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연하장애의 진단 및 치료를 위한 시스템의 개발 및 분석 파라미터 추출
신동익,송영진,최경효,정호춘,허수진,Shin, D.I.,Song, Y.J.,Choi, K.H.,Cheong, H.C.,Huh, S.J. 대한의용생체공학회 2009 의공학회지 Vol.30 No.1
In this paper, we present the diagnosis system for swallowing disorder. There are some types of diagnosis device for swallowing disorder, for example, the video fluoroscopy, the nuclear medicine inspection, the endoscopy, EMG and motion analysis. But these systems need heavy devices or have dangerous nuclear exposure, so are uncomfortable for handicapped person. Our system has advantages of simplicity, accuracy and quantitative analysis. In addition to the diagnosis aspect, this system can be used to biofeedback treatment.
Source와 기판 거리에 따른 GaN nanowires의 합성 mode 변화 제어
신동익,이호준,강삼묵,윤대호,Shin, T.I.,Lee, H.J.,Kang, S.M.,Yoon, D.H. 한국결정성장학회 2008 韓國結晶成長學會誌 Vol.18 No.1
GaN nanowires는 수평 VPE법으로 합성 되었다. 본 실험에서는 source와 기판과의 거리가 합성된 GaN nanowires의 형상에 미치는 영향에 대하여 실험하였다. GaN nanowires는 $950^{\circ}C$ 온도에서 Ar 과 $NH_3$ 가스가 각각 1000, 50 sccm 의 유량에서 합성되었다. 합성된 GaN nanowires의 단면형태는 삼각형의 모양을 가졌으며, GaN nanowires의 길이는 200에서 500 nm 정도 였다. 합성된 GaN nanowires의 모양은 FESEM 으로 확인하였고, XRD 분석을 통하여 그 구조가 wurzite 구조인 것을 확인하였다. 또한, HRTEM 사진과 SAED 패턴을 통하여 합성된 GaN nanowires의 표면과 구조를 분석하였다. 성장된 GaN nanowires의 광학적 특성은 PL분석을 통하여 이루어졌다. We synthesized GaN nanowires with high quality using the vapor phase epitaxy technique. The GaN nanowires were obtained at a temperature of $950^{\circ}C$. The Ar and $NH_3$ flow rates were 1000 sccm and 50 sccm, respectively. The shape of the GaN nanowires was confirmed through FESEM analysis. We were able to conclude that the GaN nanowires synthesized via vapor-solid (VLS) mechanism when the source was closed to the substrate. On the other side, the VS mechanism changed to vapor-liquid-solid (VLS) as the source and the substrate became more distant. Therefore, we can suggest that the large amount of Ga source from initial growth interrupt the role of catalyst on the substrate.
LPE법으로 성장시킨 $Zn:LiNbO_3/Mg:LiNbO_3$ 단결정 박막의 구조적 특성
이호준,신동익,이종호,윤대호,Lee, H.J.,Shin, T.I.,Lee, J.H.,Yoon, D.H. 한국결정성장학회 2005 한국결정성장학회지 Vol.15 No.3
[ $Li_2CO_3-V_2O_5$ ], flux를 사용한 liquid phase epitaxy(LPE) 법을 사용하여 $LiNbO_3$ (001) 기판위에 5 mol% ZnO가 첨가된 $LiNbO_3$, 박막과 2 mol% MgO가 첨가된 $LiNbO_3$, 박막을 성장시켰다. $Zn:LiNbO_3$, 막과 $Mg:LiNbO_3$, 막과의 결정성과 격자 부정합은 x-ray rocking curve(XRC)로 분석되었다. 그리고 다층 박막의 단면에서의 ZnO와 MgO의 분포가 electron probe micro analyzer(EPMA)를 사용하여 관측되었다. The 5 mol% ZnO doped $LiNbO_3$ film and the 2 mol% MgO doped $LiNbO_3$ film were grown on the $LiNbO_3$ (001) substrate by liquid phase epitaxy (LPE) method with $Li_2CO_3-V_2O_5$ flux system. The crytsallinity and the lattice mismatch between $Zn:LiNbO_3$, film and $Mg:LiNbO_3$, film were analyzed by x-ray rocking curve (XRC). In addition, the ZnO and MgO distribution in the cross-section of the multilayer thin films was observed using electron probe micro analyzer (EPMA).
Ni/Si 기판을 사용하여 성장시킨 비결정질 $SiO_x$ 나노 와이어의 성장 메커니즘
송원영,신동익,이호준,김형섭,김상우,윤대호,Song, W.Y.,Shin, T.I.,Lee, H.J.,Kim, H.,Kim, S.W.,Yoon, D.H. 한국결정성장학회 2006 한국결정성장학회지 Vol.16 No.6
Vapor phase epitaxy(VPE)법을 사용하여 amorphous $SiO_x$. nanowires를 성장시켰다. Ni thin film을 촉매로 사용하여 Si 기판위에 $800{\sim}1100^{\circ}C$ 범위의 온도에서 성장시켰으며, $SiO_x$ nanowires의 성장 메커니즘은 Vapor-liquid-solid(VLS)으로 확인되었다. $SiO_x$ nanowires의 shape와 morphology는 scanning electron microscope(SEM)으로 분석하였으며, cotton-like형태이고 길이는 $10{\mu}m$정도였다. 그리고 구조적 특징은 transmission electron microscope(TEM)으로 관찰하였고, $SiO_x$ nanowires의 성분 분석은 energy dispersed X-ray spectroscopy(EDS)로 하였다. EDX spectrum으로 nanowires가 Si와 O로 구성되어졌음을 확인하였다. The amorphous $SiO_x$ nanowires were synthesized by the vapor phase epitaxy (VPE) method. $SiO_x$ nanowires were formed on silicon wafer of temperatures ranged from $800{\sim}1100^{\circ}C$ and nickel thin film was used as a catalyst for the growth of nanowires. A vapor-liquid-solid (VLS) mechanism is responsible for the catalyst-assisted amorphous $SiO_x$ nanowires synthesis in this experiment. The SEM images showed cotton-like nanostructure of free standing $SiO_x$ nanowires with the length of more than about $10{\mu}m$. The $SiO_x$ nanowires were confirmed amorphous structure by TEM analysis and EDX spectrum reveals that the nanowires consist of Si and O.
${\mu}-PD$ 법으로 성장시킨 near-stoichiometric 조성 $Zn:LiNbO_3$ fiber 단결정 성장 및 광손상 특성
이호준,서중원,신동익,송원영,윤대호,Lee, H.J.,Shur, J.W.,Shin, T.I.,Song, W.Y.,Yoon, D.H. 한국결정성장학회 2006 한국결정성장학회지 Vol.16 No.6
Micro-pulling down$({\mu}-PD)$법을 이용하여 직경 $0.8{\sim}1.0mm$, 길이 $30{\sim}35mm$의 ZnO가 첨가된 near-stoichiometric $LiNbO_3$, 단결정을 성장하였다. 성장된 결정의 결정구조를 powder x-tay diffraction(XRD) patterns으로 확인하였고, electron probe micro analysis(EPMA)를 이용하여 결정내 Zn 이온들이 균일하게 분포되었음을 확인하였다. 또한 2 mol% 이상의 ZnO 첨가시 $OH^-$ 흡수밴드의 특성이 크게 변화함을 관찰함으로써 ZnO 첨가량에 일치한 역치(threshold)가 존재함을 확인하였다. ZnO-doped near-stoichiometric $LiNbO_3$ single crystals of $0.8{\sim}1.0mm$ diameter and $30{\sim}35mm$ length were grown by the micro-pulling down (U-PD) method. The structure of the grown crystals was confirmed by powder x-ray diffraction (XRD) patterns. Electron probe micro analysis (EPMA) showed that Zn ions were homogeneously incorporated In grown crystals. The threshold in ZnO doping level was confirmed that an abrupt change in the features of $OH^-$ absorption band as doping level reaching about 2 mol%.