray spectrometer를 이용하여 분석하였다 10 w/w% 함량의 아세톤 공용매를 이용하여 공정압력 27.6 ㎫과 온도 343 K 의 조건에서 3분의 초음파 처리시간을 거쳐 HDIPR을 완전히 제거할 수 있었다. A high-dose ion-implanted photoresist (HDIPR) was stripped off from the surface of a semiconductor wafer by using a mixture of supercritical carbon dioxide and a co-solvent. The additional ultrasonication improved the stripping efficiency remarkably and thus reduced the stripping time by supplying physical force to the substrate. We investigated the effect of co-solvents, co-solvent concentration, and stripping temperature and pressure on the stripping efficiency. The wafer surfaces before and after stripping were analyzed by scanning electron microscopy and by an energy dispersive X-ray spectrometer. The HDIPR could be stripped off completely in 3 min with 10%(w/w) acetone/scCO₂ mixture at 27.6 ㎫ and 343 K.

폴리디메틸실록산계 안정화제를 이용한 초임계 이산화탄소에서의 <SUB>L</SUB>-Lactide의 개환중합

황하수(Ha Soo Hwang),임권택(Kwon Taek Lim) 한국청정기술학회 2006 청정기술 Vol.12 No.2

초임계이산화탄소를 이용한 플라즈마 손상된 다공성 저유전 막질의 복원

정재목(Jae Mok Jung),임권택(Kwon Taek Lim) 한국청정기술학회 2010 청정기술 Vol.16 No.3

초임계이산화탄소에서 실릴화제를 사용하여 반응시간, 압력, 온도를 변화하며 플라스마에 의해 손상된 다공성 p-SiOCH 필름의 실릴화 보수반응을 진행하였다. FT-IR 분석 결과 3150 ~ 3560 cm-1 영역의 SiOH/H₂O 특성밴드의 감소는 다소 확인할 수 있었지만, 메틸화 peak의 변화치는 관찰하기 어려웠다. 그러나 실릴화에 따른 표면 소수성은 빠른 반응시간 내에 복원되었다. 내부 복원반응을 효과적으로 유도하기 위하여 열전처리 공정을 상압 또는 진공 조건에서 진행하였으며, 전처리에 따라 표면 접촉각이 약간 상승하였고, 뒤이은 초임계 실릴화반응으로 표면 소수성이 완전히 복원되는 것을 관찰하였다. 플라스마 손상과정에서 표면 내부 메틸기의 감소가 나타나지만 실릴화 보수반응에 따라 메틸기의 복원은 눈에 띄게 나타나지 않음을 FT-IR, spectroscopic ellipsometry 와 secondary ion mass spectroscopy의 분석결과를 통하여 확인하였다. 막질에 대한 Ti 증착 후 glow discharge spectrometry로 내부 Ti 원소를 분석한 결과, 초임계 실릴화반응을 통하여 손상된 p-SiOCH막질의 열린 기공의 봉인효과가 나타나는 것을 확인하였다. Repair reaction of plasma damaged porous methyl doped SiOCH films was carried out with silylation agents dissolved in supercritical carbon dioxide (scCO₂) at various reaction time, pressure, and temperature. While a decrease in the characteristic bands at 3150 ~ 3560 cm-1 was detectable, the difference of methyl peaks was not identified apparently in the FT-IR spectra. The surface hydrophobicity was rapidly recovered by the silylation. In order to induce effective repair in bulk phase, the wafer was heat treated before reaction under vacuum or ambient condition. The contact angle was slightly increased after the treatment and completely recovered after the subsequent silylation. Methyl groups were decreased after the plasma damage, but their recovery was not identified apparently from the FT-IR, spectroscopic ellipsometry, and secondary ion mass spectroscopy analyses. Furthermore, Ti evaporator was performed in a vacuum chamber to evaluate the pore sealing effect. The GDS analysis revealed that the open pores in the plasma damaged films were efficiently sealed with the silylation in scCO₂ .

새로운 방향족 산증식제로 2,2`-binphenol의 ρ-톨루엔 술폰산 에스테르에 관한 연구

강지은 ( Ji Eun Kang ),임권택 ( Kwon Taek Lim ),정연태 ( Yeon Tae Jeong ) 한국화상학회 2004 한국화상학회지 Vol.10 No.2