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        소결 조건이 스크린 인쇄법으로 제조한 PZT계 후막의 물성에 미치는 영향

        이봉연,천채일,김정석,김준철,방규석,이형규,Lee, Bong-Yeon,Cheon, Chae-Il,Kim, Jeong-Seog,Kim, Jon-Chul,Bang, Kyu-Seok,Lee, Hyeung-Gyu 한국세라믹학회 2001 한국세라믹학회지 Vol.38 No.10

        스크린 인쇄법으로 알루미나 기판 위에 PZT 후막을 제조하였으며, 공기 또는 Pb 분위기의 $750{\sim}1050^{\circ}C$에서 1시간 동안 소결하여 소결 조건이 후막의 물성에 미치는 영향을 조사하였다. 공기 중에서 $950^{\circ}C$ 이상의 온도로 소결한 PZT 후막에는 파이로클로 상이 제 2상으로 존재하고 있었으며, Pb분위기에서 소결한 PZT 후막이 공기 중에서 소결한 후막보다 치밀한 미세구조와 큰 유전상수 그리고 잘 발달된 P-E 이력특성을 보였다. $900^{\circ}C$의 Pb 분위기에서 소결한 PZT 후막은 잘 포화된 전형적인 강유전 P-E 이력곡선 모양을 보였으며, 잔류분극과 항전계가 각각 $29.8{\mu}C/cm^2$, 48.4 kV/cm이었다. PZT thick films were fabricated on alumina substrates by a screen printing method. They were sintered at $750^{\circ}C{\sim}1050^{\circ}C$ for 1 h under air or Pb atmosphere. Pyrochlore was observed as a second phase in PZT thick films sintered in air at temperatures of $950^{\circ}C$ and higher. PZT thick films sintered under Pb atmosphere showed denser microstructure, higher dielectric constant, and better-developed P-E hysteresis curve than the films sintered in air. PZT thick films sintered at $900^{\circ}C$ under Pb atmosphere showed the typical ferroelectric hysteresis with remanent polarization of $29.8{\mu}C/cm^2$ and coercive field of 48.4 kV/cm.

      • SCOPUSKCI등재

        Microwave Dielectric Properties of (${Pb_{0.2}}{Ca_{0.8}}$)[$({Ca_{1/3}}{Nb_{2/3}})_{1-x}{Ti_x}$$O_3$ 세라믹스의 마이크로파 유전특성

        김응수,김용현,김준철,방규석,Kim, Eung-Soo,Kim, Yong-Hyun,Kim, Jun-Chul,Bang, Kyu-Seok 한국재료학회 2001 한국재료학회지 Vol.11 No.8

        ($Pb_{0.2}$$Ca_{0.8}$ )[($Ca_{1}$3$Nb_{2}$3/)$_{1-x}$ $Ti_{x}$ ]O$_{3}$ 세라믹스의 $^{4+}$ 치환량 변화에 따른 마이크로파 유전특성을 고찰하였다. $Ti^{4+}$ 치환량이 증가함에 따라 x=0.05부터 x=0.15까지의 조성범위에서는 단일상의 페롭스카이트상을 얻을 수 있었으며, x=0.2이상에서는 $Ti_2$와 $CaNb_2$$O_{6}$ 가 제 2상으로 존재하였고, 결정구조는 x=0.05에서 사방정(orthorhombic) 구조가 x=0.35에서 이방정(cubic) 구조로 전이하였다. 유전상수(K)는 $Ti^{4+}$ 치환량의 증가에 따라 rattling 효과의 증가로 인하여 증가되었으며, B-자리 양이온의 평균이온반겨의 세제곱의 반비례하였다. 그러나 결정립 크기의 감소와 제 2상의 존재로 인하여 Qf값은 감소하였다. $Ti^{4+}$ 치환량이 증가됨에 따리 tolerance factor(t)와 B-자리 결합원자가의 영향으로 공진주파수의 온도계수(TCF)는 -27.36ppm/$^{\circ}C$값으로부터 +18ppm/$^{\circ}C$r값으로 조절되었다. $1350^{\circ}C$d서 3시간 소결한 ($Pb_{0.2}$ $Ca_{0.8}$ )[(Ca$_{1}$3$Nb_{2}$3)$_{1-x}$ /$Ti_{x}$]$O_{3}$ 시편에서 K=51.67, Qf=7268(GHz), TCF=0 ppm/$^{\circ}C$의 우수한 특성을 얻을 수 있었다. Microwave dielectric properties of $(Pb_{0.2}Ca_{0.8})[(Ca_{1/3}Nb{2/3})_{1-x}Ti_x]O_3$ ceramics were investigated as a function of $Ti^{4+}$ content (0.05$\leq$x$\leq$0.35). A single perovskite phase was obtained from x=0.05 to x=0.15, and $TiO_2$ and $CaNb_2O^6$ were detected as a secondary phase beyond x=0.2. The structure was changed from orthorhombic at x=0.05 to cubic at x=0.35. Dielectric constant(K) was increased with increase of $Ti^{4+}$ content due to increase of rattling effect, and was inversely proportional to the cube of the average radius of B-site cation, however, Qf value was decreased, which was due to the decrease of grain size and the secondary phase. With the increase of $Ti^{4+}$ content, the temperature coefficient of resonant frequency(TCF) was controlled from -27.36 ppm/$^{\circ}C$ value to +18.4 ppm/$^{\circ}C$ value, which was caused by the influence of tolerance factor(t) and the bond valence of B-site. Typically, K of 51.67, Qf of 7268(GHz), TCF of 0 ppm/$^{\circ}C$ were obtained in the $(Pb_{0.2}Ca_{0.8})[(Ca_{1/3}Nb_{2/3})_{0.8}Ti_0.2]O_3$ sintered at 13$50^{\circ}C$ for 3h.

      • KCI등재

        고유전율/저유전율 LTCC 동시소성 기판의 휨 현상

        조현민,김형준,이충석,방규석,강남기,Cho, Hyun-Min,Kim, Hyeong-Joon,Lee, Chung-Seok,Bang, Kyu-Seok,Kang, Nam-Kee 한국마이크로전자및패키징학회 2004 마이크로전자 및 패키징학회지 Vol.11 No.3

        In this paper, warpages of heterogeneous LTCC substrates comprised of high K/low K hi-layered structure were investigated. The effect of glass content in high K LTCC layer on the warpage of substrate during co-firing process was examined. Shrinkage and dielectric properties of high K and low K green sheets were measured. In-situ camber observation by hot stage microscopy showed different camber development of heterogeneous LTCC substrates according to glass content in high K green sheet. High K green sheet containing $50\%$ glass was matched to low K green sheet in the shrinkage. Therefore, LTCC substrate of Low K/High K+$50\%$ glass structure showed flat surface after sintering. 본 연구에서는 고유전율(K100) 및 저유전율(K7.8) LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramics) 그린 시트를 이종 LTCC 기판으로 동시 소성하는 경우, 고유전율 LTCC 내의 유리 분말 함유량에 따라 발생하는 수축 거동 변화가 이종 LTCC기판의 휨 특성에 미치는 영향에 대하여 평가하였다. 유리 분말 함유량의 증가에 따른 고유전율 LTCC 그린시트의 수축률 및 유전 특성을 측정하였으며, 고유전율/저유전율 비대칭형 적층체의 소결 거동을 고온 현미경을 이용하여 실시간으로 측정하였다. $50\%$ 유리가 첨가된 K100 조성의 경우 수축 개시 온도 및 수축 구간의 범위 , 최종 수축률이 K7.8 조성과 유사하였으며, 동시 소성 시 가장 우수한 휨 특성을 나타내었다.

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