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HVPE법으로 성장시킨 GaN 박막의 기판에 따른 극성 특성
오동근,최봉근,이성철,정진현,이성국,심광보,Oh, Dong-Keun,Lai, Van Thi Ha,Choi, Bong-Geun,Yi, Seong,Chung, Jin-Hyun,Lee, Seong-Kuk,Shim, Kwang-Bo 한국결정성장학회 2008 韓國結晶成長學會誌 Vol.18 No.3
HVPE 법에 의해 성장시킨 GaN 박막이 기판에 따라서 극성과 비극성 특성의 변화에 대해 연구하였다. A-plane($11{\bar{2}}0$), C-plane(0001) and M-Plane($10{\bar{1}}0$) 사파이어 기판을 이용하여 $10\;{\mu}m$ 두께의 GaN 박막을 성장하였다. 광학현미경 및 원자력간 현미경(OM, AFM)을 이용해 표면 구조를 관찰하고, HRXD를 통해 이들은 모두 wurtzite 구조를 갖고 C-plane으로 성장시에는, 극성 특성을, A-plane 및 M-plane 성장 시에는 비극성 특성을 가짐을 확인하였으며, Photoluminescence (PL)측정 결과 3.4 eV에서 발광 피크, 2.2 eV에서 yellow luminescence peak를 확인하였다. Polar and non-polar GaN was grown by the HVPE on various substrates and influence of polarity has been investigated. The $10\;{\mu}m$ thickness GaN were grown by HVPE is along A-plane ($11{\bar{2}}0$), C-plane (0001) and M-Plane ($10{\bar{1}}0$) sapphire substrate respectively. Surface properties were observed by optical microscope and atomic force microscopy. High resolution X-ray diffraction (HR-XRD) confirms the wurtzite structure. The donor band exciton peak located at ${\sim}3.4\;eV$ and also located yellow luminescence peak at 2.2 eV. The polarity of the GaN film has a strong influence on the morphology and the optical properties.
MARC 레코드의 구조(構造)와 내용표지법(內容標識法)에 관한 비교(比較) 및 분석(分析)
오동근,Oh, Dong-Keun 한국과학기술정보연구원 과학기술정보센터 1991 Journal of Information Science Theory and Practice Vol.22 No.2
MARC포맷의 기본요소 가운데 레코드의 구조와 내용표지법을 UNIMARC와 USMARC, KORMARC, CHINESE MARC, JAPAN MARC 포맷을 대상으로 비교분석하였다. 레코드의 구조는 기본적으로 모든 포맷이 ISO 2709에 준거하고 있으므로 유사한 구조를 가지고 있다. 고정장데이터요소의 표지방법은 문자기호대입법과 유무판별법, 대표지시자 선행방법, 코드표지방법, 수치대입법, 결합지시자표지법이 사용되고 있다. 가변장필드의 데이터요소를 명시적으로 식별하고 추가의 정보를 제공하기 위해 사용되는 내용표지기호로는 표시자와 지시자, 서브필드식별자가 있으며, JAPAN MARC에서는 지시자가 사용되지 않는다. This study intends to compare the structure of the record and the methods of content designation of the MARC formats based on UNIMARC, USMARC, KOMARC, CHINESE MARC and JAPAN MARC. The structure of the formats takes the similar form to base on ISO 2709. The methods of content designation of the fixed fields is analyzed into 6 categories. And of the content designators, JAPAN MARC does not use indicator.
모바일 애드 혹 네트워크에서 로드 밸런스를 이용한 분산 노드 설정에 관한 연구
오동근,오영준,이강환,Oh, Dong-Keun,Oh, Young-Jun,Lee, Kang-Whan 한국정보통신학회 2015 한국정보통신학회논문지 Vol.19 No.4
Mobile Ad hoc Network(MANET) consists of a node that has mobility. In MANET, the node has routing, the node builds a network of their own, no dependent infrastructure. Topology are exchanged due to node mobility in MANET. For reducing the change of topology, hierarchical network algorithm has been investigated. In hierarchical network, cluster member node communicates through cluster head node. When the load-balancing of cluster head node is exceed, assigned cluster member node can't communicate with base station. To solve this problem, we proposed Load Tolerance algorithm. The proposed algorithm, when cluster member node can't send a message by cluster head node that exceed load-balancing, then the cluster member node sends a message by selected load tolerance node. Through a simulation, the proposed algorithm improves packet delivery ratio in cluster routing. 모바일 애드 혹 네트워크(Mobile Ad hoc Network)는 유동성을 가진 노드들로 구성된 네트워크로써 각 노드들은 라우팅의 역할을 하여 통신기반 시설이 없어도 스스로 네트워크를 구축하는 기능을 가진다. 이러한 모바일 애드 혹 네트워크에서는 노드의 유동성에 의한 토폴로지의 변화가 빈번하며, 토폴로지의 변화를 줄이기 위해 계층적 네트워크에 대한 연구가 진행되었다. 계층적 네트워크에서 클러스터 멤버노드는 클러스터 헤드노드를 통해 통신하며, 클러스터 헤드노드의 패킷 저장 공간에 비해 수신 받은 패킷의 양이 초과하였을 경우, 소속된 클러스터 멤버노드는 패킷을 베이스스테이션에게 전송할 수 없다. 이러한 문제를 해결하기 위해 본 논문에서는 로드밸런싱을 이용하여 분산노드를 선정하는 Load Tolerance(LT)알고리즘을 제안한다. 본 논문에서 제안하는 알고리즘은 클러스터 멤버노드가 로드밸런싱이 집중되어 있는 클러스터 헤드노드에 의해 통신을 할 수 없는 경우, 선정된 LT노드를 통해 지속적인 통신을 하는 알고리즘이다. 모의실험 결과, 클러스터가 형성된 계층적 네트워크에서 제안된 알고리즘의 전송률이 향상됨을 확인하였다.
HVPE법으로 성장시킨 GaN substrate 제작과 특성 평가
오동근,최봉근,방신영,은종원,정준호,이성국,정진현,심광보,Oh, Dong-Keun,Choi, Bong-Geun,Bang, Sin-Young,Eun, Jong-Won,Chung, Jun-Ho,Lee, Seong-Kuk,Chung, Jin-Hyun,Shim, Kwang-Bo 한국결정성장학회 2010 한국결정성장학회지 Vol.20 No.4
본 연구에서는 HVPE을 이용하여 sapphire(001) 기판 위에 직경 2 inch, 두께 약 1.5 mm인 bulk GaN를 성장하고, 이를 mechanical polishing을 통해 $10{\times}10,\;15{\times}15$ mm 크기의 free-standing GaN template을 제작하여 그 특성을 평가하였다. 성장된 GaN 단결정의 X-ray diffraction pattern 결과 (002) 및 (004) 면으로부터의 회절에 의한 peak가 나타났으며, (002) 면의 DCXRD(Double crystal X-Ray diffraction) rocking curve peak의 반치폭(FWHM)은 98 arcsec으로 나타났다. 제작한 GaN template는 363 nm 파장에서 sharp한 PL spectrum을 나타내었으며, 불순물 defect에 의한 yellow 영역에서의 broad peak은 관찰되지 않았으며, 제작된 GaN template표면의 etch-pit 밀도는 $5{\times}10^6/cm^2$으로 매우 낮았다. 이러한 분석결과를 통하여 성장된 GaN template는 LED 및 LD 등의 청색 발광소자 및 고온, 고출력 소자용 기판재료로 응용이 가능할 것으로 생각 된다. Bulk GaN single crystal with 1.5 mm thickness was successfully grown by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) technique. Free-standing GaN substrates of $10{\times}10,\;15{\times}15$ mm size were fabricate after lift-off of sapphire substrate and their optical properties were characterized properties for device applications. X-ray diffraction patterns showed (002) and (004) peak, and the FWHM of the X-ray rocking curve (XRC) measurement in (002) was 98 arcsec. A sharp photoluminescence spectrum at 363 nm was observed and defect spectrum at visible range was not detected. The hexagonal-shaped etch-pits are formed on the GaN surface in $200^{\circ}C\;H_3PO_4$ at 5 minutes. The defect density calculated from observed etch-pits on surface was around $5{\times}10^6/cm^2$. This indicates that the fabricated GaN substrates can be used for applications in the field of optodevice, and high power electronics.
HVPE법으로 성장시킨 GaN 단결정의 wet etching에 의한 표면 변화
오동근,최봉근,방신영,강석현,김소연,김새암,이성국,정진현,김경훈,심광보,Oh, Dong Keun,Choi, Bong Geun,Bang, Sin-Yeong,Kang, Suk Hyun,Kim, So Yeon,Kim, Sae Am,Lee, Seong Kuk,Chung, Jin Hyun,Kim, Kyoung Hun,Shim, Kwang Bo 한국결정성장학회 2012 한국결정성장학회지 Vol.22 No.6
본 연구에서는 HVPE법으로 사파이어 기판(0001) 위에 성장시킨 GaN epilayer의 etching에 따른 표면변화 특성을 조사하였다. 주사전자 현미경(SEM) 관찰 결과, 3가지 형태를 갖는 육각형 모양의 etch pit(edge, screw, mixed) 들이 GaN epilayer의 두께 변화에 따라서 형성되었다. 이러한 관통전위들은(TDs) epilayer의 두께가 얇고, etch pit density가 높을수록 screw and mixed type TDs이 많이 관찰되었고, 두께가 증가할수록 etch pit density가 낮아지면서 edge and mixed type TDs들이 주로 존재하는 것을 관찰 할 수 있었다. In this paper, we investigated characteristics of etching induced surface morphology variation by wet etching of GaN epilayer were grown on sapphire (0001) substrate by hydride vapor phase epitaxy (HVPE). As a results of scanning electron microscope (SEM) observation, three types of hexagonal etch pits (Edge, Screw, Mixed) were formed by the GaN epilayer thickness variations. A lot of etch pits, attributed to screw and mixed type TD, were observed at thinner epilayer, leading to high etch pit density. On the other hand, the thickness of GaN epilayer increased with the number of etch pits corresponding to edge and mixed dislocations, which are the majority of TDs are observed.
EJB 기반의 워크플로우 정의 데이터베이스 에이전트 설계 및 구현
오동근 ( Dong-keun Oh ),김광훈 ( Kwang-hoon Kim ) 한국인터넷정보학회 2001 인터넷정보학회논문지 Vol.2 No.5
본 논문은 워크플로우 관리 시스템의 주요 기능 중에 하나인, 워크플로우 모델 정의 기능을 담당하는 EJB 기반의 DB 에이전트를 설계 및 구현함으로서, 이를 EJB 컴포넌트화 하는데 그 목적을 두고 있다. 본 논문에서 구현한 EJB 기반의 DB 에이전트는 빌드타임 클라이언트 각각의 모듈과 DB사이에 위치하여. OB에 대한 연결관리와 자료의 호출 및 저장을 수행한다. EJB의 장점으로는 분산객체 기술에 기반을 둔 표준 서버 측 컴포넌트 모델인 점과 그리고 시스템 장애(failover), 트랜잭션, 보안등의 기능들을 서버 차원에서 안정적으로 지원하는 기능을 가지고 있다. 이러한 EJB를 워크플로우에 적용함으로서 시스템이질성 및 상호 운영성의 제한과 급격히 증가하는 프로세스에 따른 시스템 오버헤드 및 장애(failure)에 대한 문제를 해결하여 시스템의 정확성과 신뢰성을 높일 수가 있다. This paper deals with an EJB-based database agent(component) used to define workflow processes, which is a core function of the e-Chautauqua workflow management system that is an on-going research product. We describe about how to design and implement the EJB-based DB agent that is deployed on EJB server as a component. The agent is located between the build-time clients and the database system, and manages database accesses, such as retrieves and stores, from the workflow definition components. Through the EJB technology, we are able to accomplish a stable database agent that can be characterized by the distributed object management, reliable recovery mechanism from system failovers, reliable large-scale transaction management, and the security functions.
오동근 ( Dong-keun Oh ),심백선 ( Back Sun Sim ),윤희용 ( Hee Yong Yoon ) 한국정보처리학회 2011 한국정보처리학회 학술대회논문집 Vol.18 No.2
최근 전 세계적으로 스마트폰의 열풍이 거세게 불고 있다. 본격적으로 출시된 지 얼마 되지 않은 스마트폰이 이렇게 인기를 끌게 된 원인을 분석하고, 스마트폰의 가장 큰 문제점인 보안 사고의 심각성과 원인, 해결 방안에 대해 연구한다.
오동근(Dong-Keun Oh),이정훈(Jung-Hoon Lee),홍정선(Jung-Sun Hong),정재우(Jae-Woo Jung),김광훈(Kwang-Hoon Kim),최성환(Sung-Hwan Choi),황재각(Jae-Gak Hwang),이용준(Yong-Jun Lee) 한국정보과학회 2003 한국정보과학회 학술발표논문집 Vol.30 No.2Ⅱ
ebXML은 단일한 방법으로 기업간 비즈니스 프로세스의 자동화를 지원할 수 있는 표준이다. 본 논문은 ebXML의 CPA(Collaboration Protocol Agreement) 및 BPS(Business Process Specification)에 정의된 내용에 따라 프로세스 자동화를 관리하는 BSI(Business Process Interface) 엔진의 주요 설계 내용을 기술한다. 고려 사항으로는 BPSS 1.05, CPA 2.0을 지원하였다.
오동근(Dong-Keun Oh),전종미(Jong-Mi Chun),홍정선(Jung-Sun Hong),오세원(Se-Won Oh),황재각(Jae-Gak Hwang),이용준(Yong-Jun Lee),김광훈(Kwang-Hoon Kim) 한국정보과학회 2002 한국정보과학회 학술발표논문집 Vol.29 No.2Ⅰ
인터넷을 기반으로 하는 전자상거래의 약진은 비단 국내뿐 아니라 전 세계적인 추세라 할 수 있다. 따라서 기업들은 전자상거래의 핵심 요소를 반영한 새로운 물류 시스템 체계를 구축하고, 기업간 상거래를 원활하게 수행하는데 필요한 프로세스 연계 방안을 함께 모색해야 한다. 오늘날 워크플로우 시스템은 이러한 전자상거래의 요구 사항을 수용하여 기업간 비즈니스 프로세스를 연계하고 그 수행을 자동화하는 새로운 솔루션으로써 각광을 받고 있다. 이에 본 논문은 기업간의 비즈니스 프로세스 자동화를 목적으로 하는 전자물류 워크플로우 모델링 시스템을 설계 및 구현한다. 이와 함께 기업간 상호 운영성의 투명성과 효율성을 보장하기 위한 가상 조직의 개념과 레지스트리 시스템을 제안 및 적용한다.