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- 저자 : 양태건(T. K. Yang) (검색결과 4 건)
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양태건,김재홍,Yang, T.K.,Kim, J.H. 한국진공학회 2011 Applied Science and Convergence Technology Vol.20 No.4
정상 세포로부터 암과 같은 종양세포를 제거하는 방법으로 라디오주파수의 전자파를 이용하여 세포가 사멸되는 임계온도보다 높은 온도로 국소 가열하는 발열 치료법이 임상에서 시술되고 있다. 그러나 이 기술은 임상에서 활발히 사용되기에는 여러 가지 제약 요인이 존재한다. 본 연구에서는 교류파 대신에 미소 직류전원을 사용하여 국소부위에 열을 발생하는 안전성이 증가된 방법의 실효성을 이론적으로 입증하고자 한다. 종양세포의 형태에 따라 적당한 모양의 전극을 종양조직에 삽입하고 종양조직의 형태와 유사한 열분포를 갖도록 제어하는 기술을 개발한다. 열원은 조직 내에 삽입된 전극과 매질에 형성되는 전기장에 의한 저항열이다. 종양 조직 내에 삽입된 전극에 10 V, 20 V, 30 V를 각각 인가하고 시간에 따른 열분포를 전산모의 하였다. 결과적으로, 20 V를 전극에 인가하면 1~2 분 이내에 버섯모양의 등온도 분포를 갖으며 세포를 고사시키는 온도 이상의 치료영역이 형성됨을 보였다. 4개의 전극에 대칭적인 전위를 인가하고 $50^{\circ}C$ 이상의 온도 분포를 암 조직의 모양과 유사하게 분포하도록 조절하여 효과적인 치료를 수행 할 수 있는 가능성을 제시하고자 한다. As a technique for removing cancerous tumors from normal tissue, radio-frequency electromagnetic waves were employed to heating target cells up to the critical temperature, which kills the cancerous cells. However, its use in treating tumors in soft organs is limited by inconvenient factors, which are use of high-currents and long time operation. In this work, the feasibility of the localized heating by inserting four conducting electrodes with tiny direct current is investigated. The heat source is resulting from the electric field as known as resistive heating. We have investigated the temperature distribution as a function of applying DC voltages ranging from 10 V to 30 V with 10 V step. From the simulation results, the mushroom-like lesion shape by applying 20 V is generated by four electrodes within a few minutes, that is proper to the clinical application.
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양전자 소멸 Auger 전자 에너지 측정을 위한 Time of Flight의 분해도 향상에 관한 이론적 연구
김재홍,양태건,이종용,이병철,Kim, J.H.,Yang, T.K.,Lee, C.Y.,Lee, B.C. 한국진공학회 2008 Applied Science and Convergence Technology Vol.17 No.4
저에너지(수 eV) 양전자 빔을 이용하여 도체나 반도체의 표면/계면의 물리화학적 특성 분석에 독특한 유용성이 보고 되고 있다. 기존의 표면 분석법에 비해 표면의 선택도가 향상되어 반도체 소자의 박막 두께가 얇아지는 최신기술에 적합한 분석법으로 주목을 받고 있다. 물질표면에 조사된 저에너지 양전자는 표면 근처의 image potential에 포획이 되어 표면에 있는 전자들과 쌍소멸하며 Auger 전자를 방출한다. 표면으로부터 방출된 Auger 전자의 에너지를 측정함으로 원자의 화학적 구별이 가능하므로 검출기의 에너지 분해도가 중요하다. 기존의 ExB 형태의 에너지 측정기는 분해도가 $6{\sim}10\;eV$ 정도이고 특정한 에너지 영역만을 일정시간 스캔하여 스펙트럼을 측정하므로 측정시간이 길어진다는 단점이 있다. 반면에 Time-Of-Flight(TOF) 시스템은 방출되는 전자들의 에너지를 동시에 검출하므로 측정시간이 단축되어 측정 효율이 향상된다. 에너지 분해도를 높이기 위해서는 측정하고자 하는 전자의 진행거리를 길게 할수록 좋으나, 공간적 제약을 고려한 reflected TOF 시스템과 retarding tube을 이용한 linear TOF 시스템의 에너지 분해도를 이론적으로 시뮬레이션하였다. Since the presence of the chemical impurities and defect at surfaces and interfaces greatly influence the properties of various semiconductor devices, an unambiguous chemical characterization of the metal and semiconductor surfaces become more important in the view of the miniaturization of the devices toward nano scale. Among the various conventional surface characterization tools, Electron-induced Auger Electron Spectroscopy (EAES), X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) and Secondary Electron Ion Mass Spectroscopy (SIMS) are being used for the identification of the surface chemical impurities. Recently, a novel surface characterizaion technique, Positron-annihilation induced Auger Electron Spectroscopy (PAES) is introduced to provide a unique method for the analysis of the elemental composition of the top-most atomic layer. In PAES, monoenergetic positron of a few eV are implanted to the surface under study and these positrons become thermalized near the surface. A fraction of the thermalized positron trapped at the surface state annihilate with the neighboring core-level electrons, creating core-hole excitations, which initiate the Auger process with the emission of Auger electrons almost simultaneously with the emission of annihilating gamma-rays. The energy of electrons is generally determined by employing ExB energy selector, which shows a poor resolution of $6{\sim}10eV$. In this paper, time-of-flight system is employed to measure the electrons energy with an enhanced energy resolution. The experimental result is compared with simulation results in the case of both linear (with retarding tube) and reflected TOF systems.
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²³Na(pγ)²⁴Mg반응을 이용한 ²⁴Mg의 13034 keV 공명준위의 분기율 및 스핀 결정
노태익,김기동,박상태,이대원,양태건,IGASHIRA, M. 東亞大學校附設基礎科學硏究所 1997 基礎科學硏究論文集 Vol.14 No.1
²⁴Mg 핵준위의 성질을 조사하기 위해, Ep=1424 keV에서 ²³Na(pγ)²⁴Mg 반응을 일으켰다. 입사 양성자 가속을 위해서 동경공업대학의 3 MeV Pelletron 가속기를 사용했고 방출된 감마선을 측정하기 위해 고순도(HP) Ge 검출기(식경 78.7 mm, 길이 86.5 mm)를 이용하였다. 표적은 순수 ²³Na을 Ta 판에 진공증착하여 만들었고, 표적내에서 빔의 에너지 손실은 1.381∼1.551 MeV의 입사 양성자에 대해 대략 150 keV이었다. 검출기의 에너지에 대한 검출효율 결정과 에너지 교정을 하기 위해 27Al(p,γ)28Si 반응(Ep=992 keV)의 감마선 에너지 스펙트럼을 이용했다. 본실험에서 ²⁴Mg 13054, 13034, 13965 keV의 세 공명준위를 얻었다. 특히 13034 keV 준위로부터 4239 keV, 5235 keV, 7617 keV, 9008 keV 준위로 전이할 때 각각의 분기율은 24.8±0.2%, 63.6±0.3%, 10.1±0.1%, 1.5±0.1% 이었다. 13034→4239 keV 전이에서 방출되는 감마선의 각분포를 측정한 결과 13034 keV 준위의 스핀값은 3+으로 결정되었다.
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Plastic 섬광검출기를 이용한 중성자의 분해능 및 광출력 연구
노태익,이대원,박상태,이삼열,양태건,김기동,IGASHIRA, M. 東亞大學校附設基礎科學硏究所 1997 基礎科學硏究論文集 Vol.14 No.1
Plastic 섬광검출기의 중성자에 대한 Response function을 작성하기 위한 기초연구로써, 중성자의 에너지에 따른 검출기의 분해능을 조사하였다. 또한 중성자에 의한 광출력을 측정하여 전자에 의한 광출력과 비교함으로써 중성자 에너지와 전자 에너지 사이의 관계식을 구하였다. 본 연구의 결과는 다른 연구자들과 비교함으로써 그 신뢰성을 확인하였으며 앞으로, Plastic 섬광검출기의 중성자에 대한 응답함수를 구성하는데 매우 중요한 자료가 된다. 또한 이 응답함수를 이용하여 unfolding 과정을 거치면 중성자 파고스펙트럼으로부터 중성자의 에너지 스펙트럼을 얻을 수 있다. In order to determine the response function of a plastic scintillator, we studied the resolution of a detector as a function of neutron energy. We also obtained a relation between the neutron energy and the electron energy by comparing the light output due to a neutron with that due to a neutron with that due to a electron. Using an unfolding process, we can obtain the spectra of the neutron energy from that of the neutron pulse height.
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