http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.
변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.
- 中文 을 입력하시려면 zhongwen을 입력하시고 space를누르시면됩니다.
- 北京 을 입력하시려면 beijing을 입력하시고 space를 누르시면 됩니다.
RISS 인기검색어
- 검색키워드
- 저자 : 유종인(Ryu Jong-In) (검색결과 17 건)
- 무료
- 기관 내 무료
- 유료
-
부품 내장 공정을 이용한 5G용 내장형 능동소자에 관한 연구
정재웅,박세훈,유종인,Jung, Jae-Woong,Park, Se-Hoon,Ryu, Jong-In 한국마이크로전자및패키징학회 2021 마이크로전자 및 패키징학회지 Vol.28 No.3
본 논문에서는 Bare-die Chip 형태의 Drive amplifier를 Ajinomoto Build-up Film (ABF)와 FR-4로 구성된 PCB에 내장함으로써 28 GHz 대역 모듈에서 적용될 수 있는 내장형 능동소자 모듈을 구현하였다. 내장형 모듈에 사용된 유전체 ABF는 유전율 3.2, 유전손실 0.016의 특성을 가지고 있으며, Cavity가 형성되어 Drive amplifier가 내장되는 FR4는 유전율 3.5, 유전손실 0.02의 특성을 가진다. 제안된 내장형 Drive amplifier는 총 2가지 구조로 공정하였으며 측정을 통해 각각의 S-Parameter특성을 확인하였다. 공정을 진행한 2가지 구조는 Bare-die Chip의 패드가 위를 향하는 Face-up 내장 구조와 Bare-die Chip의 패드가 아래를 향하는 Face-down내장 구조이다. 구현한 내장형 모듈은 Taconic 사의 TLY-5A(유전율 2.17, 유전손실 0.0002)를 이용한 테스트 보드에 실장 하여 측정을 진행하였다. Face-down 구조로 내장한 모듈은 Face-up 구조에 비해 Bare-die chip의 RF signal패드에서부터 형성된 패턴까지의 배선 길이가 짧아 이득 성능이 좋을 것이라 예상하였지만, Bare-die chip에 위치한 Ground가 Through via를 통해 접지되는 만큼 Drive amplifier에 Ground가 확보되지 않아 발진이 발생한다는 것을 확인하였다. 반면 Bare-die chip의 G round가 부착되는 PCB의 패턴에 직접적으로 접지되는 Face-up 구조는 25 GHz에서부터 30 GHz까지 약 10 dB 이상의 안정적인 이득 특성을 냈으며 목표주파수 대역인 28 GHz에서의 이득은 12.32 dB이다. Face-up 구조로 내장한 모듈의 출력 특성은 신호 발생기와 신호분석기를 사용하여 측정하였다. 신호 발생기의 입력전력(P<sub>in</sub>)을 -10 dBm에서 20 dBm까지 인가하여 측정하였을 때, 구현한 내장형 모듈의 이득압축점(P<sub>1dB</sub>)는 20.38 dB으로 특성을 확인할 수 있었다. 측정을 통해 본 논문에서 사용한 Drive amplifier와 같은 Bare-die chip을 PCB에 내장할 때 Ground 접지 방식에 따라 발진이 개선된다는 것을 검증하였으며, 이를 통해 Chip Face-up 구조로 Drive amplifier를 내장한 모듈은 밀리미터파 대역의 통신 모듈에 충분히 적용될 수 있을 것이라고 판단된다. In this paper, by embedding a bare-die chip-type drive amplifier into the PCB composed of ABF and FR-4, it implements an embedded active device that can be applied in 28 GHz band modules. The ABF has a dielectric constant of 3.2 and a dielectric loss of 0.016. The FR-4 where the drive amplifier is embedded has a dielectric constant of 3.5 and a dielectric loss of 0.02. The proposed embedded module is processed into two structures, and S-parameter properties are confirmed with measurements. The two process structures are an embedding structure of face-up and an embedding structure of face-down. The fabricated module is measured on a designed test board using Taconic's TLY-5A(dielectric constant : 2.17, dielectric loss : 0.0002). The PCB which embedded into the face-down expected better gain performance due to shorter interconnection-line from the RF pad of the Bear-die chip to the pattern of formed layer. But it is verified that the ground at the bottom of the bear-die chip is grounded Through via, resulting in an oscillation. On the other hand, the face-up structure has a stable gain characteristic of more than 10 dB from 25 GHz to 30 GHz, with a gain of 12.32 dB at the center frequency of 28 GHz. The output characteristics of module embedded into the face-up structure are measured using signal generator and spectrum analyzer. When the input power (P<sub>in</sub>) of the signal generator was applied from -10 dBm to 20 dBm, the gain compression point (P<sub>1dB</sub>) of the embedded module was 20.38 dB. Ultimately, the bare-die chip used in this paper was verified through measurement that the oscillation is improved according to the grounding methods when embedding in a PCB. Thus, the module embedded into the face-up structure will be able to be properly used for communication modules in millimeter wave bands.
-
-
-
-
양 단면 반사율과 위상 조정 영역의 위상이 다중 영역 Index-Coupled DFB 레이저의 수율 특성에 미치는 영향
김태영,유종인,김부균,Kim, Tae-Young,Ryu, Jong-In,Kim, Boo-Gyoun 한국광학회 2006 한국광학회지 Vol.17 No.6
양 단면 반사율과 단면 회절격자 위상, 위상 조정 영역의 위상이 두 개의 DFB 영역과, 가운데 위상 조정 영역을 가진 다중 영역 Index-Coupled DFB 레이저의 Self-Pulsation동작 특성에 미치는 영향을 수율 관점에서 살펴보았다. 결합세기가 작을수록 양 단면 반사율이 증가할 때 양 단면과 다른 DFB 영역에서 반사되는 필드가 모드의 특성에 미치는 영향이 커져 양 단면 회절격자 위상 변화에 따른 발진 모드의 호핑이 많이 발생하고 수율이 감소한다. 결합세기가 클수록 양 단면 반사율이 증가하여도 양 단면과 다른 DFB 영역에서 반사되는 필드가 모드의 특성에 미치는 영향이 작아 양 단면 회절격자 위상 변화에 따른 모드의 호핑은 적게 발생하나 Spatial Hole Burning 효과가 증가하여 수율이 감소하는 것을 볼 수 있었다. 결합세기에 상관없이 단면 반사율이 증가할수록 최대 수율과 수율이 40% 이상 되는 위상 조정 영역의 위상 범위가 감소함을 볼 수 있었다. 또한 결합세기가 클수록 위상 조정 영역의 위상 변화에 따른 수율의 변화가 커지고 단면 반사율의 변화에 따른 최대 수율을 주는 위상 조정 영역의 위상 값의 변화가 작음을 볼 수 있었다. 결합세기가 2와 3일 경우가 1.2와 4인 경우에 비하여 수율 특성이 좋음을 볼 수 있었다. We investigate the effect of the reflectivity of both facets and the phase of a phase tuning section on the self-pulsation (SP) characteristics of multisection index-coupled (IC) DFB lasers composed of two index-coupled DFB sections and a phase tuning section between them in terms of yield. In the case of weak coupling strength, as the reflectivity of both facets increases, the effect of reflected fields from both facets and the other DFB section on the mode characteristics of one DFB section increases. Thus the number of mode hoping increases and yield decreases for the variation of phases of both facets. In the case of strong coupling strength, as the reflectivity of both facets increases, the spatial hole burning effect increases, so that the yield decreases. The maximum yield and the range of the phase of a phase tuning section with yield more than 40% decrease as the facet reflectivity increases irrespective of coupling strength. As the coupling strength increases, the variation of yield for the variation of the phase of a phase tuning section increases and the variation of the phase of a phase tuning section with the maximum yield for the variation of the reflectivity of both facets decreases. The yield characteristics of the cases with the coupling strengths of 2 and 3 are better than those with the coupling strengths of 1.2 and 4.
-
박세훈,유종인,김준철,윤제현,강남기,박종철,Park, Se-Hoon,Ryu, Jong-In,Kim, Jun-Chul,Youn, Je-Hyun,Kang, Nam-Kee,Park, Jong-Chul 한국마이크로전자및패키징학회 2008 마이크로전자 및 패키징학회지 Vol.15 No.3
본 연구에서는 상용화된 2.4 GHz 영역대에서 사용되어지는 WiFi용 DPDT(Double Pole Double throw) switch 칩을 laser 비아 가공과 도금 공정을 이용하여 폴리머 기판내에 내장시켜 그 특성을 분석하였으며 통상적으로 실장되는 wire 본딩방식으로 패키징된 기판과 특성차이를 분석 비교하였다. 폴리머는 FR4기판과 아지노 모토사의 ABF(Ajinomoto build up film)를 이용하여 패턴도금법으로 회로를 형성하였다. ABF공정의 최적화를 위해 폴리머의 경화정토를 DSC (Differenntial Scanning Calorimetry) 및 SEM (Scanning Electron microscope)으로 분석하여 경화도에 따라 도금된 구리패턴과의 접착력을 평가하였다. ABF의 가경화도가 $80\sim90%$일 경우 구리층과 최적의 접착강도를 보였으며 진공 열압착공정을 통해 기공(void)없이 칩을 내장할 수 있었다. 내장된 기관과 와이어 본딩된 기판의 측정은 S 파라미터를 이용하여 삽입손실과 반사손실을 비교 분석하였으며 그 결과 삽입손실은 두 경우 유사하게 나타났지만 반사손실의 경우 칩이 내장된 경우 6 GHz 까지 -25 dB 이하로 안정적으로 나오는 것을 확인할 수 있었다. In this study, we fabricated embedded IC (Double Pole Double throw switch chip) polymer substrate and evaluate it for 2.4 GHz WiFi application. The switch chips were laminated using FR4 and ABF(Ajinomoto build up film) as dielectric layer. The embedded DPDT chip substrate were interconnected by laser via and Cu pattern plating process. DSC(Differenntial Scanning Calorimetry) analysis and SEM image was employed to calculate the amount of curing and examine surface roughness for optimization of chip embedding process. ABF showed maximum peel strength with Cu layer when the procuring was $80\sim90%$ completed and DPDT chip was laminated in a polymer substrate without void. An embedded chip substrate and wire-bonded chip on substrate were designed and fabricated. The characteristics of two modules were measured by s-parameters (S11; return loss and S21; insertion loss). Insertion loss is less than 0.55 dB in two presented embedded chip board and wire-bonded chip board. Return loss of an embedded chip board is better than 25 dB up to 6 GHz frequency range, whereas return loss of wire-bonding chip board is worse than 20 dB above 2.4 GHz frequency.
-
-
LTCC 기술을 이용한 bluetooth/WiFi 이중모드 무선 전단부 모듈 구현
함범철(Beomcheol Ham),유종인(Jong In Ryu),김준철(Jun Chul Kim),김동수(Dongsu Kim),박영철(Youngcheol Park) 한국전자파학회 2012 한국전자파학회논문지 Vol.23 No.8
본 논문에서는 저온 동시 소성 세라믹(Low Temperature Co-fired Ceramic: LTCC) 기술을 사용하여 블루투스와 WiFi에서 동작하는 무선 전단부 모듈(RF Front-end Module)을 설계, 구현하였다. 무선 전단부 모듈은 2.4/5 ㎓ 대역 발룬, 5 ㎓ 대역 발룬, 그리고 송·수신용 SPDT 스위치로 구성되어 있다. LTCC의 설계에 있어, 적층 구조의 특성으로 인해 발생되는 예상 기생 성분은 시뮬레이션을 할용하여 설계하였다. 제작한 무선 전단부 모듈은 내부 접지(inner ground) 3개 층을 포함하여 총 13개 패턴으로 구성되었으며, 무선 전단부 모듈의 크기는 3.0 ㎜×3.7 ㎜×0.6 ㎜이다. This paper presents a compact bluetooth/WiFi dual-mode dual-band RF front-end module(FEM) is realized by low temperature co-fired ceramic(LTCC) technology. The proposed RF front-end module consists of a diplexer, baluns in the LTCC substrate, and an SPDT switch, an SP3T switch on the LTCC substrate. In order to reduce the module size and increase integration level, the proposed diplexer and balun are designed using LC lumped elements. The parasitic elements caused by coupling effect between metal pattern layers and ground plane layer are considered during the design. The fabricated dual-mode RF front-end module has 13 pattern layers including three inner ground layers and it occupies less than 3.0 ㎜×3.7 ㎜×0.66 ㎜.
-
-
ScienceON
스콜라연관 검색어 추천
이 검색어로 많이 본 자료
활용도 높은 자료
