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베타에스트라다이올 측정을 위한 나노웰 기반 엡타머 바이오센서 어레이 시스템
김연석(Yeon Seok Kim),정호섭(Ho Sup Jung),이혜연(Hea Yeon Lee),Tomoji Kawai,구만복(Man Bock Gu) 대한환경공학회 2004 대한환경공학회 학술발표논문집 Vol.2004 No.12
Aptamer는 단백질, 펩타이드, 지질 등과 같은 생분자 또는 크기가 작은 유기, 무기화학물질 등 다양한 표적물질에 대해 특이적으로 결합할 수 있는 ssDNA나 RNA를 말한다. 이러한 Aptamer는 항원항체반응과 같은 개념의 바이오센서 시스템의 도입이 가능하며 저렴한 가격으로 인공적으로 대량 생산할 수 있고 고정화 기술이 단백질 고정화에 비해 비교적 간단하고 열애도 보다 안정할 수 잇는 등 여러 가지 장점을 가지고 있어 aptamer를 이용한 새로운 affinity sensing system 연구가 진행되고 있다. 특별히 환경바이오모니터링 분야에 있어서 기존의 생분자를 타겟으로 하는 의료진단용 바이오센서 기술이나 Immunosensor 기술 등은 환경독성물질에 대한 항체를 생산하지 못하는 등의 어려움이 있어 환경분야로의 적용이 많은 제약을 가지고 잇다. 그러나 aptamer 기반 biosensing 기술은 이러한 제약들을 극복할 것으로 기대되고 있으며 칩기반 측정 시스템의 구축은 환경독성물질 탐지에 있어서 그 효율성을 보다 증대할 수 있을 것으로 기대된다.
정중현,이혜연,최병춘 한국센서학회 1999 센서학회지 Vol.8 No.2
PbTe thin films of high quality were deposited on HF-treated Si(100) substrates at various substrate temperature by pulsed laser deposition technique. XRD patterns showed that PbTe layers were well-crystallized to a cubic phase with (h00) preferred orientation with tine substrate temperature up to 300℃. PbTe films could not form at substrate temperature above 400℃ because of reevaporation of the Pb. According to AFM image, the surface of films was composed of small granular crystals and flat matrix. According to the increase of substrate temperature, the grain size at film surface becomes larger. By Hall-effect measurement, the carrier concentration and Hall mobility of n-type PbTe films grown by T_(sub)=300 ℃ were 3.68 x l0^(18)cm^(-3) and 148 ㎠/Vs, respectively.
PLD 법으로 제작한 PbSe 박막의 결정구조와 전기적 특성
박종만,정중현,이혜연 한국센서학회 1999 센서학회지 Vol.8 No.6
PbSe thin films were grown using PLD method on the p-Si(100) substrate. To determine what crystalline structure of PbSe thin films have according to the growth temperature, the films were prepared under a substrate temperature changing between a room temperature and 400 C. As a result of analyzing XRD patterns of PbSe thin films prepared at various substrate temperatures and FWHM of PbSe(200) rocking curve, it was found that PbSe thin film obtained at the growth temperature of 200 ℃ was best crystallized. In addition, the surface morphology of PbSe thin film observed using AFM found itself having the most regularly arranged particles in case of growing the film at 200℃. The measurement of Hall effect indicated that PbSe thin films were n-type semiconductors and that current-voltage characteristic curve exhibit the typical p-n junction phenomenon. In addition, electric conductivity of PbSe thin films was found somewhat higher than that of general semiconductors.