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I-V 장치 특성 및 I-V 장치를 이용한 ZnO 나노막대의 전기적 특성 연구
김정란 ( Zhen Lan Jin ),박창인 ( C. I. Park ),김병혁 ( B. H. Kim ),한상욱 ( S. W. Han ) 전북대학교 과학교육연구소 2010 과학과 과학교육 논문지 Vol.35 No.-
수직으로 배열이 잘 된 ZnO 나노막대는 metal organic chemical vapor deposition방법을 이용하여 Al2O3(0001)기판 위에 생장시킨 후 질소이온을 주입하여 400 ℃에 열처리하였다. ZnO 나노막대의 전기적 특성은 I-V 장비를 이용하여 측정하였다. I-V 장비는 매우 미세한 전류를 측정할 수 있는 장비로서 주위 환경의 안정성 그리고 측정 시 두 팁사이의 거리, 팁이 샘플에 주는 압력, 인가한 전압의 크기 및 팁의 지름의 크기와 매우 밀접한 관계가 있음을 볼 수 있었다. ZnO 나노막대의 전기적 특성을 측정한 결과 ohmic contact 현상이 발생하였음을 알 수 있었다. We have synthesized vertically aligned ZnO nanorods by metal organic chemical vapor deposition on Al2O3(0001) substrate. We implanted N+ to vertically aligned ZnO nanorods and annealed at different temperatures. The electrical property of Zno nanorods was measured by using I-V measurements. I-V systems is very sensitive with around condition, between two tips distance, pressure of tip for the sample, source range of electric field and used tip diameter at measurement. We observed that ZnO nanorods showed ohmic contact.
인시추 샆스로 백금 촉매 연구를 위한 장비설치와 실험 과정
정은석 ( E S Jeong ),박창인 ( C I Park ),김정란 ( Zhenlan Jin ),한상욱 ( S W Han ),김미영 ( M Y Kim ),최재순 ( J S Choi ) 전북대학교 과학교육연구소 2012 과학과 과학교육 논문지 Vol.37 No.-
TiO₂ and ZrO₂를 고정한 SiO₂ 에 담지된 Pt 촉매들은 높은 백금 분산을 가지면서 PT/Al₂O₃ 와 Pt/SiO₂ 보다 높은 촉매 활성과 열적 안정성을 갖는다. 그들의 물리화학적 특성은 Pt L3 끝머리와 Ti 와 Zr 의 K 끝머리에서 인시추 샾스에 의해 산화환원 조건 또는 온도에 의존 조건에 따라 연구되었다. 전기도가니와 석영관은 실험 설치를 위해 준비된다. 온도는 산화제와 환원제로서 각각 산소와 수소로 사용하면서 430 ℃까지 증가시킨 후 감소시킨다. 이 논문에서 우리는 인시추 샾스에 대한 장비 설치와 실험 과정을 자세하게 묘사할 것이다. Pt catalysts impregnated on TiO₂- and ZrO₂- incorporated SiO₂ have higher catalytic activity and more thermal stability with high dispersion of platinum than Pt/Al₂O₃ and Pt/SiO₂. The chemical and structural properties of Ptcatalysts on various supports were studied at different temperatures and at the condition of oxidation-reduction using in-situ x-ray absorption fine structure (XAFS) measured at the Pt L3-edge and the Ti and Zr K-edges. An electric furnace and a quartz tube were prepared for the in-situ experimental set up. In situ XAFS measurements were madein the temperature range of room temperature - 430℃ under the gas flow of H₂ and O₂ for oxidation and reduction respectively.