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AlGaAs / GaAs multiple - quantum well에 대한 상온에서의 photoreflectance 특성연구
김동렬(D. L. Kim),최현태(H. T. Choi),배인호(I. H. Bae),김말문(M. M. Kim),한병국(B. K. Han),우덕하(D. H. Woo),김선호(S. H. Kim),최상삼(S. S. Choi) 한국진공학회(ASCT) 1997 Applied Science and Convergence Technology Vol.6 No.2
MBE로 성장한 AlGaAs/GaAs multiple-quantum well(MQW)에 대하여 pump source를 He-Ne laser와 Ar laser를 사용하여 상온에서 PR(photoreflectance)측정을 수행한 결과 여러 subband transition peak을 관찰하였다. PR결과를 standard analytic line shape으로 fitting하여 n=1의 conduction band와 heavy hole 그리고 light hole transition peak인 C1-H1, C1-L1에 대한 energy값들을 얻었다. 또한 상온에서의 PL(photoluminescence)측정에서 C1-H1, C1-L1과 관련된 main peak와 shoulder를 관찰하였다. 이 값은 PR 측정값과 잘 일치함으로써 PL에서의 main peak와 shoulder가 C1-H1, C1-L1과 관련된 peak임을 확인할 수 있었다. 또한 envelope function approximation(EFA)을 이용하여 구한 이론값과 PR과 PL에서 측정된 실험값들을 비교하였다. PR spectra of MBE grown AlGaAs/GaAs MQW have been measured at room temperature using the He-Ne laser and the Ar laser as the pump source. We have observed various subband transition peaks and PR spectra were fitted to standard analytic line shape. Above that results, obtained us transition energy from n=1 conduction band to heavy hole(C1-H1) and to light hole(C1-L1) subband. Photoluminescence(PL) at room temperature showed main peak with a shoulder. Good agreement between PL and PR measured n=1 intersubband transition energies was confirmed that PL main peak with a shoulder is associated with the C1-H1, C1-L1 transition. Additionally, we have calculated the C1-H1 and C1-L1 intersubband energy within envelope function approximation(EFA).
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