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안기석 ( Ki-seok An ) 한국환경농학회 2022 한국환경농학회 학술대회집 Vol.2022 No.-
유기농업자재란 유기농산물을 생산, 제조, 가공 또는 취급하는 과정에서 사용할 수 있는 허용물질을 원료 또는 재료로 하여 만든 제품으로 공시기관에 신청하여, 친환경농어업법 및 국립농산물 품질관리원 고시에 따라 심사가 이루어진다. 2007년 목록공시제도가 국내에 처음 도입된 이후 약 15년간 공시제도에 대하여 많은 개선이 있었으나, 국내 공시제도가 가지는 한계와 개선방안에 대하여 논의가 필요할 것으로 보인다. 또한, 세계 친환경농업 시장은 계속해서 증가하고 있으며, 친환경농업 및 유기농업자재의 발전과 향후 방향성에 대하여 논의가 필요하다.
안기석 ( Ki-seok An ) 한국환경농학회 2021 한국환경농학회 학술대회집 Vol.2021 No.-
유기농업자재란 유기농산물을 생산, 제조, 가공 또는 취급하는 과정에서 사용할 수 있는 허용물질을 원료 또는 재료로 하여 만든 제품으로 공시기관에 신청하여 심의를 거쳐 공시서가 발급된다. 유기농업자재는 친환경농어업법과 국립농산물품질관리원 고시의 공시기준에 따라 심사가 이루어지며, 공시 신청 시 절차에 따라 공시기관에서는 첫째, 각 구비서류와 검사성적서에 대한 서류심사, 둘째, 유기농업자재를 생산하는 제조장의 현장 심사를 수행하며, 공시기준에 적합할 경우 공시위원회에서 최종 심의를 거쳐 유기농업자재 공시서가 발급되어 유기농업자재로 인증된다. 본 강연에서는 유기농업자재 공시 인증을 받으려고 할 때 실제 심사 절차와 필요한 구비서류 및 주의사항을 소개한다.
안기석(Ki-Seok An),여환욱(Hwan-Wook Yeo),이경원(Kyung-Won Lee),이순보(Soon-Bo Lee),조용국(Yong-Kook Joh),박종윤(Chong-Yun Park) 한국진공학회(ASCT) 1993 Applied Science and Convergence Technology Vol.2 No.4
Si(111)7×7 위에 Mg를 흡착시켜 표면구조의 변화를 RHEED(Reflection High Energy Electron Diffraction)와 XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy)를 이용하여 연구하였다. RT~200℃까지의 기판온도에서 증착량의 증가에 따라 표면구조는(7×7)에서 diffused (1×1) 그리고 (2√3/3×2√3/3-R30°) 구조로 변화하였다. 또한, 기판온도를 증가시킴에 따라 (1×1), three domain (3×1) 등의 구조를 볼 수 있었고, 특히, 450℃의 기판온도에서는 single domain (3×1) 구조를 최초로 관측하였다. 이렇게 형성된 각 구조에 대한 Mg KLL과 Si2p의 XPS peak intensity ratio를 증착량의 증가에 따라 측정하여 각기 다른 온도에서의 Mg 성장에 대한 메카니즘을 제시하였다. Changes of the Si(111)7×7 surface structure upon Mg adsorption have been studied by RHEED (Reflection High Energy Electron Diffraction) and XPS (X-ray Photoelectron Spectrocopy). The RHEED pattern of Si(111)7×7 is changed to the diffused (1×1) and(2√3/3×2√3/3-R30°) patterns with increasing deposition time of Mg at room temperature. The three domain (3×1) structure appear at the adsorption temperature of 350℃. In particular, we first observed (1×1) and single domain (3×1) structures at adsorption temperature of 300, 450℃, respectively. From these results and measuring Mg KLL/Si2p XPS peak intensity ratio, we would expect that the relative coverages of Mg on Mg-induced (3×1) and (1×1) structure are to be 1/3 and 1 ML, respectively.
알칼리금속이 흡착된 Si(111)7×7 계의 초기 산화 과정 연구
황찬국(Chan-Cuk Hwang),안기석(Ki-Seok An),김정선(Jeong-Seon Kim),박래준(Rae-Jun Park),이득진(Deuk-Jin Lee),장현덕(Hyun-Duck Jang),박종윤(Chong-Yun Park),이순보(Soon-Bo Lee) 한국진공학회(ASCT) 1997 Applied Science and Convergence Technology Vol.6 No.2
X-선 광전자 분광법(x-ray photoelectron spectroscopy: XPS)과 반사 고에너지 전자 회절법(reflection high energy electron diffraction: RHEED)을 이용하여 상온과 고온(약 300~500℃)에서 알칼리금속(AM)/Si(111)7×7 표면의 초기 산화 과정에 대하여 연구하였다. 상온에서, Si(111)7×7 표면에 1 monolayer(ML)의 AM을 흡착시키면 Si(111)7×7 표면에 비해 산소의 초기 부착 계수 (initial sticking coefficient)와 산소의 포화량이 증가하는 반면 0.5ML 이하의 AM이 흡착된 경우는 깨끗한 Si(111)7×7 표면에 비하여 초기 부착 계수는 증가하지만 산소의 포화량은 증가하지 않았다. Si(111)7×7-AM 표면에 산소의 주입량을 증가시키면서 측정한 O Is 스펙트럼으로부터 AM이 흡착된 Si(111)7×7 표면에 흡착되는 산소원자는 Si-O, AM-O 두 종류의 결합형태를 가지는 것으로 생각되며 이중에서 AM-O 결합의 산화과정상에서의 역할에 대하여 논의하였다. 상온과는 달리 고온에서는, Si(111)3×1-AM 표면으로 구조가 변화하면서 산소의 흡착이 급격히 떨어지는 것을 관측할 수 있었다. 이때 3×1-AM 표면을 형성시키는 AM 종류의 산화에 대한 의존성을 살펴보았다. We have studied initial oxidation of the alkali metal(AM)/Si(111) surface using X-ray photoelectron spectroscopy(XPS) and reflection high energy electron diffraction(RHEED) at room temperature(RT) and high temperature(HT)(300~500℃). The oxidation of the Si(111)7×7 surface was promoted by the adsorption of 1 monolayer(ML) AM, whereas no promotion occurred for submonolayer(< 0.5 ML) adsorbed Si(111)7×7 surface at RT. 0 Is core level spectra were measured with increasing oxygen exposure. It was found that the oxygen adsorbed on the Si(111)7×7-AM surface have two different bond configurations, Si-O and AM-O, respectively. From these results, we discussed the role of AM-O bonding in the promoted oxidation. At HT(300~500℃), the AM-adsorbed surface became very inactive with the structural transformation to the 3×1-AM. We present the results of the oxidation of the Si(111)3×1-AM(Na, K, Cs) surface.
RHEED 장치의 제작과 K, Cs / Si(111) 계에 관한 연구
이경원(Kyung-Won Lee),안기석(Ki-Seok An),강건아(Kun-A Kang),박종윤(Chong-Yun Park),이순보(Soon-Bo Lee) 한국진공학회(ASCT) 1992 Applied Science and Convergence Technology Vol.1 No.1
표면구조 분석장치의 하나인 RHEED(Reflection High Energy Electron Diffraction) 장치를 설계ㆍ제작하였다. 전자선의 에너지는 0에서 20 keV까지 연속가변이 가능하도록 하였으며 전자선의 집속은 자기렌즈를 이용하였다. 이 장치를 본 연구실에서 제작한 초고진공용기에 장착하여 K, Cs/Si(111)계의 표면구조를 분석하였다.<br/> 깨끗한 Si(111)7×7 표면을 가지는 기판의 온도를 상온 및 200℃~700℃에서 K와 Cs를 증착시켰을 때 변화하는 표면구조를 RHEED로 관찰하였다. K의 경우, 상온에서 Si(111)7×7-K, 300℃~550℃에서 3×1 및 550℃ 이상에서 1×1 구조가 관측되었고, Cs의 경우는 상온에서 250℃까지는 1×1, 300℃에서 √3×√3, 350℃~400℃에서 √3×√3+3×1 구조가 관측되었다. RHEED apparatus which is one of the systems of surface structure analysis has been constructed. Electron beam is focused by means of magnetic lens, and the beam divergence is about 1×11^(-3) rad. The Acceleration voltage of this RHEED apparatus is continuously variable from 0 to 20㎸. K and Cs-adsorbed structures on Si(111)7×7 surface at room and high temperatures(200×700℃) have been investigated by RHEED. It is observed that the K and Cs-adsorbed Si(111)surface structures at saturation coverage are Si(111)7×7-K and Si(111)l×1-Cs at room temperature, respectively. When the specimen temperature was elevated during evaporation, the 3×1 structure appears in the range of temperature between 300℃ and 550℃, and the 1×1 structure appears above 550℃ in K/Si(111) system. Also, in Cs/Si(111) system the √3×√3structure appears at 300℃, and the √3×√3+3×1 structure appears between 350℃ and 400℃.