ICT를 활용한 원격 그룹조명 제어시스템 구현

나철훈(Cheol-hun Na),부수일(Su-il Boo) 한국정보통신학회 2021 한국정보통신학회 종합학술대회 논문집 Vol.25 No.2

사물인터넷을 이용하여 인간과 다양한 기기가 상호 연결되어 다양하게 활용되고 있다. 본 연구에서는 ICT를 이용하여 원격지와의 동기 제어시스템을 구축하고 이를 활용한 보행자용 신호시스템을 구현하였다. 제어기 구현을 위해서 PLC 회로를 활용하였으며, 이를 통해 무선 제어신호 송신 및 수신, LED 램프 발광제어, 전원제어 등을 수행하였다. 제어기 및 보행자 전용 신호등 시스템 구축을 통해서 메인 제어기로부터 원격지의 서브 제어기와의 신호 동기가 가능함을 확인하였고, 도로 양쪽에 설치된 보행신호 등 시스템의 램프 신호 동기화를 구현하였다. 이 결과로 1:1 원격제어, 혹은 1:N의 원격 그룹제어가 가능함을 확인하였으며, 이 결과물은 다양한 분야에 활용될 수 있다. Humans and various devices are interconnected using the Internet of Things and are used in various ways. In this study, synchronization control system with remote locations was constructed using ICT, and a signal system for pedestrians was implemented using the system. PLC circuits were used to implement controllers, through which wireless control signal transmission and reception, LED lamp emission control, and power control were performed. It was confirmed that signal synchronization from the main controller to the remote sub-controller was possible by establishing a controller and pedestrian traffic light system, and lamp signal synchronization of the pedestrian traffic light system installed on both sides of the road was implemented. As a result, it was confirmed that 1:1 remote control or I:N remote group control was possible, and this result can be used in various fields.

AIP법으로 제조한 TiO₂ 광촉매의 냄새성분 제거성능

정운조 ( Woon-jo Jeong ),부수일 ( Su-il Boo ),공춘식 ( Chun-sik Kong ),강상준 ( Sang-jun Kang ),김기중 ( Ki-joong Kim ),안호근 ( Ho-geun Ahn ) 한국환경기술학회 2008 한국환경기술학회지 Vol.9 No.3

본 연구에서는 AIP(arc ion plating)법으로 제조한 나노기공 구조의 TiO₂ 코팅 광촉매를 사용하여, 냄새성분 아세트알데히드, 케톤 및 퓨란의 광분해 활성을 폐쇄계 반응시스템에서 조사하였다. 슬라이드 글라스와 스텐레스 와이어 망을 기판으로 사용하였고, AIP 시스템에서 Ar과 O₂의 가스량 비와 전체 가스압을 변화시켜서 TiO₂ 박막을 제조하여 증착특성을 조사하였다. 최적의 기판온도, 가스압력과 산소 유량은 각각 350℃, 15~20mTorr과 100㎤/min부근 이었다. 산소 유량이 100㎤/min 이상일 때는 그 유량이 증가함에도 불구하고 그 두께는 400~600nm 부근으로 크게 변화하지 않고 포화되는 양상을 나타내었다. 증착된 TiO₂ 박막은 전체적으로 anatase 상이 잘 나타나지만 10mTorr 이하에서는 상대적으로 미약한 피크가 나타났다. 그리고 산소 유량이 50㎤/min 이하에서는 챔버 용적에 비해 산소가 너무 소량이 공급되어 미처 Ti과 반응이 이루어지지 않은 것으로 생각되었다. 광촉매의 분해활성은 아세트알데히드, 메틸에틸케톤, 퓨란의 순으로 높게 나타났다. 결과적으로, AIP법으로 제조한 스텐레스 와이어 망 형태의 광촉매는 냄새성분의 분해에 매우 효과적임을 알았다. In this study, photocatalytic performance of acetaldehyde, methyl ethyl ketone, and furan in circulating closed reactor system was investigated using nanopore-structured TiO₂ film prepared by AIP (arc ion plating) method. Slide glass and wire cloth-typed stainless steel were used as a substrate. TiO₂ film was prepared with varying the flow rate ratio of Ar to O₂ and total gas pressure in AIP system. Optimum substrate temperature, gas pressure, and flow rate of O₂ for formation of thin film was 350℃, 15~20mTorr, and about 100㎤/min, respectively. When flow rate of O₂ was over 100㎤/min, the thickness of the film was saturated and kept to range of 400nm to 600nm even though the flow rate was increased. TiO₂ thin film was uniformly formed to anatase phase, but its peak below 10mTorr was relatively weak. In O₂ flow rate of below 50㎤/min, the reaction of Ti and O₂ did not proceed well due to deficiency of O₂ in chamber. Decomposition activity of the photocatalyst was high in order of acetaldehyde, methyl ethyl ketone, and furan. As a result, stainless steel mesh-typed photocatalyst prepared by AIP method was very efficient to removal of odorous compounds.

다경로 페이딩 채널에서 다중셀을 고려한 DS / CDMA 신호의 코드획득에 관한 연구

전범석(Bum Seok Chun),부수일(Su Il Boo),김철성(Cheol Sung Kim) 전남대학교 전자통신기술연구소 1998 전자통신기술논문지 Vol.1 No.1

N/A

W-CDMA 신호의 통계적 특성에 대한 수학적 모델에 관한 연구

정철수(Cheol-Soo Jeong),김형진(Hyung-Jin Kim),부수일(Su-Il Boo),김철성(Cheol-Sung Kim) 대한전자공학회 1999 대한전자공학회 학술대회 Vol.1999 No.6

반응성 스퍼터링법으로 제조된 TaN 박막의 특성에 관한 연구

정운조 ( Woon-jo Jeong ),문인섭 ( In-seob Moon ),조순계 ( Soon-kye Cho ),부수일 ( Su-il Boo ),안호근 ( Ho-geun Ahn ) 한국환경기술학회 2007 한국환경기술학회지 Vol.8 No.3

높은 경도와 밀착력이 요구되는 각종 공구류 코팅 및 정밀 박막 저항체로서 혹은 집적회로에서 구리나 알루미늄 배선에 대한 확산 방지막으로 가장 효과적인 TaN 박막의 균일 코팅 공정 기술을 반응성 스퍼터링 방법으로 제조하고 그 구조적 및 기계적 특성을 고찰하였다. 그 결과 DC sputtering 법에서 도출된 최적의 기판온도와 질소 가스비는 각각 100℃, 20% 부근 이었으며, 이때 제작된 TaN 박막의 비커스 경도와 부착력 및 면저항은 각각 약 4,000Hv, 30N, 1mΩ/square 부근으로 나타났다. Tantalum nitride(TaN) thin films are attractive for use as the coating of various precision tools which need hardness and adhesion, or the precision thin film resistors, and the diffusion barriers in metal(copper or aluminum)-semiconductor contacts. In this work, we have investigated the mechanical and structural properties of TaN films fabricated by a reactive sputtering technique at different nitrogen partial pressures. From the sputtering results, the optimal values for the substrate temperature and the nitrogen gas ratio were around 100℃ and 20% respectively. Under these conditions, vickers hardness, adhesion force, and sheet resistance were estimated at around 4,000Hv, 30N, 1mΩ/square respectively.

스텐레스강 평직망을 지지체로 한 TiO₂ 광촉매 제조 및 분해성능

최다영 ( Da-young Choi ),강상준 ( Sang-jun Kang ),김기중 ( Ki-joong Kim ),장승호 ( Seung-ho Jang ),부수일 ( Su-il Boo ),정운조 ( Woon-jo Jeong ),손보균 ( Bo-kyun Sohn ),안호근 ( Ho-geun Ahn ) 한국환경기술학회 2009 한국환경기술학회지 Vol.10 No.3

본 연구에서는 스텐레스강 평직망(SSWC)을 고온산화법, 습식산화법 그리고 sanding법으로 전처리한 후에 sol-gel법과 AIP (Arc Ion Plating)법으로 이산화티타늄(TiO₂) 광촉매를 코팅하였다. 질소가스 흡착, 주사전자현미경과, 그리고 X-선회절분석기를 통해 물리적 특성을 분석하고, 폐쇄계 순환 반응기를 이용하여 에틸렌과 아세트알데히드에 대한 광분해 활성을 조사하였다. 이 결과 고온산화법으로 800℃에서 12hr 전처리한 SSWC가 TiO₂ 코팅을 위한 최적의 표면상태를 보여주었으며, 에틸렌에 대한 광분해 활성도 가장 높았다. 또한 AIP법 보다 sol-gel법이 높은 에틸렌의 광분해 활성을 보여주었으며, 그리고 sol-gel법으로 제조된 TiO₂/SSWC 광촉매는 SSWC가 32mesh, TiO₂ 담지회수는 2회가 광분해 활성이 가장 우수함을 보였다. In this study, TiO₂ photocatalyst supported on stainless steel wire cloth (SSWC), which were pretreated with high thermal oxidation, wet oxidation, and sanding, prepared by sol-gel and AIP (Arc Ion Plating) methods. These catalysts were characterized by N₂ gas adsorption, scanning electron microscopy (SEM), and X-ray diffraction (XRD). Also, decomposition of ethylene and acetaldehyde were investigated by atmospheric closed system circulating reactor. As a results, optimum condition for TiO₂ support on SSWC was obtained by high thermal oxidation at 800℃ for 12hr. Also, catalytic activity of TiO₂/SSWC catalyst prepared by sol-gel method was higher than AIP method in ethylene oxidation, and acetaldelyde was easier oxidized than ethylene. Furthermore, among the TiO₂/SSWC catalysts prepared by sol-gel method, the maximum catalytic activity for ethylene oxidation was obtained over 32mesh SSWC, and the optimum loading number was 2 times.

전자빔 증착법으로 제조된 박막 태양전지용 CuGaS₂ 박막의 특성

정운조 ( Woon-jo Jeong ),문인섭 ( In-seob Moon ),조순계 ( Soon-kye Cho ),김민기 ( Min-ki Kim ),김운섭 ( Woon-sub Kim ),부수일 ( Su-il Boo ),안호근 ( Ho-geun Ahn ),양현훈 ( Hyeon-hun Yang ),박계춘 ( Gye-choon Park ) 한국환경기술학회 2008 한국환경기술학회지 Vol.9 No.2

전자빔 증착법에 의해 70℃의 기판온도와 350℃에서 60분 동안 열처리한 경우 단상의 CuGaS₂ 박막이 얻어졌으며, 이때의 XRD 회절 피크는 회절각 28.8°에서 (112)방향으로 가장 강한 피크가 나타났고, 두 번째로 강한 피크는 회절각 49.1°에서 (204)방향을 나타났다. 또한 CuGaS₂ 박막의 격자상수 a와 c는 각각 5.37Å과 10.54Å이었다. 그리고 CuGaS₂ 박막의 그레인 사이즈는 최대 1μm 정도였다. 또한 황이 과잉 공급된 CuGaS₂ 박막의 (112) 피크가 황이 추가로 공급되지 않은 경우에 비해 약 10% 정도 더 강하게 나타남을 알 수 있었다. 그리고 이와 같은 제조된 CuGaS₂ 박막의전기저항률, 홀 이동도 및 캐리어 농도는 각각 1.4Ω-cm, 15㎠/V·sec and 2.9×10¹⁷cm^-3이었다. 본 연구에서 CuGaS₂ 박막의 저항률은 홀 이동도보다 캐리어 농도에 더 지배적임을 알 수 있었고, 상기와 같이 제조된 CuGaS₂ 박막은 모두 p-type 반도체 특성을 나타냈다. By EBE(Electron Beam Evaporation) method, Single phase CuGaS₂ thin film with the highest diffraction peak of (112) at diffraction angle(2θ) of 28.8˚ was made at substrate temperature of 70℃, annealing temperature of 350℃ and annealing time of 60min. And second highest (204) peak was shown at diffraction angle of (2θ) of 49.1˚. Lattice constant of a and c of that CuGaS₂ thin film was 5.37Å and 10.54Å respectively. The greatest grain size of the thin film was about 1㎛. The (112) peak of single phase of CuGaS₂ thin film at annealing temperature of 350℃ with excess S supply was appeared with a little higher about 10% than that of no excess S supply. And the resistivity, Hall mobility and carrier concentration at room temperature of p-type CuGaS₂ thin film was 1.4Ω-cm, 15㎠/V·sec and 2.9×10¹⁷cm^-3 respectively. It was known that carrier concentration had considerable effect than mobility on variety of resistivity of the fabricated CuGaS₂ thin film, and the polycrystalline CuGaS₂ thin films were made at these conditions were all p-type.