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- 저자 : 박찬형(Chan Hyeong Park) (검색결과 12 건)
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박찬형(Chan Hyeong Park),홍성민(Sung-Min Hong),민홍식(Hong Shick Min),박영준(Young June Park) 대한전자공학회 2008 電子工學會論文誌-SD (Semiconductor and devices) Vol.45 No.9
균일하게 도핑된 반도체에서, 분포된 확산 잡음원에 의해서 발생하는 단자잡음전류의 전력주파수밀도를 계산하였다. 고정된 전압에서 반도체의 길이가 작아짐에 따라, 또는 주어진 반도체에서 전류레벨이 증가함에 따라, AC 단락잡음전류는 열잡음 뿐만 아니라 과잉잡음을 보인다. 이 과잉잡음은 채널길이가 외인성 Debye 길이에 비해 매우 작은 경우에는 산탄잡음의 스펙트럼과 같은 모습을 보인다. 유한한 주파수에서 속도요동 잡음원에 의한 외인성 반도체에서 발생하는 과잉잡음을 최초로 유도하였다. 유도된 과잉잡음 공식은 반도체 채널의 통과 시간, 유전 이완 시간, 속도 이완 사이의 상호 작용에 따라 단자잡음 전류와 캐리어 농도 요동이 결정됨을 명시적으로 보여준다. 또한 유도된 해석적 식을 사용하여 여러 가지 반도체 샘플 길이와 바이어스, 주파수에 따른 잡음 스펙트럼의 변화도를 계산하였다. 유도된 공식은 quasi-ballistic 수송현상이 중요한 역할을 하는 나노스케일 MOSFET의 잡음 발생 기제를 이해할 수 있는 기반이 된다. Noise in homogeneous extrinsic semiconductor samples is calculated due to distributed diffusion noise sources. As the length of the device shrinks at a fixed bias voltage, the ac-wise short-circuit noise current shows excess noise as well as thermal noise spectra. This excess noise behaves like a full shot noise when the channel length becomes very small compared with the extrinsic Debye length. For the first time, the analytic formula of the excess noise in extrinsic semiconductors from velocity-fluctuation noise sources is given for finite frequencies. This formula shows the interplay between transit time, dielectric relaxation time, and velocity relaxation time in determining the terminal noise current as well as the carrier density fluctuation. As frequency increases, the power spectral density of the excess noise rolls off. This formula sheds light on noise in nanoscale MOSFETs where quasi-ballistic transport plays an important role in carrier transport and noise.
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하이퍼레저 패브릭 배치 스케줄링을 통한 성능 개선 방법에 관한 연구
박찬형(Chan-Hyeong Park),최광훈(Kwang-Hoon Choi),김재훈(Jai-Hoon Kim) 한국통신학회 2022 한국통신학회 학술대회논문집 Vol.2022 No.2
하이퍼레저 패브릭은 기업 애플리케이션 및 산업 솔루션에 적합한 허가형 블록체인 시스템을 간편하게 도입할 수 있도록 만들어진 프레임워크다. 하지만 데이터베이스를 사용하는 레거시 시스템에 비하면 성능 수준이 여전히 낮기 때문에 블록체인이 완벽하게 레거시 시스템을 대체하기 위해서는 상용화 가능한 수준으로의 성능 개선이 필요하다. 본 연구에서는 하이퍼레저 패브릭 환경에서 트랜잭션 요청이 발생하면 애플리케이션 단에서 배치 처리하면서 같은 키로 접근하는 트랜잭션 요청에 대해 사전에 업데이트하는 모델을 제안하여 성능 개선을 시도하였다. 제안하는 모델은 트랜잭션 일괄 처리량이 많고, 데이터 저장 시 사용하는 키 개수가 적은 시스템에서 높은 효율성을 기대할 수 있다.
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조승현(Seung-Hyun Cho),박찬형(Chan Hyeong Park),정인영(In-Young Chung),정진호(Jinho Jeong) 대한전자공학회 2009 電子工學會論文誌-TC (Telecommunications) Vol.46 No.6
본 논문에서는 집중소자를 이요d한 새로운 윌킨슨 전력 분배기를 제안한다. 제안된 구조는 기존 구조보다 임피던스 변환과정에서 낮은 Q-지수를 가지도록 설계되어 우수한 대역폭 특성을 갖는다. 또한, 보다 작은 수의 집중소자를 사용하여 회로의 크기를 더욱 줄일 수 있다. 제안된 구조는 L-형태의 임피던스 정합회로를 사용하였으며 이에 대한 설계 방정식을 유도하였다. 시뮬레이션 결과, 제안된 구조는 기존 구조보다 임피던스 정합과 격리도에서 대역폭이 50% 우수하였고, 삽입손실은 줄어드는 장점이 있었다. 기존 구조와 제안된 구조의 집중소자 윌킨슨 전력 분배기는 중심주파수 2 ㎓에서 설계, 제작 및 측정 되었다. 측정 결과, 제안된 구조는 중심 주파수에서 입력 반사계수(S11)는 -23.0 ㏈, 격리도(S23)는 -29.0 ㏈, 삽입손실(S21)은 -3.12 ㏈ 등의 우수한 특성을 보였으며 기존 구조보다 넓은 대역폭을 보임을 확인하였다. In this paper, we propose a new lumped Wilkinson power divider which is designed to have lower quality-factors in the impedance transformation. Therefore, it can provide wider bandwidth than the conventional one. Moreover, the proposed power divider consists of fewer number of elements so that the circuit size can be further reduced. Simulation results show that the proposed lumped power divider allows a 50 % wider bandwidth in the return loss and isolation performance. The conventional and new Wilkinson power was designed and fabricated based on the derived equations at 2.0 ㎓. In the measurement, the proposed divider achieved a good performance with an input return loss (S11) of -23.0 ㏈, an isolation (S23) of -29.0 ㏈ and an insertion loss (S21) of -3.12 ㏈ at the design frequency with wider bandwidth than the conventional one.
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채널 폭에 따른 MOSFET 문턱전압 및 전류 변동성에 관한 시뮬레이션 분석
정인영(In-Young Chung),박찬형(Chan Hyeong Park) 대한전자공학회 2018 전자공학회논문지 Vol.55 No.6
짧은 채널 길이와 긴 채널 너비를 갖는 MOSFET은 너비 방향으로 불균일한 채널 불순물 농도를 갖게 되며, 이에 의해 너비 방향으로 각 지점에서의 MOSFET 채널은 서로 다른 값의 문턱전압을 갖게 된다. 본 논문에서는 넓은 폭의 MOSFET을 문턱전압이 정규분포의 변동성을 갖는 W/L=1인 단위 MOSFET의 병렬연결로 모델링하여 SPICE 모델 파라미터를 활용한 시뮬레이션 기법으로 폭의 길이에 따른 전류-전압곡선의 특성을 분석한다. 이 분석을 통해 MOSFET의 폭이 넓어질수록 문턱전압이 낮아지고 문턱전압 이하 영역에서의 전류곡선의 지수기울기가 감소하는 것을 파악한다. 또한 문턱전압 부근과 그 이하 영역에서 MOSFET 너비에 따른 전류의 분포를 예측함으로써 전류 매칭에 유리한 MOSFET의 크기와 바이어스 조건을 제시한다. 이러한 분석 결과는 문턱전압의 변동성을 잘 견디는 초저전압 동작 아날로그 회로의 설계에 유용하게 활용될 것으로 기대된다. Short-channel length and wide-channel width MOSFET’s have nonuniform channel doping density along the channel width, making local threshold voltage along the width different We develop a wide-width MOSFET model by the parallel connection of unit MOSFET of W/L=1 with its threshold voltage normal-distributed. The current-voltage characteristics with respect to the width are analyzed by simulation method employing SPICE model parameters. This analysis shows that the threshold voltage becomes lower and the slope of the logarithmic value of current over the gate voltage in subthreshold region decreases as the channel width increases. Furthermore, by predicting current distribution with respect to the width around the threshold voltage and in the subthreshold region, a MOSFET size and a bias condition are presented for optimal current matching. These analysis results are expected to be used for the ultralow-voltage analog circuit design which is robust against the variability of threshold voltage.
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Switching Bias를 이용한 MOSFET의 1/f 잡음 감쇄
최재웅(Jae-Woong Choi),정진호(Jinho Jeong),박찬형(Chan Hyeong Park) 대한전자공학회 2007 대한전자공학회 학술대회 Vol.2007 No.11
This paper presents MOSFET 1/f noise reduction effect under switching bias condition and proposes device-under-test blocks on-a-chip. Compared to a conventional noise measurement system, a new noise measurement system is implemented on-chip, so that it has advantages in its size and cost. Futhermore the measurement system-on-a-chip is expected to get more accurate experimental results to analyze 1/f noise reduction effects. Integrated DUT block enables the noise measurement system to be free from external noise sources and mismatches of circuits.
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서성원(Sung Won Seo),정진호(Jinho Jeong),박찬형(Chan Hyeong Park) 한국전자파학회 2008 한국전자파학회논문지 Vol.19 No.2
본 논문에서는 새로운 헤어핀 공진기를 제안하고 이를 X 밴드 발진기에 응용하는 연구에 관한 것이다. 새로이 제안된 헤어핀 공진기는 스파이럴 구조를 이용하여 coupling을 강화시키는 구조이다. 기존의 헤어핀 공진기와 새로이 제안된 공진기를 마이크로스트립 선로 상에서 제작하여 특성을 비교하였다. 공진 주파수 9.2 ㎓에서 제안된 공진기는 더 높은 loaded quality factor를 보여주었고, 면적 또한 약 50 % 정도 줄어들었음을 확인하였다. 새롭게 제안된 헤어핀 공진기를 이용한 발진기의 측정 결과, 출력 전력은 10.87 ㏈m이고, 기준 주파수 대비 2차 고조파 성분 억압은 41.99 ㏈c이며, 100 ㎑ 오프셋에서 위상 잡음은 -101.49 ㏈c/㎐의 특성을 얻었다. 이는 기존의 헤어핀 공진기를 이용한 발진기보다 6.17 ㏈ 정도 개선된 위상 잡음 특성에 해당한다. In this paper, an X-band oscillator is presented using a new miniaturized microstrip hairpin resonator. The newly designed hairpin resonator on the microstrip line employs the spiral structure, which shows a higher loaded quality factor and the 50 % reduced circuit area compared to the conventional one at 9.2 ㎓. The oscillator using proposed resonator shows the output power of 10.87 ㏈m, the second harmonic suppression of 41.99 ㏈c, and the phase noise performance of -101.49 ㏈c/㎐ at 100 ㎑ offset, which is better than the conventional resonator oscillator by 6.17 ㏈.
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