방송통신고등학교의 진로교육 요구조사

양희인 ( Hee In Yang ),강성국 ( Seong Guk Kang ),금지헌 ( Ji Heon Keum ),손찬희 ( Chan Hee Son ),이은철 ( Eun Cul Lee ),김동심 ( Dong Sim Kim ),송신지 ( Shin Ji Song ) 경북대학교 중등교육연구소 2014 중등교육연구 Vol.62 No.1

방송통신고등학교는 고등학교 학력이 없는 학습자의 학력취득을 목적으로 현재, 42개 일반고등학교에서 부설 형태로 운영하고 있다. 일반고등학교와 동일한 교과목을 중심으로 교육과정이 편성되고 있으나, 최근 10대 학습자의 증가와 성인학습자들의 학업부담 감소 등을 이유로 진로교육에 관한 필요성이 대두되고 있다. 따라서 본 연구는 고등학교 단계 진로교육 및 온라인교육 정책, 방송고 정책 및 현황을 분석하여, 방송통신고등학교 학생과 교사의 진로교육 요구를 살펴보고자 하였다. 진로교육 요구를 살펴보기 위해 방송통신고등학교 학생 428명, 교사는 108명을 대상으로 온라인 설문조사를 실시하였다. 연구결과는 다음과 같다. 첫째, 국가는 진로교육의 기회를 제공하고 소외계층이 자립할 수 있도록 프로그램과 예산을 지원 중임을 확인할 수 있었다. 둘째, 방송통신고등학교 학생에게도 이런 지원을 바탕으로 개개인의 특성에 적합한 진로교육 프로그램이 제공되어야 할 것이다. 셋째, 학생들의 요구가 높은 경영정보과정, 보육과정, 조리과정을 중심으로 한 방송통신고등학교 전문교과의 편성이 확대되어야 한다. The open high school has been offered an opportunity of secondary education, such as online classes, attending classes and correction guidance to practical use, for 40 years since school opened. Recently, the open high school is interested in career education for increase in teenage student and adult learner’s learning burden. The purpose of this study was to provide practical measures to meet career education that is needed in open high school. For this study, 428 students and 108 teachers at open high school in Korea completed online surveys in the fall semester of 2013. The result of this study is as follow: first, government of the nation in a process of providing the opportunity for career education and offering programs to support budget for the independence of neglected class. Second, a proper career education program based on the national support above should be provided to individual open high school students. Third, the open high school curriculum should be expanded vocational subjects in. particular information management courses, to child care courses and cooking courses

광 입사각이 BIPV에 적용되는 단결정 또는 비정질 실리콘 태양전지의 양자효율에 미치는 영향

강정욱,손찬희,조광섭,유진혁,김정식,박창균,차성덕,권기청,Kang, Jeong-Wook,Son, Chan-Hee,Cho, Guang-Sup,Yoo, Jin-Hyuk,Kim, Joung-Sik,Park, Chang-Kyun,Cha, Sung-Duk,Kwon, Gi-Chung 한국진공학회 2012 Applied Science and Convergence Technology Vol.21 No.1

건재 일체형 태양광발전(BIPV) 응용을 위해 광 입사각에 따른 태양전지의 변환 효율은 중요하다. 양자효율은 태양전지의 파장별 전자 수집효율을 말하며, 입사각별 양자효율 측정으로 입사각에 따른 태양전지 출력 변화 요인을 분석할 수 있다. 이러한 입사각별 양자효율은 태양전지 종류에 따라 차이를 보인다. 본 연구에서는 가장 많이 쓰이는 벌크형 단결정 실리콘 태양전지와 박막형 비정질 실리콘 태양전지의 입사각별 양자효율을 비교하였다. 그 결과, 단결정 실리콘 태양전지에서는 광 입사각이 증가함에 따라 전 파장영역에서 양자효율이 감소했다. 반면, 비정질 박막 실리콘 태양전지에서는 단파장 영역에서는 결정질 실리콘과 동일하게 감소하였으나, 그 이후의 흡수 영역에서 약 $40^{\circ}$의 입사각까지 증가 또는 일정한 양자효율을 보이다가 이후에 급격히 감소하는 결과를 얻었다. 이는 비정질 박막 실리콘 태양전지에서 입사각이 증가함에 따라 특정 파장 영역에서 산란과 박막 구조의 영향으로 예상된다. 따라서, 태양전지의 구조 및 광학 구조 최적화 등으로 BIPV 적용에 유리한 구조 태양전지 제작이 가능할 것으로 보인다. The conversion efficiency of solar cells depending on incident angle of light is important for building-integrated photovoltaics (BIPV) applications. The quantum efficiency is the ratio of the number of charge carriers collected by the solar cell to the number of photons of a given energy shining on the solar cell. The analysis of angle dependence of quantum efficiencies give more information upon the variation of power output of a solar cell by the incident angle of light. The variations in power output of solar cells with increasing angle of incidence is different for the type of cell structures. In this study we present the results of the quantum efficiency measurement of single-crystalline silicon solar cells and a-Si:H thin-film solar cells with the angle of incidence of light. As a result, as the angle of incidence increases in single-crystalline silicon solar cells, quantum efficiency at all wavelength (300~1,100 nm) of light were reduced. But in case of a-Si:H thin-film solar cells, quantum efficiency was increased or maintained at the angle of incidence from 0 degree to about 40 degrees and dramatically decrease at more than 40 degrees in the range of visible light. This results of quantum efficiency with increasing incident angle were caused by haze and interference effects in thin-film structure. Thus, the structural optimization considering incident angle dependence of solar cells is expected to benefit BIPV.

새로운 대기압 플라즈마 제트를 이용한 태양전지용 고농도 선택적 도핑에 관한 연구

조이현,윤명수,손찬희,조태훈,김동해,서일원,노준형,전부일,김인태,최은하,조광섭,권기청,Cho, I Hyun,Yun, Myung Soo,Son, Chan Hee,Jo, Tae Hoon,Kim, Dong Hea,Seo, Il Won,Rho, Jun Hyoung,Jeon, Bu Il,Kim, In Tae,Choi, Eun Ha,Cho, Guangsup,Kwon, 한국진공학회 2013 Applied Science and Convergence Technology Vol.22 No.5

태양전지 제조공정에서 열처리로 레이저를 사용하는 도핑공정은 태양전지의 성능을 결정짓는 중요한 요소이다. 그러나 퍼니스를 이용하는 공정에서는 선택적으로 고농도(Heavy) 도핑영역을 형성하기가 어렵다. 레이저를 사용한 선택적 도핑의 경우 고가의 레이저 장비가 요구되어지며, 레이저 도핑 후 고온의 에너지로 인한 웨이퍼의 구조적 손상 문제가 발생된다. 본 연구는 저가이면서 코로나 방전 구조의 대기압 플라즈마 소스를 제작하였고, 이를 통한 선택적 도핑에 관한 연구를 하였다. 대기압 플라즈마 제트는 Ar 가스를 주입하여 수십 kHz 주파수를 인가하여 플라즈마를 발생시키는 구조로 제작하였다. P-type 웨이퍼(Cz)에 인(P)이 shallow 도핑 된(120 Ohm/square) PSG (Phosphorus Silicate Glass)가 제거되지 않은 웨이퍼를 사용하였다. 대기압 플라즈마 도핑 공정 처리시간은 15 s와 30 s이며, 플라즈마 전류는 40 mA와 70 mA로 처리하였다. 웨이퍼의 도핑프로파일은 SIMS (Secondary Ion Mass Spectroscopy)측정을 통하여 분석하였으며, 도핑프로파일로 전기적 특성인 면저항(sheet resistance)을 파악하였다. 도펀트로 사용된 PSG에 대기압 플라즈마 제트로 도핑공정을 처리한 결과 전류와 플라즈마 처리시간이 증가됨에 따라 도핑깊이가 깊어지고, 면저항이 향상하였다. 대기압 플라즈마 도핑 후 웨이퍼의 표면구조 손상파악을 위한 SEM (Scanning Electron Microscopy) 측정결과 도핑 전과 후 웨이퍼의 표면구조는 차이가 없음을 확인하였으며, 대기압 플라즈마 도핑 폭도 전류와 플라즈마 처리시간이 증가됨에 따라 증가하였다. Doping process using laser is an important process in fabrication of solar cell for heat treatment. However, the process of using the furnace is difficult to form a selective emitter doping region. The case of using a selective emitter laser doping is required an expensive laser equipment and induce the wafer's structure damage due to high temperature. This study, we fabricated a new costly plasma source. Through this, we research the selective emitter doping. We fabricated that the atmospheric pressure plasma jet injected Ar gas is inputted a low frequency (a few tens kHz). We used shallow doping wafers existing PSG (Phosphorus Silicate Glass) on the shallow doping CZ P-type wafer. Atmospheric plasma treatment time was 15 s and 30 s, and current for making the plasma is 40 mA and 70 mA. We investigated a doping profile by using SIMS (Secondary Ion Mass Spectroscopy) and we grasp the sheet resistance of electrical character by using doping profile. As result of experiment, prolonged doping process time and highly plasma current occur a deeper doping depth, moreover improve sheet resistance. We grasped the wafer's surface damage after atmospheric pressure plasma doping by using SEM (Scanning Electron Microscopy). We check that wafer's surface is not changed after plasma doping and atmospheric pressure doping width is broaden by increase of plasma treatment time and current.

구성주의 기반의 현장학습 지원 시스템의 설계 및 구현

안성훈 ( Seong Hun Ahn ),손찬희 ( Chan Hee Son ) 한국컴퓨터교육학회 2008 컴퓨터교육학회 논문지 Vol.11 No.5

BIPV용 건식 및 습식 텍스쳐링 공정에 의한 다결정실리콘 태양전지 모듈 특성 연구

서일원(Seo, Il-Won),윤명수(Yun, Myung-Soo),조태훈(Jo, Tae-Hoon),손찬희(Son, Chan-Hee),차성호(Cha, Sung-Ho),이상두(Lee, Sang-Du),권기청(Kwon, Gi-Chung) 한국신재생에너지학회 2013 신재생에너지 Vol.9 No.2

Multi-crystalline silicon solar cells is not exist a specific crystal direction different from single crystalline silicon solar cells. In functional materials, therefore, isotropic wet etching of mc-Si solar cell is easy the acid solution rather than the alkaline solution. The reflectance of wet texturing process is about 25% and the reflectance of RIE texturing process is achieved less than 10%. In addition, wet texturing has many disadvantages as well as reflectance. So wet texturing process has been replaced by a RIE texturing process. In order to apply BIPV, RIE and wet textured multi-crystalline silicon solar cell modules was manufactured by different kind of EVA sheet. Moreover, in case of BIPV, the short circuit current characteristics according to the angle of incidence is more important, because the installation of BIPV is fixed location. In this study, we has measured SEM image and I-V curve of RIE and wet textured silicon solar cell and PV module. Also we has analyzed quantum efficiency characteristics of RIE and wet textured silicon solar cell for PV modules depending on incidence angle.

이종접합 (HIT) 태양전지용 TCO 로 응용 가능한 BZO (ZnO:B) 박막 연구

유하진(Yoo Ha-Jin),유진혁(Yoo Jin-Hyuk),강민성(Kang Min-Sung),최현곤(Choi Hyun-Gon),손찬희(Son Chan-Hee),강정욱(Kang Jung-Wook),홍진(Hong-Jin),최은하(Choi Eun-Ha),조광섭(Cho Guang-Sup),권기청(Kwon Gi-Chung) 한국태양에너지학회 2010 한국태양에너지학회 학술대회논문집 Vol.2010 No.11

BZO (ZnO:B) thin films were grown by low pressure metal-organic chemical vapor deposition (LP-MOCVD) using diethylzinc (DEZ), and H2O as reactant gases and diborane (B2H6) as an n-type dopant gas. Boron and hydrogen were used as a co-dopant and post treatment using hydrogen plasma was performed in oder to boost the effect of co-doping. The structural and electrical of BZO thin films at different H₂ O/DEZ ratio were investigated. At the optimized conditions, low resistivity (1.69?10-3 Ω㎝) and sheet resistance (58 Ω/□) were obtained for the thickness of ~300 ㎚ BZO thin films deposited on glass substrate at the temperature of 453 K and processing pressure of 0.5 Torr. With the application of BZO thin films as transparent conductive oxide (TCO) in hetero-junction intrinsic thin layer (HIT) solar cell, the conversion efficiency was comparable to or higher than the commercialized ITO thin films.