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- 저자 : 엄명윤(Myung Yoon Um) (검색결과 1 건)
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MOCVD Bi₄Ti₃O₁₂ 박막의 실리콘 위에서의 증착기구 및 유기 금속원료의 펄스주입법에 의한 박막 특성 개선
이석규(Seok Kiu Lee),김준형(Joon Hyeong Kim),최두현(Doo Hyun Choi),황민욱(Min Wook Hwang),엄명윤(Myung Yoon Um),김윤해(Yoon Hae Kim),김진용(Jin Yong Kim),김형준(Hyeong Joon Kim) 한국진공학회(ASCT) 2000 Applied Science and Convergence Technology Vol.9 No.4
실리콘 기판 위에서 TiO₂와 Bi₂O₃의 박막 성장은 반응속도론 측면에서 커다란 차이를 보였지만, Bi₄Ti₃O₁₂ (BIT) 박막의 성장은 주로 TiO₂ 성장 거동에 의해 지배를 받았다. 그 결과, BIT 박막은 bismuth가 부족한 조성을 가지게 되었다. 박막 내에 부족한 bismuth의 양을 보충해 줌으로써 이러한 문제점을 해결하고자 펄스 주입 유기 금속 화학 기상 증착(MOCVD) 방법을 사용하였다. 이러한 펄스 주입법에 의해 bismuth의 양은 증가하였고 또한, 박막의 깊이 방향으로의 조성이 균일해졌고 Bi₄Ti₃O₁₂과 Si사이의 계면이 향상되었다. 게다가, Bi₄Ti₃O₁₂ 박막의 결정성은 크게 향상되었고 누설 전류 밀도는 연속 주입법에 비해 ½에서 ⅓정도 낮아졌다. 시계 방향의 C-V 이력 곡선이 관찰되었고 이로 인해 펄스 주입법에 의해 증착된 Bi₄Ti₃O₁₂ 박막은 강유전성에 의해 스위칭이 됨을 알 수 있었다. There was a great difference in the formation kinetics of TiO₂ and Bi₂O₃ on silicon, but the growth of bismuth titanate (BIT) thin film was mainly limited by the formation of TiO₂. As a result, the BIT film was easy to be lack of bismuth. The pulse injection metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) process was introduced in order to overcome this problem by recovering the insufficient bismuth content in the film. By this pulse injection method, bismuth content was increased and also the uniform in-depth composition of the film was attained with a abrupt Bi₄Ti₃O₁₂/Si interface. In addition, the crystallinity of Bi₄Ti₃O₁₂ thin film prepared by pulse injection process was greatly improved and the leakage current density was lowered by ½~⅓ of magnitude. Clockwise hysteresis of C-V was observed and the ferroelectric switching was confirmed for Bi₄Ti₃O₁₂ film deposited by pulse injection method.
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